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[发明专利]雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法-CN202310114825.5在审
发明人：杨晓红;刘一君;王睿;唐永升 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01R29/26 文献下载
摘要：本公开提供了一种雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法。该雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统包括：载物装置、光源、频谱仪、偏置器、源压表以及高频探针；载物装置用于放置待测器件，待测器件包括雪崩光电探测器芯片；光源用于向雪崩光电探测器芯片输出稳恒光以进行噪声测试；以及雪崩光电探测器芯片与偏置器相连，偏置器基于直流通路连接源压表，偏置器通过高频探针基于交流通路连接频谱仪，以形成噪声测试链路。
雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统测量方法

[发明专利]一种雪崩光电探测器-CN202210131463.6有效
发明人：杨晓红;王睿;何婷婷;唐永升;刘一君 -专利权人：中国科学院半导体研究所;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开提供了一种雪崩光电探测器，包括：衬底；第一绝缘层，形成于所述衬底上；Si器件区，形成于所述绝缘层上，其中，所述Si器件区包括呈水平排列的N型电极接触区、N型高掺区、本征倍增区、P型电荷区、本征吸收区、N型电荷区、P型高掺区以及P型电极接触区；Ge吸收层，形成于P型电荷区、本征吸收区、N型电荷区和P型高掺区的上方。其通过采用具有N型电荷区的CSACM结构，较常规SACM结构，新引入的N型电荷区可以和P型电荷区同时调控上层Ge吸收层的电场，使得探测器在穿通时Ge吸收层内尽可能多地被电场覆盖，同时控制电场的大小，使其既可使得载流子达到饱和漂移速度而提高探测器带宽，又不会产生明显的隧穿电流从而降低探测器暗电流。
一种雪崩光电探测器