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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]表面发射半导体激光器及感测模块-CN201880037967.3有效
发明人：中田英彦;古嵨裕司;增井勇志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该表面发射半导体激光器设置有：第一发射区域，输出第一光；和第二发射区域，被设置成与第一发射区域分开、并且具有相移部，所述第二发射区域输出第二光。第一光的远场图与第二光的远场图彼此不同。
表面发射半导体激光器模块

[发明专利]激光二极管-CN201110082192.1无效
发明人： 增井勇志;荒木田孝博;菊地加代子;成瀬晃和;近藤幸一;城岸直辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明提供一种激光二极管。该激光二极管能够使台的直径设定为很小，而不使用损失装置可靠性且不易控制的方法。该激光二极管包括：柱形台，依次包括第一多层膜反射镜、有源层和第二多层膜反射镜，包括在面中间具有未氧化区域的氧化物限制层，并且柱形台在面方向上的截面形状不同于未氧化区域在面方向上的截面形状；以及多个金属电极，形成在台的顶面的没有面对未氧化区域的区域中。
激光二极管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110069915.4有效
发明人： 增井勇志;荒木田孝博;山内义则;菊地加代子;幸田伦太郎;山口典彦;大木智之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]激光器二极管-CN201010275095.X有效
发明人： 增井勇志;幸田伦太郎;大木智之;荒木田孝博;城岸直辉;山内义则 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供能够防止电流窄化层剥离的激光器二极管。该激光器二极管包括台部，该台部依次具有第一多层膜反射器、有源层和第二多层膜反射器，并且该台部具有使注入到有源层的电流变窄的电流窄化层和与电流窄化层相邻的缓冲层。电流窄化层通过氧化包含Al的第一被氧化层而形成。缓冲层通过氧化第二被氧化层而形成，第二被氧化层的材料和厚度选择为使得其氧化速率大于第一多层膜反射器和第二多层膜反射器的氧化速率，而小于第一被氧化层的氧化速率。缓冲层的厚度为10nm以上。
激光器二极管

[发明专利]光学装置及其制造方法-CN201010256067.3无效
发明人：成瀬晃和;荒木田孝博;中田英彦;增井勇志;城岸直辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及光学装置及其制造方法。所述光学装置包括：壳体；光学元件；基座结构，支承光学元件，并与壳体相对，以在基座结构的外壁部与壳体的内壁部之间形成间隙部；位于间隙部内将壳体固定至基座结构的树脂；和位于壳体中的光调节部。所述光调节部使光透射至间隙部内的树脂。
光学装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010232841.7无效
发明人： 增井勇志;荒木田孝博;城岸直辉;幸田伦太郎;近藤幸一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，具有上面、下面和侧面；光学功能单元形成在上面上；多个电极焊垫，形成在下面上；以及配线，至少形成在侧面上，并且电连接光学功能单元和多个电极焊垫中的至少一个。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]激光二极管-CN201010223179.9无效
发明人： 增井勇志;前田修;幸田伦太郎;荒木田孝博;城岸直辉;近藤幸一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种激光二极管，包括：以如下顺序的第一多层膜反射镜、有源层及第二多层膜反射镜；以及第一氧化窄化层和第二氧化窄化层。与第二氧化窄化层相比，第一氧化窄化层靠近有源层形成，所述第一氧化窄化层包括平面内中间区的第一未氧化区，并且包括第一未氧化区外围的第一氧化区。第二氧化窄化层包括在面向第一未氧化区的区域中的直径小于所述第一未氧化区的第二未氧化区，包括在不面向第一未氧化区的区域中的第三未氧化区，并且包括在第二未氧化区和第三未氧化区外围的第二氧化区。
激光二极管

[发明专利]半导体装置-CN201010106244.X有效
发明人： 增井勇志;荒木田孝博;菊地加代子;成瀬晃和;大木智之;城岸直辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，该半导体装置实现了在低介电常数材料和半导体材料之间改善的粘合性。该半导体装置包括在半导体层上从该半导体层侧依次设置的粘合层和低介电常数材料层。该粘合层具有凸起/凹入结构，并且该低介电常数材料层形成来掩埋在该凸起/凹入结构中的间隙。
半导体装置

[发明专利]半导体激光器及其制造方法-CN201010130111.6有效
发明人：前田修;增井勇志;汐先政贵;佐藤进;荒木田孝博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：一种半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器可将激光的偏振方向稳定在一个方向上。该半导体激光器包括层叠结构，该层叠结构包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜，其中，层叠结构包括柱形台面部，该柱形台面部包含下多层反射镜的上部、有源层和上多层反射镜，且下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层，该多个氧化层在除了一个或多个低折射率层的中心区域之外的区域中非均匀地分布在围绕台面部的中心轴旋转的方向上。
半导体激光器及其制造方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制造方法-CN201010107943.6无效
发明人： 增井勇志;荒木田孝博;成瀬晃和;幸田伦太郎;城岸直辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-02-01 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法，该垂直腔面发射激光器能够减小寄生电容同时抑制功耗。该垂直腔面发射激光器包括柱形台面，柱形台面在衬底上从衬底侧依次包括第一多层反射器、有源层、第二多层反射器，还包括电流窄化层。台面的包括有源层和电流窄化层的柱形部分形成在与第一多层反射器相对的区域和与第二多层反射器相对的区域内，且该柱形部分的截面面小于第二多层反射器的截面面积。
垂直发射激光器及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201010107955.9无效
发明人： 增井勇志;幸田伦太郎;前田修;荒木田孝博;成瀬晃和;城岸直辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-02-01 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件。该半导体发光器件包括：半导体发光元件，依次包括第一多层反射器、具有发光区域的有源层以及第二多层反射器；半导体光检测元件，与半导体发光元件的第一多层反射器相对地设置并包括光吸收层，该光吸收层构造为吸收从发光区域发射的光；透明的衬底，设置在半导体发光元件与半导体光检测元件之间；第一金属层，具有在包括与发光区域相对的区域的区域中的第一开口，并将半导体发光元件与衬底结合；以及第二金属层，具有在包括与发光区域相对的区域的区域中的第二开口，并将半导体光检测元件与衬底结合。
半导体发光器件

[发明专利]半导体发光装置-CN201010103881.1无效
发明人：城岸直辉;增井勇志;幸田伦太郎;荒木田孝博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明提供半导体发光装置，其包括：半导体发光元件，依次包括第一多层反射器、具有发光区域的有源层和第二多层反射器；半导体光检测元件，相对于半导体发光元件设置于第一多层反射器侧，并且包括构造为吸收从发光区域发射的光的光吸收层；以及绝缘氧化层，设置在半导体发光元件和半导体光检测元件之间。
半导体发光装置

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN200910166719.1有效
发明人：前田修;增井勇志;汐先政贵;荒木田孝博;河角孝行 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供垂直腔面发射激光器，从基板侧依次包括：第一多层膜反射器；有源层，具有发光区域；第二多层膜反射器；以及反射率调整层。第一多层膜反射器和第二多层膜反射器具有层叠结构，其中振荡波长λ_x的反射率几乎为常数而不依赖于温度变化。有源层由在温度高于常温时获得最大增益的材料制作。反射率调整层具有层叠结构，其中发光区域的中心区域的相对区域的反射率R_x与发光区域的外边缘区域的相对区域的反射率R_y之差ΔR(＝R_x-R_y)随着温度从常温增加到高温而增加。
垂直发射激光器

[发明专利]发光元件及其制造方法以及发光元件组件及其制造方法-CN200810004649.5无效
发明人： 增井勇志;荒木田孝博;幸田伦太郎;大木智之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-01-21 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光元件、发光元件的制造方法、发光元件组件和发光元件组件的制造方法。制造发光元件的方法包括如下步骤：(A)在衬底上依次形成具有第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层，(B)至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中在厚度方向上形成多个点状孔部分，以及(C)通过将部分第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在第二化合物半导体层中制备由绝缘区域围绕的电流限制区域。
发光元件及其制造方法以及组件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710182107.2在审
发明人： 增井勇志;荒木田孝博;山内义则;菊地加代子;幸田伦太郎;山口典彦;大木智之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。
半导体器件及其制造方法

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