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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成电化学和太阳能电池-CN200880105881.6无效
发明人：格林·J·雷诺兹 -专利权人： 奥立孔美国公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L31/058 文献下载
摘要：本发明提供用于提供集成电化学和太阳能电池的方法和设备。在本发明的一个实施方案中，具有自支撑陶瓷阴极层的电化学电池电连接至太阳能电池。在本发明的另一个实施方案中，提供了具有自支撑阳极的电化学电池。本发明还提出了制造所述集成电化学和太阳能电池的方法，其中这类方法通过使用自支撑阴极和阳极而提供了重量减轻和改进的制造工序。
集成电化学太阳能电池

[发明专利]最小化CD蚀刻偏差的方法-CN200780029905.X有效
发明人：贾森·普卢姆霍夫;苏尼尔·斯里尼瓦桑;大卫·约翰逊;鲁塞尔·韦斯特曼 -专利权人： 奥立孔美国公司
申请日： 2007-08-07 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在具有薄膜的光刻基板的等离子体蚀刻工艺期间改善临界尺寸性能的方法。使用第一组工艺条件将钝化膜沉积到光刻基板上。使用第二组工艺条件从光刻基板蚀刻沉积膜。使用第三组工艺条件蚀刻光刻基板的暴露表面。在光刻基板的等离子体工艺期间，监视光刻基板的临界尺寸性能，以确保通过调整光刻基板的沉积和等离子体蚀刻工艺而获得目标均匀性和特征宽度。
最小化 cd 蚀刻偏差方法

[发明专利]用于光刻衬底的温度控制方法-CN200780020946.2有效
发明人：贾森·普卢姆霍夫;拉里·瑞安;约翰·诺兰;大卫·约翰逊;鲁塞尔·韦斯特曼 -专利权人： 奥立孔美国公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于处理光刻衬底的方法，包括将光刻衬底放置在腔中的支撑构件上，其中，所述光刻衬底具有大约0摄氏度到大约50摄氏度的初始温度。将热传递流体引入到所述腔中以将所述光刻衬底冷却至低于大约0摄氏度到低于大约负40摄氏度的目标温度。在被冷却的光刻衬底的温度达到初始温度之前，对该被冷却的光刻衬底执行等离子体工艺。
用于光刻衬底温度控制方法

[发明专利]蚀刻光刻基片的改进的方法-CN200680047345.6有效
发明人：贾森·普卢姆霍夫 -专利权人： 奥立孔美国公司
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种在真空室内处理光刻基片的方法。该方法包括在对该光刻基片在该真空室内进行处理之前将该光刻基片冷却到目标温度的步骤。将至少一种处理气体引入该真空室。在该光刻基片达到该目标温度后，从该处理气体中激发等离子体，其中使用该等离子体对该光刻基片进行处理。在处理完成后，将该光刻基片从该真空室中卸载。
蚀刻光刻改进方法

[发明专利]时分多工工艺中的用于终点的波长选择-CN200680030983.7有效
发明人：大卫·约翰逊;鲁塞尔·韦斯特曼 -专利权人： 奥立孔美国公司
申请日： 2006-08-17 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在交替循环刻蚀工艺或者时分多工工艺期间建立终点的方法。基板被安放在等离子体腔室中并且经历具有刻蚀步骤和淀积步骤的交替循环工艺。使用已知的发射光谱测定技术监测等离子体发射强度的变化。基于来自刻蚀副产物的等离子体发射选择第一波长区域，并且基于来自等离子体背景的等离子体发射选择第二波长区域。计算第一波长区域相对于第二波长区域的比率，并且使用该比率调节对由时分多工工艺生成的信号的属性进行的监测。当在基于监测步骤的时间处到达终点时，交替循环工艺被中断。
时分工艺中的用于终点波长选择

[发明专利]利用气体注入孔的PECVD的光发射干涉测量-CN200680030052.7有效
发明人：大卫·约翰逊 -专利权人： 奥立孔美国公司
申请日： 2006-08-15 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在基板的等离子体处理期间通过使用放置在位于等离子体系统的上电极中的标准气体喷淋头的标准喷淋头孔内的光纤传感器来提高等离子体工艺的光学检测的方法和设备。可以基于测量的来自基板表面的等离子体发射来计算膜性质。该膜性质可以是膜沉积速率、折射率、膜厚度等。基于测量的膜性质，可以调节和/或终止基板的等离子体处理。另外，提供位于上电极组件中的窗口，用于通过标准的喷淋头孔观察等离子体发射。
利用气体注入 pecvd 发射干涉测量

[发明专利]一种用于时分复用（TDM）蚀刻工艺中的过程控制的方法和装置-CN200580050203.0有效
发明人：鲁塞尔·韦斯特曼;迈克·泰克西拉;大卫·约翰逊;赖守亮 -专利权人： 奥立孔美国公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种在时分复用工艺期间控制腔室内压力的方法。在所述时分复用蚀刻工艺的至少一个步骤内根据开环压力控制算法定位节流阀。评估该步骤的压力响应并且将其与期望的压力响应相比。然后，根据对期望压力响应的评估通过比例积分微分控制器对时分复用蚀刻工艺的逐一步骤定位节流阀。
一种用于时分 tdm 蚀刻工艺中的过程控制方法装置

[发明专利]通过采用进化算法的过程变化检测-CN200680021613.7有效
发明人：贾森·普卢姆霍夫 -专利权人： 奥立孔美国公司
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于创建过程变化检测算法的方法。把进化计算技术应用于包含至少一个已知过程变化的至少一个过程数据集。进化计算技术将生成优化已知过程变化的检测的过程状态函数(或者与现有的过程状态函数一起使用的比例系数)。然后，所生成的过程状态函数或系数可以被应用于未来的数据集(实时的或者处理之后的)以检测过程变化。
通过采用进化算法过程变化检测

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