专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]倒金字塔辅助制绒添加剂及其应用-CN201910606127.0有效
  • 吴俊桃;刘尧平;陈伟;赵燕;陈全胜;唐旱波;王燕;杜小龙 - 松山湖材料实验室
  • 2019-07-05 - 2022-08-05 - C30B33/10
  • 本发明公开了一种倒金字塔辅助制绒添加剂及其应用,其中倒金字塔辅助制绒添加剂的主要成分为银离子、柠檬酸钠、氟硅酸、乙二胺四乙酸,余量为水。本发明提供的一种倒金字塔制绒液,其含有酸性制绒液和上述倒金字塔辅助制绒添加剂。本发明提供的一种硅片制绒方法,其利用上述倒金字塔制绒液对硅片进行表面制绒得到倒金字塔绒面结构。在制绒液中添加本发明的倒金字塔辅助制绒添加剂,可加快反应,增加起绒点,有效消除金刚线切割线痕对倒金字塔制绒的影响,得到更加均匀、密集的倒金字塔绒面结构,进而降低反射率,提高电池效率,利于广泛推广应用。
  • 金字塔辅助添加剂及其应用
  • [发明专利]金字塔快速制绒液及其制绒方法和硅片制品-CN201910804426.5有效
  • 吴俊桃;刘尧平;陈伟;赵燕;陈全胜;唐旱波;王燕;杜小龙 - 松山湖材料实验室
  • 2019-08-28 - 2022-07-15 - C30B33/10
  • 本发明公开了一种金字塔快速制绒液及其制绒方法和硅片制品,所述金字塔快速制绒液主要成分包括有银离子源、铜离子源、氟离子源、氧化剂和去离子水。采用上述金字塔快速制绒液可以在室温条件下快速地对硅片表面制绒,可以在极短时间内在硅片表面上形成独立、完整、均匀且紧密排布的正金字塔绒面结构,结构尺寸为0.5μm~2μm,其表面反射率在8%~20%之间,与现有产线金字塔结构相比尺寸小,塔尖圆滑,且分布更加均匀,非常有利于背抛及钝化,特别适合现有的PERC、HIT、IBC等高效电池结构。本发明提供的金字塔制绒方法整体反应时间控制在5min以内,可以极大地降低时间成本和设备成本,利于广泛推广应用。
  • 金字塔快速制绒液及其方法硅片制品
  • [发明专利]膜厚测量方法及测量装置-CN202011542102.8在审
  • 邓罗泉;唐旱波;刘尧平;肖川;陈全胜;陈伟;杜小龙 - 松山湖材料实验室
  • 2020-12-22 - 2022-06-24 - G01B11/06
  • 一种膜厚测量方法及测量装置,属于光学领域。膜厚测量方法包括以下步骤:采用波长为300‑1000nm光照射膜,接收来自膜的反射光并获得对应的二维图像;使用预先建立的数学模型计算并获得构成二维图像的至少部分像素的厚度值,以厚度值的平均值表征膜厚;数学模型包括:像素的灰度值与厚度值的函数关系;或,构成像素的RGB、HSV和LAB参数与厚度值的函数关系。过上述设置,操作方便且使用方便,检测速度快且测试面积大,重复性误差小,不容易产生较大的测量误差。
  • 测量方法测量装置
  • [实用新型]膜厚测量装置-CN202023137792.7有效
  • 邓罗泉;唐旱波;刘尧平;肖川;陈全胜;陈伟;杜小龙 - 松山湖材料实验室
  • 2020-12-22 - 2021-07-27 - G01B11/06
  • 一种膜厚测量装置,属于光学领域。膜厚测量装置包括检测核心结构以及控制系统;检测核心结构包括:罩体、光源和相机,罩体具有第一容纳腔,第一容纳腔内具有用于容置膜的容置部;光源设置于第一容纳腔内,光源用于产生能够照射于容置部的光,相机具有能够转动的镜头,镜头位于来自膜的反射光的光路上以接收反射光并获得对应的二维图像;控制系统用于根据数学模型计算并获得构成二维图像的像素对应的厚度值以及膜厚。过上述设置,操作方便且使用方便,检测速度快且测试面积大,重复性误差小,不容易产生较大的测量误差。
  • 测量装置
  • [发明专利]基于滤波阵列的硅片反射率检测方法-CN201910637592.0在审
  • 唐旱波;陈全胜;刘尧平;赵燕;吴俊桃;王燕;杜小龙 - 松山湖材料实验室
  • 2019-07-15 - 2021-02-02 - G01N21/55
  • 本发明公开了一种基于滤波阵列的硅片反射率检测方法,其包括以下步骤:将需检测的硅片放入密闭的箱体内;光源采用漫反射的方式对箱体内的硅片进行打光;采用相机对箱体内的硅片进行拍照获得图片,所述相机包括滤波阵列和感光元件,通过合理制定滤波阵列,用灰度来表征反射率,在一次测量中就可以得到多个波段的反射率信息,免去了光源切换不同波段的繁琐;利用感光元件的原理,用灰度值来表征样品反射的光子数,可以快速得到硅片各个局部区域的反射率信息,符合生产线上快速高效测量反射率的要求;同时,所需硬件配置简单,工作可靠性高,无需光源波段切换的控制系统和模拟太阳光谱的光源,成本较低,易于广泛推广应用。
  • 基于滤波阵列硅片反射率检测方法
  • [实用新型]硅片反射率测量装置-CN201921394002.8有效
  • 陈全胜;唐旱波;刘尧平;王燕;杜小龙 - 松山湖材料实验室
  • 2019-08-26 - 2020-08-04 - G01N21/55
  • 本实用新型公开了一种硅片反射率测量装置,其包括样品台、光源模块、光学镜头模块、数据采集模块和数据分析运算模块,样品台用于放置待测硅片样品;光源模块用于为放置在样品台上的硅片样品提供均匀的具有特定光谱的光源,光学镜头模块用于将经过硅片样品反射的光进行汇聚并过滤掉非反射光;数据采集模块用于将经过光学镜头模块汇聚的光信号转化为电信号,并输出结果。数据分析运算模块用于将数据采集模块的输出结果与标准样品的测试结果进行比对得出硅片样品的反射率。整体结构设计合理,省去传统分光装置,有效简化整体结构,硬件配置简单,易于实现,工作可靠性高,能精确、快速测量出硅片反射率,适用范围广,成本较低,利于广泛推广应用。
  • 硅片反射率测量装置

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