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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种USB3.0 焊线式母座结构-CN201420734600.6有效
发明人： 周代兵 -专利权人：遵义市仕昌电子有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种USB3.0焊线式母座结构，包括USB金属外壳、胶芯和多个连接端子，所述胶芯固定于USB金属外壳内部，所述连接端子固定在胶芯上，所述连接端子包括多分支连接端子和独立连接端子，所述多分支连接端子的后端设有多个焊脚分支，所述独立连接端子的后端和所述多分支连接端子的多个焊脚分支至少分为两排分别固定在所述胶芯上。本实用新型的USB3.0接口在有限宽度内的多个连接端子布置方式可保证焊接稳固、避免相邻接触短路。
一种 usb3 焊线式母座结构

[实用新型]一种音频插座-CN201420734981.8有效
发明人： 周代兵 -专利权人：遵义市仕昌电子有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01R12/55 文献下载
摘要：本实用新型提供一种音频插座，包括绝缘座体、供音频插头插接的铜头和复数个音频插脚，铜头设置于所述绝缘座体的前端，其中复数个音频插脚均从绝缘座体的底面引出，且复数个音频插脚在所述绝缘座体的底面的引出端位于同一直线上。本实用新型有效减小应用音频接口的数码产品的厚度，适应现有数码产品超薄化的趋势。
一种音频插座

[实用新型]一种USB母座连接器-CN201420267846.7有效
发明人：薛亚峰;周代兵 -专利权人：仕昌电子(深圳)有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01R13/405 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种USB母座连接器，包括外壳、绝缘基座、上连接模组及下连接模组，所述绝缘基座固定在所述外壳内，所述上连接模组与下连接模组相固连并安装在所述绝缘基座上。本实用新型的端子一体成型在上、下连接模组内，组装时无需进行端子插置工序，组装更加简单方便，提高了生产效率和产品良率；绝缘基座、上连接模组及下连接模组采用分体式设计，大大简化了塑胶模具的结构，改善了制程的不稳定，利于提高塑胶成型的生产效率及产能。
一种 usb 连接器

[实用新型]汽车音频输入接口连接器-CN201320633640.7有效
发明人： 周代兵 -专利权人：仕昌电子(深圳)有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01R13/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车音频输入接口连接器，其包括塑胶主体、端子及接口，所述的接口设于所述的塑胶主体的前端，所述的端子设于塑胶主体内，所述的塑胶主体的内部设有与接口相通的插接孔；其还包括有遮光盖，所述的遮光盖套设在所述的塑胶主体上。使用时，首先，将各端子装配到塑胶主体中，然后，再将遮光盖从塑胶主体的后端，套设在塑胶主体上，装配好的新的连接器，通过遮光盖，其将塑胶主体表面的孔都挡住了，避免了从其内部漏光出来，影响使用。
汽车音频输入接口连接器

[发明专利]选区外延单片集成的波长转换器件-CN201310127562.8有效
发明人：牛斌;周代兵;王保军;边静;赵玲娟;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G02F2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种选区外延单片集成的波长转换器及其制作方法。该选区外延单片集成的波长转换器报考分布反馈DFB激光器、电吸收调制器EAM、光探测器PD和光放大器SOA四个子器件；其中，所述SOA与PD之间由一段波导连接，组成SOA-PD功能区，该SOA-PD功能区中，所述SOA用于将一定波长的入射光放大，所述PD用于将放大后的入射光转换为光电流信号；所述DFB激光器与EAM之间由一段波导连接，组成电调谐激光器EML功能区；该EML功能区中，所述EAM用于将所述电流信号转换成的电压信号调制在所述DFB激光器提供的激光上，进而实现将一定波长的入射光转成为DFB激光器波长的出射光。
选区外延单片集成波长转换器件

[发明专利]聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法-CN201010196156.3无效
发明人：王宝军;朱洪亮;赵玲娟;王圩;潘教青;梁松;边静;安心;王伟;周代兵 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-06-02 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有源层的表面；步骤4：在双沟脊型结构内及限制层的表面涂聚酰亚胺介质层，预固化；步骤5：在聚酰亚胺介质层的表面涂光刻胶，烘干；步骤6：曝光，显影去掉双沟脊型结构上的及限制层表面的聚酰亚胺介质层，固化，完成器件的制作。
聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道制作方法

[发明专利]不同折射率膜层的制备方法-CN200510086464.X无效
发明人：谭满清;周代兵 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明属于光学薄膜技术领域，本发明涉及一种实现不同折射率膜层的制备方法，制备过程中，采用高真空下双枪电子束同时蒸镀高、低折射率膜料实现，折射率在高、低两种材料之间连续可变，通过控制两种膜料的淀积速率比精确调节淀积膜层的折射率值，该方法可以制备许多自然界不存在的折射率膜层，制备方法简单可行，而且不受膜料的熔点等性能的限制。
不同折射率制备方法

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