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[发明专利]一种(Ti, Zr, Hf, Ta, Nb)B2-CN201910180223.3有效
发明人：褚衍辉;刘达;叶贝琳;周曦亚 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种(Ti,Zr,Hf,Ta,Nb)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法，该制备方法是将TiO2粉体、ZrO2粉体、HfO2粉体、Ta2O5粉体、Nb2O5粉体和B粉均匀混合后在1650~1750℃的条件下热处理1~3h，通过TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5和Nb2O5与B发生硼热还原反应直接合成(Ti,Zr,Hf,Ta,Nb)B2高熵陶瓷粉体。本发明方法不仅合成温度低、工艺简单、效率高、生产成本低，而且合成的粉体晶粒细小、成分均匀。这些优点使得该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。
一种 ti zr hf ta nb base sub

[发明专利]一种棒状(Zr,Hf,Ta,Nb)B2-CN201910180656.9有效
发明人：褚衍辉;刘达;叶贝琳;周曦亚 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种棒状(Hf,Zr,Nb,Ta)B2高熵纳米粉体及其制备方法，该制备方法是以HfO2粉体、ZrO2粉体、Ta2O5粉体、Nb2O5粉体和B粉作为原料，以NaCl和KCl作为熔盐，将它们混合后烧结，通过原料在熔盐中发生硼热还原反应，然后洗涤去除NaCl和KCl盐以及B2O3，最终得到高纯棒状(Hf,Zr,Nb,Ta)B2高熵纳米粉体。该方法不仅原料价格低廉、合成温度低、设备要求低，而且合成的棒状(Hf,Zr,Nb,Ta)B2高熵纳米粉体晶粒尺寸小、成分均匀。此外，通过调整合成温度以及熔盐的量可以有效控制合成(Hf,Zr,Nb,Ta)B2高熵纳米棒的晶粒尺寸。
一种 zr hf ta nb base sub

[发明专利]一种Ti_xZr_1-xB₂超高温固溶体陶瓷粉体的制备方法-CN201810364420.6在审
发明人：褚衍辉;刘达;周曦亚;敬思仪;叶贝琳 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明公开了一种TixZr1‑xB2超高温固溶体陶瓷粉体的制备方法，属于超高温陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将TiO2粉体、ZrO2粉体和无定形硼粉与一定量的熔盐混合均匀后在1050℃~1150℃的条件下热处理1~3 h，通过硼与TiO2、ZrO2在熔盐环境中反应生成TixZr1‑xB2固溶体粉体，然后用热的去离子水以及无水乙醇浸润溶解熔盐及反应产生的B2O3得到纯的TixZr1‑xB2固溶体粉体。本发明方法工艺简单、生产成本低，合成的粉体成分均匀、粒径小且纯度高。此外，通过调整合成温度以及熔盐的量可以有效控制合成TixZr1‑xB2固溶体粉体的尺寸，这些优点使得该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。
粉体固溶体粉体熔盐制备固溶体陶瓷合成超高温超高温陶瓷生产成本低无定形硼粉热处理粉体制备去离子水熔盐环境无水乙醇有效控制粒径浸润溶解

[发明专利]一种TiB₂粉体的制备方法-CN201810362395.8在审
发明人：褚衍辉;刘达;周曦亚;敬思仪;叶贝琳 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiB2粉体的制备方法，属于超高温陶瓷粉体制备技术领域。该方法是将TiO2粉体和硼粉与一定量的熔盐混合均匀后，在900~1100℃的条件下反应生成TiB2粉体，且反应副产物B2O3（氧化硼）以及熔盐通过热水和无水乙醇溶解并过滤去除。本发明方法合成温度低（900~1100℃）、工艺简单、制备周期短，合成的TiB2粉体粒径小（平均粒径为50~150 nm）、纯度高，此外，通过调整合成温度以及熔盐的量可以有效控制合成TiB2粉体的尺寸，这些优点使该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。
粉体合成熔盐制备无水乙醇溶解超高温陶瓷反应副产物粉体粒径粉体制备平均粒径有效控制制备周期氧化硼硼粉去除过滤

[发明专利]一种六方片状硼化锆粉体的制备方法-CN201810370695.0在审
发明人：褚衍辉;刘达;周曦亚;敬思仪;叶贝琳 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种六方片状硼化锆粉体的制备方法，属于超高温陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将二氧化锆粉和无定形硼粉与熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在1000~1050℃的条件下热处理1~3 h，然后用热的去离子水和无水乙醇溶解熔盐以及反应副产物B2O3，得到纯的六方片状硼化锆粉体。本发明方法具有工艺简单、制备周期短、合成温度低（1000~1050℃）、产物纯度高等特点。此外，通过调整合成温度以及熔盐量可以有效控制合成硼化锆粉体的形貌和尺寸，这些优点使该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。
硼化锆粉体六方片状熔盐制备合成形貌惰性气体保护无水乙醇溶解超高温陶瓷二氧化锆粉反应副产物无定形硼粉热处理产物纯度粉体制备去离子水有效控制制备周期

[发明专利]一种二硅化钼／三氧化二铝复合材料及其制备方法-CN200410027330.6无效
发明人： 周曦亚 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2004-05-26 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硅化钼/三氧化二铝复合材料及其制备方法。本发明的复合材料由58.48wt％～97.00wt％的MoSi₂及3.00wt％～41.52wt％的）的Al₂O₃组成。本发明的制备方法包括如下步骤：1.原料的准备；2.MoSi₂/Al₂O₃复合材料的制备。本发明的方法不但能有效增强材料的强度，而且制备该材料的原材料价格低廉、制备成本低。
一种二硅化钼氧化复合材料及其制备方法

[发明专利]氧化铝基复合材料及其制备方法-CN96108389.1无效
发明人： 周曦亚;邓再德;刘登坤 -专利权人：华南理工大学
申请日： 1996-07-05 - 公布日： 2000-10-18 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明涉及Al2O3基复合材料及其制备方法。通过铝合金熔体与SiO2预制体或含增强陶瓷相的SiO2预制体在９００～１２００℃无保护气氛下反应渗透形成Al2O3/Al-Si-Mg(Zn)-Ｘ及其含增强陶瓷相的复合材料，形成复合材料的尺寸精确，形状和尺寸与预制体基本相同。在含增强陶瓷相的复合材料中，陶瓷含量最高可达９２Vol%。本发明提供的Al2O3基复合材料性能优异、工艺简单、原材料价格低廉、工艺温度低、设备简单、成本低。
氧化铝复合材料及其制备方法