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[发明专利]锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法-CN201380043627.9有效
发明人：李太熙;李源镐;权炳宽 -专利权人： 奥瑟亚新材料股份有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C01G17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法。本发明尤其涉及一种如下的锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法：其在制备单锗烷气体时，利用包含微结构通道的制造装置而在短时间内混合反应物质，并除去所产生的反应热，从而可以将单锗烷气体稳定地大量生产。根据本发明，可轻易控制锗烷气体大量产生时的反应温度以及压力的急剧上升。因此，有利于大规模且高产率地生产单锗烷气体。
气体制备装置利用单锗烷方法

[发明专利]通过单硅烷的热裂解来制备二硅烷的方法及制备装置-CN201380030443.9有效
发明人：李源镐;宋泳河;权三奉 -专利权人： 奥瑟亚新材料股份有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C01B33/029 文献下载
摘要：本发明提供一种通过单硅烷的热裂解来制备二硅烷的装置，所述装置包含：单硅烷热裂解反应部；固体颗粒去除部，去除所述热裂解反应部中产生的固体颗粒；冷凝部，对去除了所述固体颗粒的气体中的除了氢气之外的未反应的单硅烷、作为热裂解反应产物的二硅烷及硅原子数为3至7的高级硅烷进行液化并收集；第一分离部，从被液化且未反应的单硅烷、二硅烷及硅原子数为3至7的高级硅烷的混合物中分离出单硅烷；以及第二分离部，从已去除了单硅烷的混合物中分离出二硅烷及硅原子数为3至7的高级硅烷。依据本发明，通过热裂解法来将单硅烷制备成高纯度的二硅烷，从而能够经济并有效地制备出具有高附加值的二硅烷，使收益极大化。
通过硅烷裂解制备方法装置