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[发明专利]半导体衬底及制造方法-CN201280031597.5在审
发明人： B·博蒙;J-P·福里 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种用于形成衬底的方法包括在衬底上形成包括III-V族材料的基层，冷却基层并且在该基层中诱发裂缝、以及在冷却后在基层上形成包括III-V材料的体积层。
半导体衬底制造方法

[发明专利]稀土卤化物块的制备方法-CN201210564586.5在审
发明人： A.伊尔蒂斯 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及稀土卤化物块的制备方法，具体是涉及一种式AeLnfX(3f+e)多晶卤化物块的制备方法，其中Ln代表一种或多种稀土；X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子；A代表一种或多种碱金属，例如K、Li、Na、Rb或Cs；e可以是零，不大于3f，f不小于1，水和卤氧化物含量低，所述的方法包括下述步骤：加热至少一种含有至少一种Ln-X键的化合物与足够量的NH4X的混合物的步骤，以达到所需要的卤氧化物含量，所述的步骤得到一种含有稀土卤化物的熔块，所述的加热步骤后接一个冷却步骤，在达到300℃之后而得到熔融块之前，加热步骤不降到200℃以下。如此得到的块能生长具有显著闪烁性能的非常纯的单晶。
稀土卤化物制备方法

[发明专利]织构化单晶-CN201110207976.2有效
发明人： F·利纳尔;G·勒康;F-J·弗默施 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及织构化单晶的制造方法，包括在单晶表面上沉积金属触点，接着在所述触点上和在触点之间的单晶上沉积保护层，接着用侵蚀该金属比侵蚀该保护层更迅速的第一化合物进行表面侵蚀，接着用侵蚀该单晶比侵蚀该保护层更迅速的第二化合物进行表面侵蚀，接着用侵蚀该保护层比侵蚀该单晶更迅速的第三化合物进行表面侵蚀。织构化基材可以用于在LED、电子部件、太阳能电池等制造范围中的GaN、AIN、Ⅲ-N化合物(即，其正离子带有3个正电荷的金属氮化物)的外延生长。
织构化单晶

[发明专利]低缺陷密度的独立式氮化镓基底的制造以及由其制造的器件-CN200880132273.4有效
发明人： B·贝奥姆特;J-P·法利尔 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法，用于通过外延生长来在包含一个生长面(105)的一个支持物(100)上制造氮化物单晶，该方法包括以下步骤：在该支持物(100)上形成一个牺牲性床(101)，在所述牺牲性床上形成多个柱(102)，所述这些柱是由一种与GaN外延生长相容的材料制成的，在以下生长条件下在这些柱上生长一个氮化物晶体层(103)，这些生长条件使得该氮化物晶体层不会向下延伸至这些柱之间形成的多个洞(107)内的支持物上，从该支持物上移除该氮化物晶体层。
缺陷密度立式氮化基底制造以及器件

[发明专利]电离辐射探测器-CN200880119327.3有效
发明人： J·弗拉曼克;G·高蒂尔 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：本发明涉及电离辐射探测器，包括壳体，该壳体包含经由光耦合器通过其光敏面与闪烁体材料接触的雪崩光电二极管、雪崩光电二极管的电信号的前置放大器。该探测器紧凑、便携而且非常稳健。它以在662keV下可低于3％的优异分辨率检测X或γ射线。
电离辐射探测器

[发明专利]低余辉的紧凑快速闪烁体材料-CN200580027017.5有效
发明人： B·弗兰德;B·威阿纳;L·皮多尔;P·多伦博斯 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2005-08-08 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： C09K11/77 文献下载
摘要：本发明涉及式Lu_(2－y)Y_(y－z－x)Ce_xM_zSi_(1－v)M’_vO₅的无机闪烁体材料，式中：M代表二价碱金属离子，M’代表三价金属，(z+v)大于或等于0.0001而小于或等于0.2；z大于或等于0而小于或等于0.2；v大于或等于0而小于或等于0.2；x大于或等于0.0001并小于0.1；和y是(x+z)至1。特别地，这种材料可以装备这些闪烁探测器应用于工业、医疗领域(扫描仪)和/或石油钻探探测中。晶体中存在的Ca减少了余辉，同时保持高能辐射的高阻止本领。
余辉紧凑快速闪烁材料

[发明专利]具有低核背景噪音的稀土基闪烁剂材料-CN200580011302.8有效
发明人： A·伊尔蒂斯 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2005-04-12 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明涉及通式为A_nLn_pX_(3p+n)的无机闪烁剂材料，其中Ln表示一种或几种稀土元素，X表示一种或几种选自F、Cl、Br或I的卤素原子，而A表示一种或几种碱金属，比如K、Li、Na、Rb或Cs，n和p表示化合价，比如n可以是0，小于或等于2p，p大于或等于1，其中铀系和钍系的含量要足够小，使得来自这些元素的α射线的活性小于0.7Bq/cc。该材料具有很小的核背景噪音，特别适合于作为测量厚度或克数，或者在核医学、物理学、化学、石油勘探领域中，在检查危险品或违禁品中作为闪烁剂使用。
具有背景噪音稀土闪烁材料

[发明专利]单晶及其应用-CN200610121646.0有效
发明人： V·塔塔特岑科 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2001-11-07 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种组成为Z(H，D)₂MO₄的四方单晶(1，11)，其中Z是一种元素或元素组，或元素混合物和/或元素组混合物，它选自K，N(H，D)₄，Rb，Ce组；M是选自P，As的元素；(H，D)是氢和/或氘，它包括大尺寸的近似平行六面体的区域，特别是每个面的边长AC1，AC2，AC3大于或等于200mm，优选大于或等于500mm，它由近似平行六面体籽晶(2，22)在溶液中生长而得到，其中籽晶的面的边长是AG1，AG2，AG3。本发明的特征在于，至少一个籽晶的边长AG1大于或等于十分之一的单晶的边长，优选为四分之一，以及籽晶的至少另一边长AG3小于或等于最长的籽晶边长五分之一，优选为十分之一。本发明同样涉及一种可以得到这种四方单晶的方法。这种晶体特别感兴趣的是制造光学元件，尤其是应用于激光器的光学元件。
及其应用

[发明专利]稀土卤化物块的制备方法-CN200380104320.1有效
发明人： A·伊尔蒂斯 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种式A_eLn_fX_(3f+e)多晶卤化物块的制备方法，其中Ln代表一种或多种稀土；X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子；A代表一种或多种碱金属，例如K、Li、Na、Rb或Cs；e可以是零，不大于3f，f不小于1，水和卤氧化物含量低，所述的方法包括下述步骤：加热至少一种含有至少一种Ln－X键的化合物与足够量的NH₄X的混合物的步骤，以达到所需要的卤氧化物含量，所述的步骤得到一种含有稀土卤化物的熔块，所述的加热步骤后接一个冷却步骤，在达到300℃之后而得到熔融块之前，加热步骤不降到200℃以下。如此得到的块能生长具有显著闪烁性能的非常纯的单晶。
稀土卤化物制备方法

[发明专利]用含碳坩埚处理氯化稀土或溴化稀土或碘化稀土的方法-CN03813659.7有效
发明人： A·伊尔蒂斯;V·欧斯彭斯基 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2003-06-11 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及含有稀土卤化物的组合物的处理方法，特别是在使用所述组合物生长晶体的范围内的处理方法，所述晶体一般具有式A_eLn_fX_(3f+e)，其中式中Ln代表一种或多种稀土，X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子，而A代表一种或多种碱金属，例如K、Li、Na、Rb或Cs，e和f代表如下的值：e可以是零，小于或等于2f；f是大于或等于1。本发明这样可以实施具有显著闪烁性能单晶的生长。
用含碳坩埚处理氯化稀土碘化方法

[发明专利]单晶,溶液中生长单晶的制造方法和应用-CN01818638.6有效
发明人： V·塔塔特岑科 -专利权人： 圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2001-11-07 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种组成为Z(H，D)₂MO₄的四方单晶(1，11)，其中Z是一种元素或元素组，或元素混合物和/或元素组混合物，它选自K，N(H，D)₄，Rb，Ce组；M是选自P，As的元素；(H，D)是氢和/或氘，它包括大尺寸的近似平行六面体的区域，特别是每个面的边长AC1，AC2，AC3大于或等于200mm，优选大于或等于500mm，它由近似平行六面体籽晶(2，22)在溶液中生长而得到，其中籽晶的面的边长是AG1，AG2，AG3。本发明的特征在于，至少一个籽晶的边长AG1大于或等于十分之一的单晶的边长，优选为四分之一，以及籽晶的至少另一边长AG3小于或等于最长的籽晶边长五分之一，优选为十分之一。本发明同样涉及一种可以得到这种四方单晶的方法。这种晶体特别感兴趣的是制造光学元件，尤其是应用于激光器的光学元件。
溶液生长制造方法应用

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