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- [发明专利]有机半导体器件的空穴导电层及其应用和有机电子器件-CN201610206776.8有效
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大卫·哈特曼;扎比内·希什科夫斯基;安德烈亚斯·卡尼茨;安娜·马尔滕贝格尔;维布克·萨尔费特;冈特·施密德;扬·豪克·韦姆肯
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欧司朗OLED股份有限公司
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2011-03-31
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2019-05-14
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H01L51/00
- 本发明涉及有机电子器件的空穴导电层及其应用和有机光电子器件。用于有机电子器件的空穴导电层包含单核二次平面过渡金属络合物掺杂材料被引入到空穴导电基体中,其中所述二次平面过渡金属络合物包含中心原子和配位体,并且所述配位体选自乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮、6,6,7,7,8,8,8‑七氟‑2,2‑二甲基‑3,5‑辛二酮酸和2,2,6,6,‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸。
- 有机半导体器件空穴导电及其应用电子器件
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