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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于皮肤抗衰老的组合物-CN202310961418.8在审
发明人：赵岚;姚秋鹏 -专利权人：北京理智之美科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A61K8/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于皮肤抗衰老的组合物。它包含胆固醇、1，2戊二醇和棕榈酰三肽‑5。在棕榈酰三肽‑5使用量相同时，可提高棕榈酰三肽‑5的抗衰老效果。在一定效果预期下，可在产品中添加更少的棕榈酰三肽‑5。由于1，2戊二醇及胆固醇的成本远远小于棕榈酰三肽‑5，因此本发明可以在保证功效的前提下节省产品成本。
一种用于皮肤衰老组合

[发明专利]一种籽晶粘接结构及其提高籽晶粘接均匀性的方法-CN202111638964.5有效
发明人：王亚哲;徐所成;陈鹏磊;姚秋鹏;程周鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种籽晶粘接结构及其提高籽晶粘接均匀性的方法，依次包括压块，籽晶，定位环，所述定位环上设有导热系数不同的第一导热层，第二导热层与第三导热层，导热系数沿籽晶中心径向到边缘呈减小趋势。本发明通过利用导热系数不同的导热层，分区域热压，使得胶水固化的时候气泡从中心开始向边缘能有序的排出，避免了中心区域气泡无法排除而聚集的现象。通过本发明的方法制备的籽晶，其胶水的均匀性得到了很大的改善。
一种籽晶结构及其提高均匀方法

[发明专利]一种优化碳化硅籽晶表面初期成核的方法-CN202111385909.X有效
发明人：王亚哲;徐所成;陈鹏磊;姚秋鹏;程周鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化碳化硅籽晶表面初期成核的方法，在初期成核阶段，在第一预设时间内，将生长腔室内的压力降低至生长压力，并同时将生长腔室内的温度升高1％‑2％；待生长腔室内的压力降低到生长压力后，在第二预设时间内，将生长腔室内的温度降低至生长温度，通入生长晶体所需的气体，进行正常生长。本发明在生长初期饱和压较大的情况下，通过提高籽晶表面的温度来抑制籽晶表面在非平衡状态下的成核概率，进而增加平衡状态下在籽晶表面成核的概率，以此达到高质量碳化硅单晶的生长目标。
一种优化碳化硅籽晶表面初期成核方法

[实用新型]一种新型石墨加热器-CN202221662886.2有效
发明人：王亚哲;徐所成;皮孝东;陈鹏磊;姚秋鹏;程周鹏 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H05B6/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型石墨加热器，包括多个相互独立的加热线圈，多个所述加热线圈同轴心，且单个加热线圈所在平面与轴心垂直设置，多个所述加热线圈形成的热场用于坩埚的加热与放置，相邻的加热线圈之间设有用于支撑的固定件。本实用新型采用互相平行且相互独立的单匝加热线圈作为基准单元，这样不仅热场更均匀，而且可以根据实验所需的热场梯度可以进行局部范围的精准调控，达到所需的效果，而且由于是石墨线圈，此感应加热器无需水冷，制作工艺的难度大大降低。
一种新型石墨加热器

[发明专利]洗涤织物的方法-CN202211040093.1在审
发明人：大谷良平;李飞;姚秋鹏;赵宇 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C11D1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种洗涤织物的方法。所述方法使用含相对低洗涤过程(TTW)剂量的二苯醚抗微生物剂的衣物洗涤液。此类相对低TTW范围介于约0.25至约1ppm，但所述范围令人惊奇且出乎意料地表现出与较高TTW剂量相当的抗微生物效果。此外，提供了用以递送二苯醚抗微生物剂的抗微生物衣物洗涤剂组合物，或含此类低TTW剂量的所述二苯醚抗微生物剂的衣物洗涤液。
洗涤织物方法

[实用新型]一种PVT生长法中利于稳定热场的装置及石墨坩埚-CN202221094417.5有效
发明人：徐所成;皮孝东;王亚哲;陈鹏磊;姚秋鹏;程周鹏;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PVT生长法中利于稳定热场的装置及石墨坩埚，包括环状的收集腔体与收集通道，所述收集通道与所述收集腔体连通，所述收集通道与石墨坩埚的紧配处缝隙相配，用于收集石墨坩埚内逃逸的气体。本实用新型在石墨坩埚顶部增加一个收集气氛的石墨装置，本实用新型装置的设计既不影响籽晶附近的温场，又利于收集逃逸出来的碳化硅气氛，由于越往上温度越低，所以逃逸的气氛就会顺着收集通道扩散到与收集通道连通的收集腔体中沉积；结构简单，不会对PVT法生产碳化硅晶体产生影响。
一种 pvt 生长利于稳定装置石墨坩埚

[实用新型]一种有利于生长碳化硅单晶的石墨加热器-CN202221092342.7有效
发明人：王亚哲;徐所成;皮孝东;陈鹏磊;姚秋鹏;程周鹏;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有利于生长碳化硅单晶的石墨加热器，包括侧部加热器与顶部加热器，所述侧部加热器设置于坩埚的外围，所述顶部加热器设置于坩埚的顶部，所述顶部加热器的加热片沿着径向背离中心宽度呈减小趋势，所述侧部加热器的加热片的宽度从底部到顶部呈增大趋势。通过本实用新型的加热器，整个温场的高温线会下移，相比传统的加热器，本实用新型的加热器由于高温线下移会对粉料的利用率更高，也避免了气氛逆流在底部结晶的现象，晶体生长区的径向温度梯度更容易控制，对晶体的形状和质量都有很大的改善。
一种有利于生长碳化硅石墨加热器

[实用新型]一种生长碳化硅单晶的石墨电阻炉热场结构-CN202221096426.8有效
发明人： 姚秋鹏;徐所成;皮孝东;王亚哲;陈鹏磊;程周鹏 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生长碳化硅单晶的石墨电阻炉热场结构，包括生长腔室，生长坩埚与加热器，所述生长坩埚置于所述生长腔室内，所述加热器位于所述生长坩埚与所述生长腔室之间，所述加热器可升降旋转，所述生长坩埚内设有粉料区，所述生长坩埚底部设有可上下升降滑动的石墨块，所述石墨块用于调节粉料区的位置，从而调节粉料区的热场曲线。本实用新型使得传统结构的单一的加热器升降的热场调节方式改由加热器升降与粉料区双重升降结合的热场调节方式，且增加了粉料区的旋转与保留着加热器的旋转功能。通过这样的改变，使得生长过程中的热场的变化变得可控，可以更精细的控制热场的轴径向温度梯度。
一种生长碳化硅石墨电阻炉结构

[发明专利]一种生长高质量碳化硅晶体的装置与方法-CN202210485579.X有效
发明人：王亚哲;皮孝东;徐所成;陈鹏磊;姚秋鹏;程周鹏;沈典宇 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长高质量碳化硅晶体的装置与方法，包括第一加热装置、第二加热装置、生长坩埚内部的第一装料区和第二装料区，中心轴向导热装置，采用分区域装料方式、双区域加热共同耦的方式来进行高质量碳化硅晶体的制备。采用本发明所述的生长方法可以在生长初期有利于进行台阶流生长的模式，在生长后期可以弥补平衡碳硅比，诱导生长区的气流向籽晶方向运动进而稳定生长区域的气氛环境。另外，利用本发明的方法还可大幅度提高原料的利用率，降低生产成本。
一种生长质量碳化硅晶体装置方法

[实用新型]一种改善粉源温场的坩埚结构-CN202123375217.5有效
发明人：陈鹏磊;徐所成;王亚哲;姚秋鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善粉源温场的坩埚结构，包括坩埚本体与配件，所述坩埚本体内部具有粉源，所述配件为规则形状，所述配件用于插入粉源中心处，以增大粉源升华的表面积，所述配件的上端与粉源的上端平齐。本实用新型的坩埚结构可以有效调节碳化硅粉源内部温场，提高了粉源中心温度及粉源的表面积，增大了中心气氛运输速率及整体运输速率，增加晶体生长速度；并且可减少粉料的反向升华和重结晶现象；增加了中心粉源升华速率，降低粉源边缘升华速率，增加晶体凸度，减少坩埚内壁腐蚀，有利于晶体形状的控制及晶体品质的提升。
一种改善粉源温场坩埚结构

[实用新型]一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置-CN202122231217.1有效
发明人： 姚秋鹏;皮孝东;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;程周鹏 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置，其中籽晶托设于坩埚口并与坩埚形成密封腔，所述籽晶托贴紧在所述坩埚口的底面上设有籽晶，所述籽晶托远离坩埚口的顶面上设有与籽晶对应的厚度变化面，所述厚度变化面与籽晶托底面之间的间距从中心向边缘逐渐增加。本申请通过设置通过设置厚度变化面，降低籽晶托的径向的温差，保障安装在籽晶托上的籽晶受热均匀，籽晶上面生成的单晶内部应力小，达到实现生成高品质的单晶的目的。
一种籽晶以及碳化硅生长装置

[发明专利]一种脂质体组合物及其制备方法-CN202111408251.X在审
发明人：赵岚;姚秋鹏 -专利权人：北京理智之美科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： A61K8/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种脂质体组合物及其制备方法，包括双分子层；双分子层包括卵磷脂、胆固醇、糖蛋白和四次跨膜蛋白CD63；脂质体组合物的制备方法：将卵磷脂、胆固醇、糖蛋白和四次跨膜蛋白CD63混合，加入溶剂进行溶解，然后挥干溶剂，加入纯水水化，超声处理，得到脂质体组合物；该脂质体组合物含有四次跨膜蛋白CD63，能够提高脂质体组合物的稳定性，使其具有外泌体的透皮性能，可用于护肤领域。
一种脂质体组合及其制备方法

[实用新型]一种固定碳化硅籽晶的装置-CN202120913417.2有效
发明人：皮孝东;徐所成;钟红生;王亚哲;姚秋鹏;罗昊;杨德仁 -专利权人：杭州乾晶半导体有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种固定碳化硅籽晶的装置，包括坩埚本体以及与坩埚本体盖合的坩埚盖，所述坩埚本体上部设有活动连接的承载环与籽晶盖，所述承载环与籽晶盖用于固定籽晶；所述承载环与籽晶盖同心轴。本实用新型的装置减少了一道籽晶粘接预处理工艺，降低了从籽晶盖分离取出晶体的困难度，规避后续加工造成的一系列问题，减小了晶体中的缺陷密度，进而提高碳化硅晶体生长的效率、良率。
一种固定碳化硅籽晶装置

[实用新型]一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置-CN202122351526.2有效
发明人：王亚哲;徐所成;沈典宇;姚秋鹏;陈鹏磊 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置，包括由上至下依次设置的晶体生长区，气氛传输区，粉料升华区与换料区，所述换料区包括依次并排设置的出料冷却室，副室与装料室，所述副室与出料冷却室之间设有可活动的第一隔热板，所述副室与装料室之间设有可活动的第一隔热板，所述副室的中心处设有升降托，用于将装料坩埚升起至粉料升华区或者下降至副室，在粉料升华区的底部设置了换料区，通过换料区添加粉料，从而实现连续换料进行长时间高质量的碳化硅大晶体生长，避免了因换料而降温停炉，换料完毕后重新升温，降低了成本，节约了时间，提高了生产效率。
一种连续进行持续生长质量碳化硅晶体装置

[实用新型]一种碳化硅籽晶的固定结构-CN202122297626.1有效
发明人：钟红生;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;姚秋鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅籽晶的固定结构，包括碳化硅籽晶、金属箔片和晶托，碳化硅籽晶的上表面设有碳化膜，金属箔片设置在碳化膜与晶托之间，金属箔片加热后与碳化硅籽晶、晶托固定连接。本实用新型具有无需使用粘接剂以避免其对碳化硅籽晶的腐蚀，紧密固定籽晶，提高碳化硅晶体的质量和良品率等优点。
一种碳化硅籽晶固定结构

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