专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种去除三硅基氮中残余一氯硅烷的方法-CN202210777731.1有效
  • 赵毅;赵银凤;吴冬辉;计燕秋;刘颖 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2022-07-04 - 2023-06-30 - B01J20/26
  • 本发明涉及电子气体提纯领域,尤其涉及一种去除三硅基氮中残余一氯硅烷的方法,其包括以下步骤:(S.1)将吸附剂干燥后,填充于精馏釜的填料塔中;(S.2)对精馏釜进行抽负处理后通入惰性气体,替换精馏釜中的空气;(S.3)将工业级三硅基氮导入精馏釜中,升温使得三硅基氮在回流过程中与杂质吸附剂接触;(S.4)从填料塔顶部收集馏分,冷却过滤后,即得高纯三硅基氮。本发明中三硅基氮的提纯方法较为简单,其中的吸附剂能够通过物理与化学两种不同的方法实现对于氯硅烷杂质的有效吸收,因此只需要将三硅基氮经过简单的精馏,即可将三硅基氮中残留的一氯硅烷杂质除去,从而能够有效提升三硅基氮的提纯效率。
  • 一种去除三硅基氮中残余硅烷方法
  • [发明专利]碳氟类气体的分离纯化方法-CN202310338293.3在审
  • 赵毅;焦中鹏;毕聪智;王明月;奚颖 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-06-23 - C01B32/10
  • 本发明涉及电子特气领域,尤其涉及碳氟类气体的分离纯化方法,其包括以下步骤:(1)向工业级碳氟气体中混入氯气,并在紫外照射下使得其中的碳氢化合物氯并进行清洗;(2)将经过清洗后的工业级碳氟气体进行通过过渡金属氧化物催化氧化;(3)将经过催化氧化处理后的碳氟气体通入到含有杂质气体吸附剂的离子液体中进行吸附;(4)吸附结束后将碳氟气体通入到精馏塔中精馏脱轻脱重,得到高纯碳氟类气体。本发明中的方法能够对碳氟类气体起到充分的分离纯化作用,经过纯化后得到的高纯碳氟类气体能够有效应用于半导体工业中。同时本发明中的纯化方法操作简单,能够有效成本低廉,能够适用于工业级应用。
  • 碳氟类气体分离纯化方法
  • [发明专利]四氯化钛中含钒杂质的去除方法-CN202310055574.8在审
  • 赵毅;刘颖;徐亚男 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2023-01-18 - 2023-06-06 - C01G23/02
  • 本发明涉及四氯化钛精制领域,尤其涉及四氯化钛中含钒杂质的去除方法,包括以下步骤:(S.1)将粗品四氯化钛分散于非挥发性的稀释剂中,得到粗品四氯化钛溶液;(S.2)向粗品四氯化钛溶液中加入除钒试剂;(S.3)提升粗品四氯化钛溶液的温度,将粗品四氯化钛中的三氯氧钒杂质还原成的二氯氧钒;(S.4)过滤,将滤液进行精馏从而获得除钒后的四氯化钛。本发明通过改变除钒过程中的体系条件以及除钒试剂的物料种类,而能够有效去除粗品四氯化钛中三氯氧钒杂质,同时各个物料均可有效回收再利用,降低了提纯成本,同时提升了附加产值。
  • 氯化钛中含钒杂质去除方法
  • [发明专利]一种电子级吡啶分离提纯方法-CN202310055610.0在审
  • 刘颖;毕聪智;李振源;孙良礼 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2023-01-18 - 2023-06-02 - C08F292/00
  • 本发明涉及电子化学品纯化领域,尤其涉及一种电子级吡啶分离提纯方法,包括以下步骤:(S.1)向工业级吡啶中加入醇盐,回流反应,使得工业级吡啶中的水与醇钠反应,(S.2)向体系中继续加入所述的除杂试剂,回流反应,使得工业级吡啶中的烷基吡啶与除杂试剂偶联,(S.3)过滤除去除杂试剂,(S.4)精馏得到电子级吡啶。本发明中的提纯方法能够有效去除掺杂在粗吡啶中的吡啶同系物、胺化合物以及水分,经过提纯后,能够将吡啶的纯度提升至4N级以上。同时,本发明中的这种提纯方法还具有步骤简单成本低廉的效果,有利于大规模工业化应用。
  • 一种电子吡啶分离提纯方法
  • [发明专利]钽源前驱体的纯化方法-CN202211324335.X有效
  • 赵毅;刘颖;石琳;施旖旎;张蓉 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2022-10-27 - 2023-04-11 - C23C16/34
  • 本发明涉及电子前驱体纯化领域,尤其涉及钽源前驱体的纯化方法,包括以下步骤:(S.1)将吸附剂分散于不具有挥发性的惰性液体介质中,得到吸附浆料;(S.2)将粗品钽源前驱体溶于吸附浆料中,使得粗品钽源前驱体与吸附剂相接触,从而使得粗品钽源前驱体中的杂质被吸附剂所吸附;(S.3)提升吸附浆料的温度至钽源前驱体的蒸发温度,使得钽源前驱体蒸发,从而形成钽源前驱体蒸汽;(S.4)收集钽源前驱体蒸汽并将其冷凝,得到高纯钽源前驱体。本发明在钽源前驱体的纯化过程中通过改变对于钽源前驱体的纯化方式,简化了提纯步骤,有效提高了纯化效率以及纯化效,并且在提纯过程中还有效降低了钽源前驱体纯化过程中的能源消耗。
  • 前驱纯化方法
  • [发明专利]硅基前驱体的提纯方法及提纯系统-CN202211323659.1有效
  • 刘颖;裴凯;赵毅;孙良礼;李晓婷 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2022-10-27 - 2023-04-07 - B01D11/04
  • 本发明涉及电子前驱体纯化领域,尤其涉及硅基前驱体的提纯方法及提纯系统,所述方法,包括以下步骤:(S.1)将吸附剂分散于离子液体中,得到吸附浆料;(S.2)将工业级硅基前驱体溶于吸附浆料中,使得工业级硅基前驱体与吸附剂相接触,从而使得工业级硅基前驱体中的金属离子杂质被吸附剂所吸附;(S.3)吸附结束后,对粗品硅基前驱体进行精馏,去除硅基前驱体中的轻组分以及重组分,得到电子级硅基前驱体。本发明通过改变硅基前驱体在提纯过程中的环境,有效将硅基前驱体与混杂在其中的金属离子杂质分离,从而有利于对于金属离子杂质的吸附,同时通过多种手段联用,提升了对于金属离子杂质的物理或化学吸附效果。
  • 前驱提纯方法系统
  • [发明专利]电子级三氯化硼的提纯方法-CN202211167206.4有效
  • 赵毅;赵银凤;刘颖;毕聪智;于颖 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2022-09-23 - 2023-03-31 - B01J20/22
  • 本发明涉及特种电子气体领域,尤其涉及电子级三氯化硼的提纯方法,其包括以下步骤:(S.1)将吸附组合物填充于吸附器中;(S.2)将吸附器抽负处理,除去吸附器中的空气,然后通入高纯三氯化硼气体;(S.3)向吸附器中通入三氯化硼原料气,使得三氯化硼原料气与所述吸附组合物接触,收集从吸附器中流出的气体,得到电子级三氯化硼气体。本发明能够有效将氯化氢杂质与三氯化硼之间形成的配位作用消除,从而提高了对于三氯化硼的吸附提纯效果,同时通过本发明中的吸附组合物能够对杂质气体起到优良的吸附效果,经过简单的吸附处理后的三氯化硼中杂质气体的浓度能够降低至ppb级别。
  • 电子氯化提纯方法
  • [发明专利]一种杂质气体吸附剂及其制备方法和应用-CN202210652696.0有效
  • 赵毅;刘颖;冯凯;李庆东 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2022-06-10 - 2022-12-09 - B01J20/20
  • 本发明涉及电子特种气体提纯领域,尤其涉及一种杂质气体吸附剂及其制备方法和应用,所述杂质气体吸附剂,包括多孔二氧化硅骨架;所述多孔二氧化硅骨架表面负载有碱土金属的氧化物或氢氧化物以及过渡金属的化合物;还包括包覆在多孔二氧化硅骨架外部的碳层;所述碳层外部还物理负载有铵盐。本发明在多孔二氧化硅骨架上负载有碱土金属的氧化物或氢氧化物以及过渡金属化合物,能够对乙硼烷中的杂质气体通过物理以及化学的方式进行吸附,有效提升了乙硼烷的纯度,同时本发明中的杂质气体吸附剂的使用方法简单,同时经过简单的吸附处理后的乙硼烷中氧气的浓度能够达到ppb级别。
  • 一种杂质气体吸附剂及其制备方法应用
  • [发明专利]一种用于储存电子级一氧化氮的钢瓶及其加工方法-CN202111639926.1有效
  • 赵毅;裴凯;焦中鹏;施旖旎 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-07-19 - F17C1/10
  • 本发明涉及特种气体储存领域,尤其涉及一种用于储存电子级一氧化氮的钢瓶及其加工方法,其包括钢瓶本体,所述钢瓶本体的内壁处设置有一层钝化层,所述钝化层的表面呈点状分布有渗硼区,所述钝化层的表面还设置有一层铝膜,在铝膜的外部沉积有一层二氧化硅薄膜。本发明通过在钢瓶的内比表面依次沉积多层结构,能够使得钢瓶内壁的粗糙度大幅下降,使得杂质不会附着在钢瓶内壁上,从而污染储存在钢瓶内的电子级气体,本发明钢瓶内壁具有化学惰性,能够长时间存放电子级气体,保证电子及气体的纯度与品质。此外,钢瓶内壁的铝膜以及二氧化硅薄膜与基体之间的结合强度较高,能够防止在使用过程中与基体剥离,降低钢瓶使用寿命。
  • 一种用于储存电子一氧化氮钢瓶及其加工方法
  • [发明专利]电子级三氯化硼的制备方法及其所获得的三氯化硼-CN202111681448.0有效
  • 赵毅;刘颖;赵银凤;吴冬辉;毕聪智 - 大连科利德光电子材料有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-06-28 - C01B35/06
  • 本发明涉及化工分离技术领域,具体涉及一种电子级三氯化硼的制备方法及其所获得的三氯化硼,在生成目标产物三氯化硼之前,先使金属杂质与氯气生成金属氯化物,由于金属与氯气反应温度通常在350℃至450℃,低于碳化硼与氯气生成三氯化硼的温度。因此在控制温度条件,可以将两种产物分开生成。生成的金属氯化物在400℃至450℃温度下已经气化,随着未反应的氯气排出。去除金属杂质后,再进行碳化硼与氯气的反应,生成目标产物三氯化硼。本发明可以深度去除三氯化硼中的金属氯化物杂质,去除率达到95%以上。结合吸附和精馏,对其它杂质进行有效去除,得到的三氯化硼纯度达到99.999%,满足5N标准。
  • 电子氯化制备方法及其获得

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