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[发明专利]一种大匝数比高自谐振频率的高压隔离变压器-CN202310577316.6在审
发明人：陈立均;代文亮;林巍;李苏萍;吴浩昱 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明提供的一种大匝数比高自谐振频率的高压隔离变压器包括：从下往上依次包括第一叠层H1、第二叠层H2、第三叠层H3和第四叠层H4；第二叠层H2和所述第三叠层H3为电感层；所述第四叠层H4和第一叠层H1为跳线层；所述第二叠层H2为第一电感L1，按照多边形的形状缠绕，缠绕的中心为空心的方式布局；所述第三叠层H3为第二电感L2，按照多边形的形状缠绕，并填满所述第一电感L1的投影区域；所述第一电感L1的线宽小于所述第二电感L2的线宽。提高片上高压隔离变压器的电磁耦合系数k和自谐振频率，变压器耐压可达12KV，k≥0.75；自谐振频率达到1.5GHz以上。
一种大匝数比高谐振频率高压隔离变压器

[发明专利]一种实现调整重布线金属层不同容值的电容的制备方法-CN202310589640.X在审
发明人：代文亮;陈立均;吴浩昱;伊海伦;李苏萍 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供的一种实现调整重布线金属层不同容值的电容的制备方法包括：采用晶元表面处理工艺处理晶元表面，获得处理后晶元表面；在处理后晶元表面上采用氧化工艺依次沉积衬底，第一金属层1，电容介质层，第二金属层2；采用集成无源器件MIM光照刻蚀第二金属层2，形成集成无源器件MIM的上极板形状；采用光照刻蚀所述第一金属层1，形成集成无源器件MIM下极板形状；采用薄膜沉积衬底，覆盖已形成的集成无源器件MIM电容结构，制作完成集成无源器件MIM电容阵列晶元。采用封装重布线工艺RDL来实现对预生产MIM电容阵列进行容值调整的方案，实现了MIM电容的高精度、高定制化、短加工周期、高一致性要求。
一种实现调整布线金属不同电容制备方法

[发明专利]深沟槽硅电容及其制作方法-CN202310201313.2在审
发明人：代文亮;陈立均;付董董;吴浩昱;吴梁成 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种深沟槽硅电容及其制作方法，包括：第一金属层。上电极端子，包括第一上电极端子和第二上电极端子，在第一金属层一侧的呈对角分布。下电极端子，包括第一下电极端子和第二下电极端子，在第一金属层一侧的呈对角分布，与上电极端子位于同侧且异于上电极端子分布的对角位置。第二金属层，固定安装于第一金属层的另一侧。底座，包括硅基底和多个沟槽，多个沟槽开设于硅基底上，硅基底设置于第二金属层远离第一金属层的一侧，且沟槽的开口朝向第二金属层。堆栈阵列，设置于沟槽内部。该深沟槽硅电容通过从不同方向将电流引入深沟槽硅电容的电极点，实现了电流的交互流动，进而抵消电流流入时产生的磁场。
深沟电容及其制作方法

[发明专利]一种紧凑型螺旋抽头式滤波器-CN202210973060.6在审
发明人：陈立均;代文亮;吴梁成;李苏萍;吴浩昱 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H03H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种紧凑型螺旋抽头式滤波器，包括：第一连接端口和第二连接端口，所述第一连接端口和第二连接端口之间设有组合式电感，形成LC滤波电路，所述组合式电感包括弹簧状螺旋紧密排布的多个电感，并在所需信号节点处进行抽头连接信号；其中，所述组合式电感包括:衬底，所述衬底上间隔地开设有多个通孔；底部厚铜，设置在所述衬底的底部；次顶部厚铜，设置在所述衬底的上表面，且所述次顶部厚铜的位置与所述通孔的位置相对应；金属化衬底通孔，设置在所述衬底内，所述衬底通孔的上下两端分别与所述次顶部厚铜与底部厚铜相连接，形成并排的第一电感和第二电感；电容，设置在所述次顶部厚铜和顶部金属之间。发明具有高性能、小尺寸等优点。
一种紧凑型螺旋抽头滤波器

[发明专利]一种集成无源器件的电容加工误差的纠正方法-CN202210915884.8在审
发明人：陈立均;吴浩昱;代文亮;李苏萍 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成无源器件的电容加工误差的纠正方法，包括：S1、对衬底进行表面处理；S2、在衬底的上表面沉积电容，电容包括上底极板、第一介质层和下底极板，在电容的上表面沉积第二介质层；S3、在第二介质层上设置电感；S4、在电感的上表面设置焊盘；S5、在焊盘上设置第五介质层，并在第五介质层上刻蚀出焊盘开窗；S6、将RDL金属转移到第五介质层上，并重新布局新焊盘位置，形成RDL金属层；S7、当电容偏小，则调整RDL金属层增大电感；当电容偏大，则调整RDL金属层减小电感。本发明降低了电容误差产生的次品率，大大提升了产品合格率，具有调节效率高、费用低，且加工周期较快等优点。
一种集成无源器件电容加工误差纠正方法

[发明专利]一种高性能的高频薄膜机械波谐振器的制造方法-CN202210915886.7在审
发明人：陈立均;赵佳豪;代文亮;吴浩昱 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能的高频薄膜机械波谐振器的制造方法，包括以下步骤：S1、在衬底上的第一表面通过刻蚀形成凹槽结构，并在凹槽结构内沉积第一金属层；S2、在凹槽结构内第一金属层的上表面填充第一牺牲材料层，并将第一牺牲材料层抛光至与衬底的表面相齐平；S3、在第一牺牲材料层的上方沉积三明治结构，三明治结构包括自下而上依次设置的下电极、压电层和上电极；S4、将上电极连接至与下电极同一高度；S5、释放凹槽结构内的第一牺牲材料层，形成器件；S6、将盖帽层与器件进行键合，并布置信号管脚。本发明极大的减小了欧姆损耗，提升器件的Q值，同时增加器件的散热途径，使得器件能够满足大功率，高频、大带宽的应用中需求。
一种性能高频薄膜机械波谐振器制造方法

[发明专利]一种机械波谐振器的性能提升方法-CN202210915887.1在审
发明人：陈立均;代文亮;赵佳豪;吴浩昱 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械波谐振器的性能提升方法，包括以下步骤：S1、在衬底的第一表面刻蚀形成凹槽结构；S2、在凹槽结构内填充牺牲材料层；S3、在牺牲材料层的上方沉积三明治结构，三明治结构包括自下而上依次设置的下电极、压电层和上电极，下电极设置在牺牲材料层的上方；S4、对三明治结构的平面方向进行结构优化，以抑制横波泄露和衬底泄露；S5、对相邻两个机械波谐振器本体的连接方式进行优化；S6、释放填充的牺牲材料层，使凹槽结构的内部形成空气腔，并成型机械波谐振器本体；S7、对机械波谐振器本体进行封装。本发明抑制横波泄露和衬底泄露，提高机械波谐振器的Q值，且保证机械波谐振器的机械结构稳定性。
一种机械波谐振器性能提升方法

[发明专利]一种薄膜机械波谐振器及其制造方法-CN202210773649.1在审
发明人：陈立均;赵佳豪;代文亮;吴浩昱 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜机械波谐振器及其制造方法，包括谐振器本体和盖帽层，谐振器本体包括衬底、凹槽结构和三明治结构；凹槽结构设置在衬底的第一表面上，凹槽结构的内部填充有牺牲材料层，牺牲材料层能够被释放形成凹槽结构的空腔区域，三明治结构包括自下而上依次设置的底电极、压电层和上电极，底电极设置在牺牲材料层的上方；盖帽层键合在谐振器本体上，其中，盖帽层靠近谐振器本体的一侧设置有布线金属。本发明通过优化键合方法来改善器件的可靠性问题，保证谐振器的性能；同时，改变常规的盖帽层加工制备方式，使得布线金属尽可能的远离外接器件，进而减少其与基板连接的寄生问题，使其具有高可靠性，低寄生杂波等优点。
一种薄膜机械波谐振器及其制造方法

[实用新型]一种椭圆通孔三维结构电感-CN202020265806.4有效
发明人：陈立均;代文亮;李苏萍;吴浩昱 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种椭圆通孔三维结构电感，包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层，所述晶圆块表面刻制电容下极板，电容下极板表面设置第一隔离介质层，第一隔离介质层上刻制第一通孔，第一通孔连通至电容下极板，并在第一隔离介质层上刻制电容上极板，电容上极板刻制第二隔离介质层，并在第二隔离介质层上刻制管脚窗口，晶圆块与电容下极板相对的一面刻制第二通孔，第二通孔连通至电容下极板，晶圆块下表面刻制背面金属走线，并在背面金属走线上刻制第三隔离介质层，本实用新型能够解决现有电感技术无法获得更好的品质因数，电感尺寸难以降低的技术问题，进而实现芯片小型化，提高芯片集成度。
一种椭圆三维结构电感

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