本发明公开了一种侦测刻蚀工艺制程异常的方法,先建立多个FEM(Focus and Energy Matrix)条件形成的待测结构的ADI CD及截面图像与AEI CD及截面图像相互对应构成的数据库,然后利用正常光刻工艺中量测的待处理晶圆的ADI CD及截面图像和数据库中的信息预测待处理晶圆的AEI CD及截面图像,根据预测结果可以在刻蚀工艺进行之前提前预测制程是否出现异常以及发生缺陷的可能性。本发明不需要对刻蚀工艺后的AEI CD进行实时在线测量,可以大幅减少实时检测的数据量,加快制程进度,而且可以根据预测结果及时确定制程发生异常并对发生异常的制程和产品进行及早修正,从而提高生产效率。