“吴海信”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种红外非线性频率变换用硒镓钡（BGSe）晶体元件的抛光方法-CN202310598230.1在审
发明人：王振友;毛明生;吴海信 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种红外非线性频率变换用硒镓钡(BGSe)晶体元件的抛光方法，包括将所述的硒镓钡(BGSe)晶体元件依次进行晶体定向；毛坯切割；镶嵌包裹；研磨；化学抛；物理粗抛；物理精抛：采用金刚石抛光液进行高精度物理抛，颗粒度由0.5μm、0.25μm逐级降低，抛光盘转速范围为1000～1500r/min，获得超光滑通光面晶体元件。本发明的方法有效降低抛光时晶体应力，避免晶体元件抛光开裂、表面划痕等问题，提高抛光质量，实现了BGSe晶体元件通光面的超光滑抛光。
一种红外非线性频率变换用硒镓钡 bgse 晶体元件抛光方法

[发明专利]一种红外非线性材料BaGa4-CN202310598172.2在审
发明人：王振友;吴海信;毛明生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开一种红外非线性材料BaGa4Se7的单晶生长方法，包括合成坩埚准备，按化学计量比称取单质Ba，Ga和Se元素，并另外再富Se，置入合成坩埚；合成坩埚密封，将合成坩埚放入镍基高压合成炉中，合成多晶原料；生长坩埚准备，生长坩埚底部带有籽晶袋；选择特定晶向的BaGa4Se7晶块加工成籽晶，装入籽晶袋；将多晶原料，磨碎，装入生长坩埚；生长坩埚密封；生长坩埚置于生长炉中；采用坩埚下降方式进行单晶生长；冷却，放压并取出晶棒。本发明通过向生长坩埚内充入适量惰性气体，抑制BGSe化合物高温分解、组分偏离；通过向生长坩埚外部充压平衡坩埚内部蒸气高压，避免石英坩埚高压炸裂，安全制备高品质BGSe单晶。
一种红外非线性材料 baga base sub

[发明专利]一种红外非线性光学晶体材料高通量合成设备及方法-CN202211557121.7在审
发明人：倪友保;黄昌保;吴海信;胡倩倩;余学舟 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外非线性光学晶体材料高通量合成设备及方法，该设备包括基座和安装基座上的不锈钢耐压壳体，不锈钢耐压壳体具有中空的水冷腔，不锈钢耐压壳体的左右两端通过高压法兰密封，高压法兰具有充气阀；不锈钢耐压壳体的内部安装有碳化硅炉膛，碳化硅炉膛的腔体内放置有多个石英坩埚；不锈钢耐压壳体和碳化硅炉膛之间安装有用于对碳化硅炉膛进行加热的加热装置；加热装置和不锈钢耐压壳体之间安装有隔热组件；不锈钢耐压壳体上安装有压力保护装置。本发明提供的设备能够实现高纯、大剂量红外非线性晶体材料的高通量合成，显著提高生产效率。
一种红外非线性光学晶体材料通量合成设备方法

[发明专利]一种蒸气平衡生长BaGa2-CN202210878322.0在审
发明人：王振友;吴海信;毛明生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开一种蒸气平衡生长BaGa2GeSe6单晶的方法，包括以下步骤：按BaGa2GeSe6化学计量比分别称取Ba、Ga、Ge和Se单质，合成多晶原料；将所述多晶原料在研钵中磨碎并搅拌均匀，装入生长坩埚，抽真空密封。将生长坩埚放入竖式生长炉中，将高温区和梯度区温度升至930‑960℃，低温区温度升至430‑520℃；调节高温区、梯度区温度以及生长坩埚位置，使梯度区温度保持10‑20℃/cm，恒温浸泡；采用坩埚下降方式进行单晶生长；晶体生长完成后，整炉冷却。本发明通过蒸气平衡的方式，解决了Se挥发导致总体偏离化学计量比的问题，解决了Se分凝导致局部富集的问题，实现了完整BaGa2GeSe6单晶的生长。
一种蒸气平衡生长 baga base sub

[实用新型]一种硫、磷化物光电功能晶体合成用高温高压水平炉设备-CN202020611986.7有效
发明人：黄昌保;吴海信;姜鹏飞;毛明生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： F27B14/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硫、磷化物光电功能晶体合成用高温高压水平炉设备，属于光电功能材料制备领域。包括基座和管式炉；基座的一端固定有电动伸缩杆，电动伸缩杆的顶部与管式炉的一端铰接，管式炉的另一端与基座的另一端铰接；管式炉的内部安装有用于放置石英坩埚的承压容器，承压容器的端部通过法兰盖密封；法兰盖上安装有充气阀、压力显示仪表、泄气阀。本实用新型通过在管式炉与基座之间安装电动伸缩杆，在原料合成熔融阶段时，可以使炉体倾斜使炉体晃动，使原料反应更充分；并且通过选用镍基合金炉管为承压容器，镍基材料高温条件下抗氧化性强、机械强度高，可在1150℃下长期使用，可以延长设备使用寿命，提高使用安全性。
一种磷化光电功能晶体合成高温高压水平设备

[实用新型]一种内加热型高温高压炉用接线电极法兰-CN202020611926.5有效
发明人：黄昌保;吴海信;姜鹏飞 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H05B7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内加热型高温高压炉用接线电极法兰，包括法兰盘和不锈钢电极，不锈钢电极的中部沿其径向向外延伸形成凸起部；法兰盘开设有台阶状安装通孔，安装通孔包括内通孔和外通孔，内通孔的孔径大于外通孔的孔径；内通孔内设置有套设在不锈钢电极上的第一绝缘垫圈；外通孔内设置有套设在不锈钢电极上的第二绝缘垫圈，第二绝缘垫圈的一端位于内通孔内，且位于不锈钢电极的凸起部与法兰盘之间。本实用新型提供的接线电极法兰，不锈钢电极通过其中部的凸起部与法兰盘中台阶状安装通孔配合，安装时，安装通孔的内通孔朝向耐压容器的内部，当其受到螺丝或腔体内气压挤压时，受力点在安装通孔的台阶处，保证其较好的耐高压能力。
一种加热高温高压接线电极法兰

[发明专利]一种硫、磷化物光电功能晶体高温高压合成方法及设备-CN202010310756.1在审
发明人：黄昌保;吴海信;姜鹏飞;毛明生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： F27B14/02 文献下载
摘要：本发明公开了公开了一种硫、磷化物光电功能晶体高温高压合成方法及设备，属于光电功能材料制备领域。设备包括基座和管式炉；基座的一端固定有电动伸缩杆，电动伸缩杆的顶部与管式炉的一端铰接，管式炉的另一端与基座的另一端铰接；管式炉的内部安装有用于放置石英坩埚的承压容器，承压容器的端部通过法兰盖密封；法兰盖上安装有充气阀、压力显示仪表、泄气阀。本发明通过在管式炉与基座之间安装电动伸缩杆，可以使炉体倾斜使炉体晃动，使原料反应更充分，从而提高合成多晶料的纯度和效率；并且通过选用镍基合金炉管为承压容器，镍基材料高温条件下抗氧化性强、机械强度高，可在1150℃下长期使用，可以延长设备使用寿命，提高使用安全性。
一种磷化光电功能晶体高温高压合成方法设备

[发明专利]一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法-CN201711456679.5有效
发明人：王振友;吴海信;毛明生;倪友保;黄昌保;陈诗静;马佳仁 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法；首先在惰性气体手套箱中进行高纯Cd、Ge、As单质的称料和装料；接着在真空排气台上利用高纯Ar气多次清洗生长坩埚，最后充入适当压力的Ar惰性气体以抑制组分挥发。采用类单温区方式合成原料，通过减小坩埚内的自由空间，控制Cd、As挥发量；在化合完成后机械摇晃熔体，促进原料均匀。合成完成后直接进行生长，采用改进的水平布里奇曼法，通过电机使炉体与坩埚产生相对位移，逐渐冷凝熔体获得晶体。本方法既可避免垂直布里奇曼法生长晶体容易开裂的问题，同时还可避免温度梯度冷凝法温度微小波动产生杂质相的问题。本方法制备工艺简单，生长的晶体具有氧污染少，组分接近理想化学计量比，不易开裂以及无杂质相等优点。
黄铜矿半导体高纯熔体坩埚制备生长垂直布里奇曼法惰性气体手套箱布里奇曼法化学计量比装料惰性气体合成原料机械摇晃生长坩埚微小波动温度梯度相对位移真空排气制备工艺冷凝挥发量冷凝法氧污染挥发称料单质减小炉体温区化合相等清洗电机合成改进

[发明专利]长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途-CN201510103218.4有效
发明人：王振友;吴海信;毛明生;倪友保;黄昌保;肖瑞春;戚鸣 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种长波红外非线性CdGa2Se4晶体及其生长方法与用途；该CdGa2Se4多晶料采用高温固相反应合成；CdGa2Se4长波红外非线性晶体采用自发成核坩埚下降法或定向籽晶辅助的坩埚下降法生长；所得CdGa2Se4非线性光学晶体粉末倍频效应约为AgGaS2的3倍，红外区域透光波段可至长波红外21μm，且机械性能好，化学特性稳定，不易潮解，适宜定向、切割、抛光。该CdGa2Se4长波红外非线性晶体可用于制作红外非线性光学器件。
长波红外非线性 cdga2se4 晶体及其生长方法用途

[发明专利]一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法-CN201710434825.8在审
发明人：倪友保;吴海信;肖瑞春;毛明生;王振友 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-06-10 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法。该方法采用温度梯度区域熔炼法，辅以合适助熔剂，在晶体相变点温度下生长，具体步骤包括①生长坩埚预处理；②原料配置；③升温；④晶体生长；⑤降温；⑥清洗。采用本发明方法生长的磷锗锌单晶具有缺陷少、近红外残余吸收低等特点，解决了目前常规磷锗锌晶体生长方法中存在的生长温度高、近红外残余吸收大等问题。
一种吸收磷锗锌晶体生长方法

[发明专利]一种AgGaGenSe2(n+1)系列化合物的快速合成方法-CN201710401041.5在审
发明人：倪友保;吴海信;毛明生;王振友;黄昌保 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种AgGaGenSe2(n+1)系列化合物的快速合成方法，它解决了目前常规AgGaGenSe2(n+1)(n＝2,3,4,5)系列化合物元素高温合成方法中存在的合成速率慢、成分比例难控制等问题，利用高纯Ag2Se,Ga2Se3或AgGaSe2和GeSe2为初始原料，通过调整GeSe2摩尔配比比例，快速进行AgGaGenSe2(n+1)系列化合物，即AgGaGe2Se6,AgGaGe3Se8,AgGaGe4Se10,AgGaGe5Se12的合成。具体操作步骤①合成坩埚预处理；②原料配比；③升温振荡；④降温。采用本发明方法合成AgGaGenSe2(n+1)系列化合物，具有操作便捷、合成速率快、组分易控制等特点。
一种 aggagense2 系列化合物快速合成方法

[发明专利]无机化合物硒化钠的制备方法及其装置-CN201410025610.7有效
发明人：王振友;吴海信;程旭东;肖瑞春;黄昌保;倪友保;毛明生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种无机化合物硒化钠的制备方法及其装置，无机化合物硒化钠通过（1）在真空手套箱内将金属钠和单质硒放入反应器内；（2）对反应器反复抽高真空、充氮气清洗、抽高真空3～4次；（3）通入液氨，使金属钠完全溶解于液氨中；（4）通过高纯氮气将反应器内经气化的氨排出来；（5）搅拌；（6）液氨气化完成后，将反应器内抽至真空；（7）对反应器进行加热，然后冷却至室温、取料得硒化钠成品。本发明将金属Na和单质Se从配料阶段到化合反应过程始终保持与空气隔绝，有效保证原料和合成硒化钠的纯度及反应过程中的安全性。同时装置实现硒化钠合成、氨的挥发以及合成多晶的原位烘干等一整套制备工艺流程。
无机化合物硒化钠制备方法及其装置

[发明专利]一种硒化镓及其掺杂系列多晶原料的快速合成方法-CN201310163528.6有效
发明人：倪友保;吴海信;王振友;毛明生;黄昌保;程旭东 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化镓及其掺杂系列多晶原料的快速合成方法。它可以解决目前硒化镓及其掺杂系列多晶原料合成方法中存在的合成速率低、成分偏离化学计量比等问题。本发明方法特征在于采用单温区电阻炉快速加热，炉体小角度倾斜，合成过程可视，合成结束炉体均匀振荡，具体步骤包括：①合成坩埚预处理；②定量；③升温；④振荡；⑤降温。采用本发明方法合成的硒化镓及其掺杂系列多晶原料，具有合成速率快，均匀性好、近化学计量比等特点。
一种硒化镓及其掺杂系列多晶原料快速合成方法

[发明专利]含易挥发组分多元化合物红外非线性单晶的退火方法-CN201210020053.0无效
发明人：王振友;吴海信;倪友保;黄昌保;毛明生;程旭东 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及无机化合物单晶退火改性领域，尤其涉及含易挥发组分多元化合物红外非线性晶体材料的退火方法。本发明采用近化学计量比多晶料作为退火气氛，并将多晶料的挥发与单晶退火分离克服了在未了解含易挥发组分晶体缺陷种类及其比例情况下，通过改变各种退火参数尝试退火实验的盲目性。根据晶体生长与温度梯度退火组分挥发互补的特点，通过改变高温区温度和温度梯度，即可改变挥发成分的比例和退火速率，实现对单晶快速、有效的退火。
挥发组分多元化合物红外非线性退火方法

1
共 14 条