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[发明专利]一种直流电机负载在启动瞬间的控制方法-CN202010552267.7有效
发明人：陶国喜;周炳星 -专利权人：南京长亚轨道交通科技有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H02P1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种直流电机负载在启动瞬间的控制方法，包括以下步骤：MCU单片机发出导通控制信号控制电机负载导通；硬件电路检测到电流过高，硬件电路切断电机负载供电并反馈过流信号给MCU单片机；MCU单片机读取到过流信号后断开导通控制信号，短暂延时后，在电机未停止转动时MCU单片机再次发出导通控制信号控制电机负载导通；直到电流值不再大于设定的最大电流值，硬件电路不再切断电机负载供电，电机开始正常转动；本发明利用直流电机的感性负载特性进行储能，采用软硬件配合的方式，MCU单片机软件程序多次周期性的快速推动电机转动，在负载功率超出一定值时断开电机负载，短暂延时后再次控制电机负载导通，如此循环数次，直至电机负载被完全推动。
一种直流电机负载启动瞬间控制方法

[实用新型]一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路-CN202022580958.6有效
发明人：陈维忠;孟德成;周炳星 -专利权人：南京长亚轨道交通科技有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路，包括电源隔离变压模块、开关驱动单元、限流保护单元和NMOS管，电源隔离变压模块用于电压转换为开关驱动单元和限流保护单元供电，限流保护单元通过采样电阻进行电流采样，采样结果反馈给MCU模块，MCU模块根据采样结果控制NMOS管导通或截止；本实用新型电路结构简单，在为负载提供过饱和保护功能外，还可以有效实现限流保护功能，从而使基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片应用电路具有限流保护和过饱和保护双重保护功能，满足市场对中、小功率保护电路的应用需求。
一种基于隔离 mosfet igbt 驱动芯片双重保护电路

[发明专利]一种无刷电机的精准变速六步换相控制方法-CN202011585621.2在审
发明人：陶国喜;周炳星 -专利权人：南京长亚轨道交通科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H02P6/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种无刷电机的精准变速六步换相控制方法，包括如下步骤：步骤一：位置传感器采集三相无刷电机的位置信息；步骤二：主控制器读取采集到的三相无刷电机的位置信息；步骤三：主控制器基于读取到的三相无刷电机的位置信息判断电机转子是否需要进行换相；若需要进行换相，则根据电机转子转向对定子的三相进行输出切换，若不需要进行换相，则在主控制器的计时器计时时间满足后，基于读取到的实际转速信号对电机转子转速进行调控，若未达到主控制器的计时器计时时间的满足需求，则返回对电机转子是否需要换相进行判断。本发明可以有效驱动电机工作，并在电机转动过程中进行平稳调速，解决了电机在工作过程中实际速度与目标速度不符的问题。
一种电机精准变速六步换相控制方法