“吴永一”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高纯度异氰脲酸三缩水甘油酯的加工方法-CN202110646313.4有效
发明人：李大伟;吴永一;楼黎望 -专利权人：黄山友谊南海新材料有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C07D405/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度异氰脲酸三缩水甘油酯的加工方法，包括合成、环化、过滤、水洗、蒸馏、预结晶、结晶和离心去杂等步骤，本发明通过对环化、水洗、蒸馏的具体方法进行调整，同时，增加预结晶步骤，从而大大提高了TGIC产品的得率以及纯度，可广泛应用于TGIC生产加工技术领域。
一种纯度异氰脲酸三缩水甘油酯加工方法

[发明专利]振荡器结构及包括振荡器结构的模数转换系统-CN202211664152.2在审
发明人：张俊;吴永一;徐炜罡 -专利权人：上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03B5/24 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路领域，公开一种振荡器结构及包括振荡器结构的模数转换系统，该结构包括：比较器，其第一输入端连接第一电容的一端和第一电源端并通过开关连接地端；参考电压生成电路，其包括第一电阻，第一电阻的一端连接第二电源端并提供参考电压；电压反馈环路，其包括运算放大器、第二电阻和第二电容，运算放大器的第一输入端接收参考电压，运算放大器的输出端连接比较器的第二输入端，第二电阻的一端连接运算放大器的第二输入端，第二电阻的另一端连接比较器的第一输入端，第二电容的一端连接运算放大器的第二输入端，第二电容的另一端连接比较器的第二输入端。本申请可以消除比较器延时和失调，以较小功耗实现高精度。
振荡器结构包括转换系统

[发明专利]模数转换器-CN202211664154.1在审
发明人：徐炜罡;张俊;吴永一 -专利权人：上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路领域，公开一种模数转换器，包括：积分器与积分器耦合的子模数转换结构，其包括：比较器阵列以及电阻网络，比较器阵列包括2n‑1个比较器，每一个比较器的第一输入端均连接输入电压，每一个比较器的输出端连接译码器。电阻网络包括串联的2n‑1‑1个2R电阻，2n‑1‑1个2R电阻中每一个2R电阻依次连接在2n‑1个比较器中相邻比较器的第二输入端之间，第一个2R电阻的一端分别通过第一控制开关以及一个R电阻和第二控制开关连接第一参考电压，最后一个2R电阻的一端分别通过一个2R电阻和第一控制开关以及一个R电阻和第二控制开关连接第二参考电压。本申请可以显著的减小子ADC的功耗和面积，使得sigma‑delta ADC整体功耗和面积可以进一步减小。
转换器

[发明专利]一种开关电容电路、半导体器件和芯片-CN202211384930.2在审
发明人： 吴永一;赵晶文;张俊 -专利权人：上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03K5/156 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种开关电容电路、半导体器件和芯片。该开关电容电路包括：开关组件、第一电容、第二电容、第三电容、控制开关和运算单元；信号输入端通过所述开关组件与所述第一电容的第一极板电连接，所述第一电容的第二极板与所述运算单元的输入端电连接，所述第二电容跨接于所述运算单元的输入端与输出端之间；所述控制开关的第一端电连接所述运算单元的输出端，所述控制开关的第二端通过所述第三电容接地；所述控制开关，用于导通所述第三电容和所述运算单元的输出端。该开关电容电路保证较高信噪比的同时，降低开关电容电路的面积开销，使得开关电容电路具有较高的信噪比与较小的面积开销。
一种开关电容电路半导体器件芯片

[发明专利]一种开关电容电路、半导体器件和芯片-CN202211384961.8在审
发明人： 吴永一;徐炜罡;张俊 -专利权人：上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03K5/156 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种开关电容电路、半导体器件和芯片。该开关电容电路包括：运算单元、控制单元和至少两个第一开关电容电路单元；每个第一开关电容电路单元的第一端均与信号输入端电连接，每个第一开关电容电路单元的第二端均通过控制单元与运算单元的输入端电连接，每个第一开关电容电路单元的第三端均与运算单元的输出端电连接；控制单元，用于控制每个第一开关电容电路单元的通断；开关电容电路，用于在至少一个第一开关电容电路单元导通时，导通信号输入端与运算单元。本申请能够灵活配置开关电容电路中的第一开关电容电路单元，从而提升开关电容电路的灵活性和适用性。
一种开关电容电路半导体器件芯片

[实用新型]一种传输门电路的版图-CN202221622956.1有效
发明人：颜志豪;张俊;张泽飞;王建;吴永一 -专利权人：上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种传输门电路的版图，其中，该版图包括：多个PMOS管沿第一方向并排放置，多个NMOS管与多个PMOS管一一对应且并排放置于多个PMOS管下方。每个PMOS管的源极和对应设置于其下方的NMOS管的源极连接，每个PMOS管的漏极和对应设置于其下方的NMOS管的漏极连接。每个PMOS管的栅极和对应设置于其下方的NMOS管的栅极均与不同的控制信号线连接。每个PMOS管的源极相连接并沿第一方向布置第一信号线，每个NMOS管的漏极相连接并沿第一方向布置第二信号线。多个NMOS管的P型衬底与地线连接，地线呈封闭对称布置。本申请提供的版图使第一信号线和第二信号线分别对地线产生的寄生电容达到匹配，减小了寄生电容对电路性能的影响。
一种传输门电路版图

[发明专利]一种传输门电路的版图及其设计方法-CN202210736935.0在审
发明人：颜志豪;张俊;张泽飞;王建;吴永一 -专利权人：上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种传输门电路的版图及其设计方法，其中，该方法包括：将多个PMOS管沿第一方向并排放置，多个NMOS管与多个PMOS管一一对应且并排放置于多个PMOS管下方。每个PMOS管的源极和对应设置于其下方的NMOS管的源极连接，每个PMOS管的漏极和对应设置于其下方的NMOS管的漏极连接。每个PMOS管的栅极和对应设置于其下方的NMOS管的栅极均与不同的控制信号线连接。将每个PMOS管的源极相连接并沿第一方向布置第一信号线，将每个NMOS管的漏极相连接并沿第一方向布置第二信号线。将多个NMOS管的P型衬底与地线连接，地线呈封闭对称布置。本申请提供的版图设计方法使第一信号线和第二信号线分别对地线产生的寄生电容达到匹配，减小了寄生电容对电路性能的影响。
一种传输门电路版图及其设计方法

[实用新型]优化寄生电容的版图-CN202221622959.5有效
发明人：颜志豪;张俊;张泽飞;王建;吴永一 -专利权人：上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种优化寄生电容的版图包括多个第一MOS管、多个第二MOS管、第一控制线和第二控制线；多个第一MOS管沿第一方向并排设置，每个第一MOS管的下方对应设置有第二MOS管；每个第一MOS管的源极与对应设置在下方的第二MOS管的源极连接，每个第一MOS管的漏极与对应设置在下方的第二MOS管的漏极连接，顺序排列的N个第一MOS管的栅极与第一控制线连接，对应设置在下方的N个第二MOS管的栅极与第二控制线连接；第一控制线从N个顺序排列的第一MOS管的中间位置沿第二方向延伸布置，第二控制线从N个顺序排列的第二MOS管的中间位置沿第二方向延伸布置，第二方向与第一方向垂直。本申请实施例提供的版图，可以优化芯片中的寄生电容。
优化寄生电容版图

[发明专利]优化寄生电容的版图设计方法及版图-CN202210737674.4在审
发明人：颜志豪;张俊;张泽飞;王建;吴永一 -专利权人：上海类比半导体技术有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种优化寄生电容的版图设计方法和版图，其中，版图设计方法包括：将多个第一MOS管沿第一方向并排设置，每个第一MOS管的下方对应设置有第二MOS管；将每个第一MOS管的源极与对应设置在下方的第二MOS管的源极连接，每个第一MOS管的漏极与对应设置在下方的第二MOS管的漏极连接，顺序排列的N个第一MOS管的栅极与第一控制线连接，对应设置在下方的N个第二MOS管的栅极与第二控制线连接；将第一控制线从N个顺序排列的第一MOS管的中间位置沿第二方向延伸布置，第二控制线从N个顺序排列的第二MOS管的中间位置沿第二方向延伸布置，第二方向与第一方向垂直。本申请实施例提供的版图设计方法，可以优化芯片中的寄生电容。
优化寄生电容版图设计方法

[实用新型]一种电子封装用TGIC低温粉碎设备-CN202220589575.1有效
发明人：罗贤呈;李大伟;吴永一 -专利权人：黄山友谊南海新材料有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子封装用TGIC低温粉碎设备，包括超微粉碎机和旋风收集器，所述超微粉碎机连接设置有进气管，所述进气管连接设置有空气冷干机和空压机；所述超微粉碎机与旋风收集器间设置有出气管，所述出气管上设置有冷却水套；所述超微粉碎机外设置有冷却外盘管；所述进气管上且在空气冷干机之后设置有空气过滤器；所述空压机的进风口设置有空气过滤网。本实用新型能够保证TGIC产品在粉碎过程中始终处于低温的环境下，从而提高粉碎的效率和产品的质量，可广泛应用于TGIC生产加工技术领域。
一种电子封装 tgic 低温粉碎设备

[实用新型]一种电子封装用TGIC加工系统-CN202220589612.9有效
发明人：李大伟;吴永一;罗贤呈 -专利权人：黄山友谊南海新材料有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B01D3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子封装用TGIC加工系统，包括依次设置的合成釜、环化釜、过滤装置、分层器、蒸馏釜，所述蒸馏釜上设置有ECH回收管，所述ECH回收管连接设置有静置分层罐，静置分层罐的底部设置有出液口，出液口管路连接设置有对来料进行减压蒸馏去杂的预处理釜，所述预处理釜的底部设置有出料口，出料口连接至合成釜；所述预处理釜的顶部设置有排气管，排气管上设置有冷凝器，排气管的末端连接设置有储料罐，储料罐上连接设置有抽真空管。本实用新型能够提高回收ECH的纯度，并回到合成釜参与合成反应，提高合成反应的稳定性和质量，可广泛应用于TGIC生产加工技术领域。
一种电子封装 tgic 加工系统

[实用新型]一种TGIC水洗废水循环利用系统-CN202121140834.4有效
发明人： 吴永一;李大伟 -专利权人：黄山友谊南海新材料有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TGIC水洗废水循环利用系统，包括水洗罐，设置在水洗罐上的进水口和出水口；所述出水口连接设置有蒸馏釜，所述蒸馏釜的出气端连接设置有冷凝器，冷凝器的出口连接设置有接收罐，所述接收罐与水洗罐的进水口连接。本实用新型能够减少水洗水的用量，减少对水洗废水的处理量，从而大大节约了环保处理成本，可广泛应用于TGIC生产加工领域。
一种 tgic 水洗废水循环利用系统

[实用新型]一种高纯度TGIC加工系统-CN202121302234.3有效
发明人：李大伟;方婀娜;吴永一;盛海生 -专利权人：黄山友谊南海新材料有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B01J3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯度TGIC加工系统，包括合成釜、环化釜，过滤装置、分层器、蒸馏釜、结晶釜和离心机，所述过滤装置和分层器间设置有水洗罐；所述蒸馏釜与结晶釜间设置有预结晶釜。本实用新型通过在现有设备基础上增加了水洗罐，物料在静置分层前先通过水洗，去除料液内游离氯离子和催化剂铵盐等杂质，从而提高TGIC的纯度。同时，通过预结晶釜形成均相成核，避免杂质包裹在晶体内。此外，通过系统内各设备的调整，从而提高产品的纯度，可广泛应用于TGIC生产加工技术领域。
一种纯度 tgic 加工系统

[实用新型]一种TGIC生产过程中磁性杂质过滤装置-CN202121132496.X有效
发明人：李大伟;吴永一;张阿慧 -专利权人：黄山友谊南海新材料有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B03C1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TGIC生产过程中磁性杂质过滤装置，包括分层器和蒸馏釜；分层器和蒸馏釜之间由出料管相连。所述出料管中间设有旁通管并封闭，所述旁通管内安装固定有强磁磁铁。采用本实用新型的技术方案，通过强磁磁铁吸附反应液中的铁离子和铁屑，对反应液进行二次过滤，能够有效的去除反应液中夹带的铁屑和铁离子，提高产品品质，可广泛应用于TGIC的加工领域。
一种 tgic 生产过程磁性杂质过滤装置

[发明专利]一种高纯度TGIC加工系统-CN202110646348.8在审
发明人：李大伟;方婀娜;吴永一;盛海生 -专利权人：黄山友谊南海新材料有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B01J3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度TGIC加工系统，包括合成釜、环化釜，过滤装置、分层器、蒸馏釜、结晶釜和离心机，所述过滤装置和分层器间设置有水洗罐；所述蒸馏釜与结晶釜间设置有预结晶釜。本发明通过在现有设备基础上增加了水洗罐，物料在静置分层前先通过水洗，去除料液内游离氯离子和催化剂铵盐等杂质，从而提高TGIC的纯度。同时，通过预结晶釜形成均相成核，避免杂质包裹在晶体内。此外，通过系统内各设备的调整，从而提高产品的纯度，可广泛应用于TGIC生产加工技术领域。
一种纯度 tgic 加工系统

1
2
下一页»
尾页
共 17 条