专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]SQUID器件电磁参数测试方法、装置和计算机设备-CN202010844399.7有效
  • 蔡裕谦;王雪深;钟青;李劲劲;姜开利 - 中国计量科学研究院;清华大学
  • 2020-08-20 - 2023-09-05 - G01R33/035
  • 本申请涉及一种SQUID器件电磁参数测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:获取电磁参数测试的配置信息,根据第一电磁参数的配置信息确定第一电磁参数的各个观测值;采集在第一电磁参数的各个观测值下对应的第二电磁参数的检测值;根据第一电磁参数的各个观测值及对应的第二电磁参数的检测值,确定所述第二电磁参数与第一电磁参数的变化关系,或者,根据第二电磁参数的检测值确定对应的第三电磁的检测值,根据第一电磁参数的各个观测值及对应的第三电磁参数的检测值,确定第三电磁参数与第一电磁参数的变化关系。通过本测试方法可以对SQUID器件进行温度控制、磁场调节,可以准确的监测到SQUID在低温超导态的周期震荡现象,且准确。
  • squid器件电磁参数测试方法装置计算机设备
  • [发明专利]场效应晶体管-CN202010044328.9有效
  • 杨心翮;柳鹏;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2020-01-15 - 2023-07-18 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种场效应晶体管,其包括一栅极,该栅极的表面设置一绝缘层;一源极及一漏极间隔设置于所述绝缘层的表面并与所述栅极绝缘设置;一根碳纳米管设置于所述绝缘层上方,所述碳纳米管具有相对的第一端和第二端以及位于第一端和第二端之间的中间部,所述碳纳米管的第一端与所述源极接触电连接,所述碳纳米管的第二端与所述漏极接触电连接,且所述碳纳米管的中间部形成有缺陷。本发明提供的场效应晶体管在高温下能够完全关断,具有高开关比,且高温开关比可大于103
  • 场效应晶体管
  • [发明专利]一种透射型低能量电子显微系统-CN201610404782.4有效
  • 柳鹏;赵伟;林晓阳;周段亮;张春海;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2016-06-08 - 2023-06-06 - H01J37/26
  • 本发明涉及一种透射型低能量电子显微系统,其包括:一真空腔体;一电子枪,用于发射的电子束;一衍射腔体;一成像装置;一样品支架,用于固定二维纳米材料样品,上述电子束可以从所述二维纳米材料样品透射之后形成进入所述衍射腔体内的透射电子束与衍射电子束,并在所述成像装置上成像;一芯柱;一抽真空装置;以及一控制电脑;其中,所述控制电脑还包括工作模式切换模块,所述工作模式切换模块可以实现大束斑的成像模式和小束斑的衍射模式之间切换;所述大束斑的成像模式为采用大于样品的电子束照射整个样品表面,并进行衍射成像;所述小束斑的衍射模式为采用小于样品的电子束照射样品的局部表面或扫描整个表面,并进行衍射成像。
  • 一种透射能量电子显微系统
  • [发明专利]聚合物太阳能电池的制备方法-CN201810337788.3有效
  • 宁文;柳鹏;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2018-04-16 - 2023-03-31 - H10K71/00
  • 一种聚合物太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:将一碳纳米管阵列设置于一聚合物溶液中,所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管,每一碳纳米管部分浸入所述聚合物溶液中;使所述聚合物溶液固化形成一聚合物层,该聚合物层具有相对的第一聚合物表面和第二聚合物表面,每一碳纳米管由一第一部分碳纳米管和一第二部分碳纳米管组成,所述第一部分碳纳米管嵌入所述聚合物层中,所述第二部分碳纳米管延伸在所述聚合物层外面;使所述第二部分碳纳米管倾倒在所述第一聚合物表面上,多个第二部分碳纳米管形成一碳纳米管层;将一阴极电极设置在所述碳纳米管层远离聚合物层的表面;以及将一阳极电极设置在所述第二聚合物表面。
  • 聚合物太阳能电池制备方法
  • [发明专利]半导体型碳纳米管的获取方法-CN202010041960.8有效
  • 张科;魏源岐;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2020-01-15 - 2022-10-18 - C01B32/16
  • 一种半导体型碳纳米管的获取方法,包括:提供一包括镂空部分和非镂空部分的绝缘基底,在该非镂空部分设置多个电极,且该多个电极被镂空部分间隔开;在设置有电极的绝缘基底上生长多个碳纳米管,该多个碳纳米管平行间隔设置于所述绝缘基底的表面并与电极直接接触,且在所述镂空部分的碳纳米管悬空设置;将所述绝缘基底、电极以及碳纳米管形成的整体结构放置到一腔体内,并对该腔体抽真空;在任意两个电极之间施加电压,并采用一相机对两个电极之间悬空设置的碳纳米管进行拍照获得碳纳米管照片,其中,碳纳米管照片中亮度较暗的为半导体型碳纳米管,亮度较亮的为金属型碳纳米管;去除所述金属型碳纳米管,获取到半导体型碳纳米管。
  • 半导体纳米获取方法
  • [发明专利]金属型碳纳米管的获取方法-CN202010042851.8有效
  • 张科;魏源岐;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2020-01-15 - 2022-10-18 - C01B32/17
  • 一种金属型碳纳米管的获取方法,包括:提供一包括镂空部分和非镂空部分的绝缘基底,在该非镂空部分设置多个电极,且该多个电极被镂空部分间隔开;在设置有电极的绝缘基底上生长多个碳纳米管,该多个碳纳米管平行间隔设置于所述绝缘基底的表面并与电极直接接触,位于所述镂空部分的碳纳米管悬空设置;将所述绝缘基底、电极以及碳纳米管形成的整体结构放置到一腔体内,并对该腔体抽真空;在任意两个电极之间施加电压,并采用一相机对两个电极之间悬空设置的碳纳米管进行拍照;观察碳纳米管的照片,亮度较暗的为半导体型碳纳米管,亮度较亮的为金属型碳纳米管;去除所述半导体型碳纳米管,获取到金属型碳纳米管。
  • 金属纳米获取方法

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