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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于存取双向存储器的方法和装置-CN200980113866.0有效
发明人： W·帕金森 -专利权人： 奥翁尼克斯公司
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：双向存储单元包括双向阈值开关(OTS)和双向存储元件。OTS被配置成选择双向存储元件并且阻挡对存储元件的无意存取。
用于存取双向存储器方法装置

[发明专利]硫属化物材料的化学气相沉积-CN201010139378.1无效
发明人： S·R·奥夫辛斯基;S·卡梅帕利 -专利权人： 奥翁尼克斯公司
申请日： 2006-01-05 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供用于制备电和光硫属化物材料的化学气相沉积(CVD)方法。在优选实施方式中，该CVD沉积的材料表现出一种或多种以下性质：电转换、累积、设置、可逆多状态特性、复位、认知功能和可逆非晶形-晶态转变。在一个实施方式中，通过CVD沉积多层结构，该多层结构至少包括含有硫属元素的一个层，且在沉积后对该多层结构施加能量，以产生具有本发明所述性质的硫属化物材料。在另一个实施方式中，具有本发明所述性质的单层硫属化物材料通过包括三种或更多沉积前体的CVD沉积方法形成，至少一种沉积前体是硫属元素前体。优选的材料是那些包含硫属元素Te以及Ge和/或Sb的材料。
硫属化物材料化学沉积

[发明专利]用于访问多模式可编程电阻存储器的方法和装置-CN200980106508.7无效
发明人： W·帕金森 -专利权人： 奥翁尼克斯公司
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：能够在多个操作模式之间配置存储器。操作模式可以指示与存储器的存储矩阵内的每个单元相关联的存储等级的数目。
用于访问模式可编程电阻存储器方法装置

[发明专利]多层硫属化物和具有提高的操作特性的相关器件-CN200880021336.9无效
发明人： R·桑多瓦尔;W·楚巴蒂;T·劳里;浅野勇 -专利权人： 奥翁尼克斯公司
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：多层硫属化物、存储或开关器件。该器件包括位于第一端子和第二端子之间的活性区。该活性区包括第一层和第二层，其中层之一是包括操作组分和促进剂组分的异质层。另一层可以是均质层或异质层。在示例性实施方案中，操作组分是硫属化物或相变材料，促进剂组分是绝缘或介电材料。促进剂组分的掺入提供了有益性能特性，如复位电流的降低或定型要求的最小化。
多层硫属化物具有提高操作特性相关器件

[发明专利]多层硫属化物装置-CN200780029530.7有效
发明人： R·桑多瓦二;S·A·科斯泰列夫;W·楚巴蒂;T·劳里 -专利权人： 奥翁尼克斯公司
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明涉及多层硫属化物电子装置。所述装置包括与两个端子电连通的有源区，其中有源区包括两层或多层。在一个实施方案中，孔区包括两种或多种不同化学组成的硫属化物材料。在另一个实施方案中，孔区包括一种或多种硫属化物材料和Sb层。所述装置提供最低调节需要、快置位速度、高复位电阻和低置位电阻的多个优点。
多层硫属化物装置

[发明专利]编程相变材料存储器-CN02829578.1有效
发明人： T·A·劳里 -专利权人： 奥翁尼克斯公司
申请日： 2002-09-11 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：存储器件具有组成单元(604)，组成单元(604)包括用来存储单元的数据的结构相变材料。这种材料可以是硫族化合物合金。将第一脉冲(204)加到单元(604)上，使材料保持在第一状态，例如复位状态，此时材料为非晶态且具有较高的电阻率。然后，将第二脉冲(208)加到单元(604)上，使材料从第一状态改变为第二个不同的状态，例如置位状态，此时材料为结晶态且具有较低的电阻率。所述第二脉冲(208)具有一般的三角形状，而不是矩形脉冲。
编程相变材料存储器

[发明专利]用于可编程器件的修改的触点-CN02829457.2无效
发明人： S·J·赫金斯;T·A·罗里 -专利权人： 奥翁尼克斯公司
申请日： 2002-08-14 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一方面，提供了一种设备，该设备设置和重新编程可编程器件的状态。一方面，提供一种方法，以便穿过暴露在衬底(110)上形成的触点(170)的电介质(210)来形成开口。通过将离子(175)注入到触点、在该触点上沉积材料以及利用等离子体处理该触点中的至少其中之一来修改该触点的电阻率。一方面，在该开口内形成垫片(102)，并且优选的是硫族化物的可编程材料(404)形成在所述开口内和所述修改的触点上。导体(410)形成在可编程材料上，并且所述触点传送到信号线。
用于可编程器件修改触点

[发明专利]对于可编程器件使用原子层沉积-CN02829486.6无效
发明人： T·A·劳里;C·H·丹尼森 -专利权人： 奥翁尼克斯公司
申请日： 2002-08-21 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一方面，提供一种设置和重新编程可编程器件状态的设备。一方面，提供一种方法，使得通过暴露触点(170)的电介质(210)形成开口(220)，所述触点(170)形成在衬底(100)上。使用原子层沉积(ALD)，在电介质(210)的壁上共形地沉积电极(230)。在电极(230)上形成可编程材料(404)，并且形成到可编程材料(404)的导体(410)。一方面，在电极(230)和可编程材料(404)之间使用ALD来共形地沉积阻挡(408)。
对于可编程器件使用原子沉积

[发明专利]用于对相变材料存储器器件执行写操作的技术和装置-CN02826572.6有效
发明人： T·A·劳里;W·D·帕金森;M·吉尔 -专利权人： 奥翁尼克斯公司
申请日： 2002-08-21 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：一种技术包括，响应于把数据写入相变存储器器件(33)的存储器单元(140)的请求，把该存储器单元(140)设置为在所述存储器单元(140)之间是共享的状态。此外，响应于这一请求，数据被写入该存储器单元(140)。
用于相变材料存储器器件执行操作技术装置

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