专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果17个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种自对准沟槽栅结构IGBT-CN202310353311.5在审
  • 胡强;唐茂森;马克强;王思亮;蒋兴莉 - 成都森未科技有限公司
  • 2021-11-25 - 2023-09-15 - H01L29/739
  • 本发明涉及一种自对准沟槽栅结构IGBT,至少包括衬底(100),所述衬底正面上方设置有第二导电类型层a(101),所述衬底上部设置有至少一根沟槽,所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型层a(101),所述沟槽内设置有第一绝缘介质层(302),所述第一绝缘介质层(302)内设置有第一导电层(201),所述第一绝缘介质层(302)顶部设置有宽度大于第一绝缘介质层(302)的第二绝缘介质层(303),所述第二绝缘介质层(303)被刻蚀形成侧墙,所述第二绝缘介质层(303)在工艺过程成中起到掩膜的作用。本发明通过第一绝缘介质层、第二绝缘介质层和第三绝缘介质层的材料属性和功能属性不同的特点,无需光刻制备出高密度的元胞结构,突破光刻限制。
  • 一种对准沟槽结构igbt
  • [发明专利]一种自对准沟槽栅结构IGBT的制备方法-CN202111408257.7有效
  • 胡强;唐茂森;马克强;王思亮;蒋兴莉 - 成都森未科技有限公司
  • 2021-11-25 - 2023-03-24 - H01L21/331
  • 本申请涉及半导体制造领域,特别是一种自对准沟槽栅结构IGBT的制备方法,包括如下步骤:在衬底上形成第二导电类型层a和第一导电类型层,然后再沉积第一硬质掩膜层;刻蚀第一硬质掩膜层;刻蚀衬底,形成深沟槽,热生长形成第一绝缘介质层;沉积和刻蚀第一导电层;沉积和刻蚀第三绝缘介质层至与硬膜平齐;去除第一硬质掩膜层;沉积和刻蚀第二绝缘介质层形成侧墙;刻蚀发射电极金属接触孔;本申请在沟槽栅填充后,进行反填充盖帽处理,通过自对准侧墙工艺和硬质掩膜工艺实现高精度电极接触孔的制备。提出连续的自对准工艺方法,通过三个绝缘介质层的材料属性和功能属性不同,无需光刻制备出高密度的元胞结构,突破光刻限制。
  • 一种对准沟槽结构igbt制备方法
  • [发明专利]一种SiC场限环终端结构参数确定方法-CN202010601765.6有效
  • 张晨;唐茂森;沈俊;邵中柱;沙金;葛兴来 - 西南交通大学
  • 2020-06-29 - 2022-11-15 - G06F30/20
  • 本发明公开了一种SiC场限环终端结构参数确定方法,包括S1、计算JBS场限环结构仿真时的基本参数S、K和W;S2、以S和k为自变量,得到44组(S、k)条件下与特征峰值电场强度点(x,y)对应的原始仿真数据;S3、从44组原始仿真数据中随机挑选4组作为验证数据,40组数据作为训练数据;S4、将40组训练数据进行多项式拟合,得到反映位置x与电场强度峰值y函数关系的多项式;S5、在MATLAB中采用多元线性回归的方法分别带入40组因变量(a4、a3、a2、a1、a0)和40组自变量(S、k),分别得到多项式系数与自变量(S、k)的函数关系式;S6、输入一组(S、k),得到模型y=f(x);S7、验证模型的有效性和精确性。
  • 一种sic场限环终端结构参数确定方法
  • [发明专利]一种基于神经网络的SiC MOSFET阻断电压确定方法-CN202011617791.4有效
  • 沈俊;唐茂森;周宗耀;饶伟;葛兴来;沙金 - 西南交通大学
  • 2020-12-30 - 2022-11-01 - G06F30/27
  • 本发明公开了一种基于神经网络的SiC MOSFET阻断电压确定方法,通过设计电压固定的场限环,根据相关的经验公式,并利用仿真软件进行仿真,得到场限环的仿真数据,仿真数据包括结构参数、取值范围以及场限环的实际阻断电压,将仿真数据作为自变量,阻断电压作为因变量,分别带入BP神经网络和RBF神经网络中进行诊断,并对二者的诊断误差进行对比,最终得出一种诊断精度最高的神经网络模型,使用诊断精度最高的神经网络模型对需要确定阻断电压的场限环进行预测,得到预测的阻断电压,解决了在无需仿真的前提下,根据相关参数提前预测器件阻断电压的问题;诊断精度高,可以为仿真设计者确定器件相关结构参数提供了非常好的参考,节约了大量的时间。
  • 一种基于神经网络sicmosfet阻断电压确定方法
  • [发明专利]一种PVDF管道接头焊接装置及方法-CN202111592518.5在审
  • 崔鹏飞;关胜利;黎朗毅;吴安兵;唐茂森 - 广州高澜节能技术股份有限公司
  • 2021-12-23 - 2022-05-10 - B29C65/40
  • 一种PVDF管道接头焊接装置,其包括:加热板、工作台以及控制系统,加热板用于分别将PVDF管道以及接头加热到预定温度;PVDF管道的侧面与接头进行焊接,PVDF管道的两端通过夹具进行固定;加热板为独立的装置,通过手动来操控移动;工作台包括夹紧工装以及电缸;夹紧工装的其中一端夹持有接头;夹紧工装的另一端与电缸连接;电缸连接到控制系统,且由控制系统进行操控移动。本发明的一种PVDF管道接头焊接装置及方法解决了现有PVDF管道焊接采用手动焊接的现状,使用半自动化焊接,解决了焊接挤压力和保压冷却时间这两个重要焊接参数无量化控制的问题,提高PVDF管道接头焊接质量,降低工作人员的劳动强度。
  • 一种pvdf管道接头焊接装置方法
  • [实用新型]一种自对准沟槽栅结构IGBT-CN202122903860.4有效
  • 胡强;唐茂森;马克强;王思亮;蒋兴莉 - 成都森未科技有限公司
  • 2021-11-25 - 2022-05-06 - H01L29/739
  • 本申请涉及半导体制造领域,特别是自对准沟槽栅结构IGBT,包括衬底,所述衬底正面上方设置有第二导电类型层a,衬底上部设置有多根沟槽,且所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型层a,沟槽内设置有第一绝缘介质层,第一绝缘介质层内设置有第一导电层,且第一导电层与第一绝缘介质层顶部齐平,第一绝缘介质层顶部设置有宽度大于第一绝缘介质层的第二绝缘介质层,第二绝缘介质层的中部设置有第三绝缘介质层,且第三绝缘介质层的宽度与第一导电层的宽度相同。本申请在沟槽栅填充后,进行反填充盖帽处理,金属电极接触孔的宽度可以根据自对准氧化层厚度灵活调整,保证结构设计的自由度。
  • 一种对准沟槽结构igbt
  • [实用新型]一种风电用冷却液回收再利用系统-CN202121547416.7有效
  • 关胜利;崔鹏飞;吴安兵;罗汉华;唐茂森;李剑芳;黎朗毅 - 广州高澜节能技术股份有限公司
  • 2021-07-08 - 2022-01-14 - C02F9/10
  • 本实用新型提供一种风电用冷却液回收再利用系统,包括原液箱、前处理组件、一级纳滤膜装置、中间水箱、二级纳滤膜装置、离子交换器、产液箱,原液箱与前处理组件连通,前处理组件通过一级高压泵与一级纳滤膜装置连接,一级纳滤膜装置通过管道分别与中间水箱、废液箱、产液箱连接;中间水箱分别与二级纳滤膜装置、离子交换器连接,二级纳滤膜装置、离子交换器还通过相应的管道与产液箱连接。本实用新型采用纳滤膜对风电用乙二醇/丙二醇冷却液进行净化;采用一级纳滤膜循环浓缩和二级纳滤膜的处理工艺对产水水质进行进一步净化处理,同时搭配离子交换树脂,可在纳滤膜失效时切换至离子交换树脂,提高产液的回收率,同时大大提升了系统的可靠性。
  • 一种风电用冷却液回收再利用系统
  • [发明专利]一种风电用冷却液回收再利用系统-CN202110772753.4在审
  • 关胜利;崔鹏飞;吴安兵;罗汉华;唐茂森;李剑芳;黎朗毅 - 广州高澜节能技术股份有限公司
  • 2021-07-08 - 2021-10-01 - C02F9/10
  • 本发明提供一种风电用冷却液回收再利用系统,包括原液箱、前处理组件、一级纳滤膜装置、中间水箱、二级纳滤膜装置、离子交换器、产液箱,原液箱与前处理组件连通,前处理组件通过一级高压泵与一级纳滤膜装置连接,一级纳滤膜装置通过管道分别与中间水箱、废液箱、产液箱连接;中间水箱分别与二级纳滤膜装置、离子交换器连接,二级纳滤膜装置、离子交换器还通过相应的管道与产液箱连接。本发明采用纳滤膜对风电用乙二醇/丙二醇冷却液进行净化;采用一级纳滤膜循环浓缩和二级纳滤膜的处理工艺对产水水质进行进一步净化处理,同时搭配离子交换树脂,可在纳滤膜失效时切换至离子交换树脂,提高产液的回收率,同时大大提升了系统的可靠性。
  • 一种风电用冷却液回收再利用系统
  • [发明专利]一种实现有序抛秧的智能弹射式抛秧机及其控制方法-CN201711422317.4有效
  • 梁新成;黄世佩;陈泳吉;宫铭钱;唐茂森 - 西南大学
  • 2017-12-25 - 2021-03-16 - A01C11/00
  • 一种实现有序抛秧的智能弹射式抛秧机及其控制方法,包括落料机构、传输机构、弹射机构和驱动机构;落料机构包括落料桶、落料开关挡板、开关挡板导轨、开关挡板驱动机构等;传输机构包括传输带、C型挡板、传输带驱动机构等;弹射机构包括弹射托板、弹射导轨、电磁铁及弹射导轨角度调节驱动机构。该弹射式抛秧机可以实现落料、传输、弹射联合控制,调节秧苗弹射频率和落料时间间隔,控制传输速度、弹射频率与落料速度相匹配,秧苗在传输过程中有序排列,在弹射时保证有序弹出,实现有序抛秧;弹射导轨角度可调,电磁铁弹射初速度可调,即可控制弹射距离,实现在田边进行弹射抛秧作业。
  • 一种实现有序智能弹射式抛秧机及其控制方法
  • [发明专利]一种牛多杀性巴氏杆菌病灭活疫苗及其制备方法-CN202011175864.9在审
  • 王崇俊;刘昕;唐茂森;黎国华;唐杰;杨梅 - 重庆澳龙生物制品有限公司
  • 2020-10-28 - 2021-01-01 - A61K39/102
  • 本发明公开了牛多杀性巴氏杆菌病灭活疫苗及其制备方法,属于兽用生物制品技术领域。其包括抗原和佐剂,抗原为牛多杀性巴氏杆菌荚膜B型C45‑2株和C47‑2株。其制备方法为:将菌种接种培养,摇培后将培养物划线于琼脂平板上培养,挑选菌落,接种于鲜血斜面,培养得一级种子,接种于培养基中,摇培得二级种子;将二级种子混合,接种培养得发酵菌液,培养过程经过优化,成倍提高了抗原量。离心除去内毒素将菌泥转入生理盐水中,加入甲醛,灭活,加入氢氧化铝胶,硫柳汞和苯酚,充分震荡后分装。本发明的牛多杀性巴氏杆菌病灭活疫苗免疫犊牛的剂量为2~3mL,小于现有的注射剂量,且副作用大大降低,在牛多杀性巴氏杆菌病灭活疫苗,甚至所有细菌培养工艺领域具有推广应用价值。
  • 种牛多杀性巴氏杆菌病灭活疫苗及其制备方法
  • [发明专利]一种基于接触网支柱杆号图像识别的列车定位方法-CN202010917478.6在审
  • 唐茂森;周荣斌;柯倩霞;刘哲嬗姮;詹涛宁;何圣仲 - 西南交通大学
  • 2020-09-03 - 2020-12-01 - B61L25/02
  • 本发明公开了一种基于接触网支柱杆号图像识别的列车定位方法,S1、利用接触网悬挂状态检测装置实时获取接触网设备的高清视频;S2、提取巡检视频中的关键帧,获取包含完整沿途所有接触网支柱的高清图像;S3、对高清图像进行预处理,确定接触网支柱区域;S4、采用HOG特征描述法和SVM分类对图像中接触网支柱的杆号的矩形区域进行定位,并将进行灰度变换后的图像进行二值化处理;S5、基于水平投影法对二值化后的支柱杆号矩形区域进行切割,将字符分割开;S6、对字符素材归一化,并对原始图像进行缩放;S7、采用LeNet‑5卷积神经网络对字符直接进行图像识别;S8、将获取的支柱杆号与基础台账库进行比对,得到对应支柱杆号的定位信息。
  • 一种基于接触支柱图像识别列车定位方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top