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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN202111073572.9在审
发明人：陶波;王黎;温晋炀;马瑞吉;周志飙;殷栋;任刚;谢健 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括绝缘体上半导体基底、第一导电结构以及第二导电结构。绝缘体上半导体基底包括底部基底、设置在埋入式绝缘层上的埋入式绝缘层、设置在埋入式绝缘层上的半导体层以及设置在底部基底与埋入式绝缘层之间的高捕捉层。第一导电结构的至少一部分以及第二导电结构的至少一部分设置在高捕捉层中。高捕捉层的一部分设置在第一导电结构与第二导电结构之间，且第一导电结构、第二导电结构以及设置在第一导电结构与第二导电结构之间的高捕捉层为一反熔丝结构的至少一部分。
半导体结构

[实用新型]一种方便装卸的材料运送设备-CN202222061203.4有效
发明人：吴利荣;周志飙;李靖;李金环;张立涛;丁轩;刘立磊;梅耀德;王培;邢晓杰 -专利权人： 周志飙
申请日： 2022-08-07 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B62B3/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种方便装卸的材料运送设备，涉及建筑工程技术领域，包括：运送箱和支撑部；所述运送箱的后端面下部固定连接有推拉把手；运送箱的前端面呈矩形阵列状开设有四个固定插孔；运送箱的右端面居中固定连接有安装箱；运送箱内壁的左端面和运送箱内壁的右端面均居中开设有升降滑槽；运送箱内壁的左端面和运送箱内壁的右端面均对称开设有两条卸料滑槽。转动辅助转轴将辅助上料板转下通过辅助辊来辅助工作人员进行装卸同时可以转动的辅助上料板可以根据具体使用需要进行角度调节，解决了在装载货物的过程中不方便快速对存放高度不同的施工材料进行装卸的问题。
一种方便装卸材料运送设备

[发明专利]微发光二极管布局结构及其制作方法-CN202110558169.9在审
发明人： 周志飙 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构及其制作方法，其中该用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构包含多个显示单元在一透明基底排列成一单元阵列、多个微发光二极管设置在每个显示单元的边缘区域并裸露出被该边缘区域所围绕的透光区域、以及像素驱动电路设置在该些微发光二极管正下方的该边缘区域上。
发光二极管布局结构及其制作方法

[发明专利]半导体元件结构及其制造方法-CN202011545152.1在审
发明人： 周志飙 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件结构及其制造方法，其中该半导体元件结构包括电路基板。第一金属块层设置在所述电路基板上。缓冲层设置在所述第一金属会层上。吸收层设置在所述缓冲层上。第一电极层设置在所述吸收层上。多个压电材料单元设置在所述第一电极层。保护层共形地设置在所述多个压电材料单元上。第二金属块层设置在所述多个压电材料单元的上方，包括第一部件与第二部件。所述第一部件穿过所述保护层设置在所述多个压电材料单元上，当作第二电极层。所述第二部件与所述第一部件同高度，且至少电连接到所述第一电极层。
半导体元件结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201910180884.6有效
发明人： 周志飙 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含有一正面氧化层位于一背面氧化层上，一正面电子元件，位于该正面氧化层中，一背面电子元件，位于该背面氧化层中，以及一屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含一图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体模块及其制造方法-CN202010781779.0在审
发明人： 周志飙 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体模块及其制造方法。半导体模块包括基板、屏蔽结构及压电层。基板包括前侧与至少一半导体元件形成于前侧上。屏蔽结构形成于至少一半导体元件上。压电层形成于屏蔽结构上。
半导体模块及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202010344144.4在审
发明人： 周志飙 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括元件基板，包含元件结构层以及埋入介电层，其中所述埋入介电层是设置在所述元件结构层的半导体层上。金属层设置在所述埋入介电层上且被第一内层介电层环绕。所述金属层的一区域有多个开口，其中所述埋入介电层有空气间隙，所述空气间隙在所述金属层具有所述多个开口的所述区域的下方且暴露所述区域。第二内层介电层，设置在所述金属层上且由所述金属层的所述多个开口密封所述空气间隙。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]金属绝缘体金属电容器与其制造方法-CN201410621397.6有效
发明人： 周志飙;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开一种金属绝缘体金属电容器与其制造方法。制造金属绝缘体金属电容器的方法包括以下步骤：提供五层双介电质结构于基板上。五层双介电质结构包括底部金属层、第一介电层、中间金属层、第二介电层以及上部金属层依序堆叠而上。第一介电层与第二介电层具有不同厚度。
金属绝缘体电容器与其制造方法

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