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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示面板及其制备方法-CN201810888567.5有效
发明人：王允军;孙雅娟;吴悦迪 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及其制备方法，该方法包括步骤：在光源阵列基板的发光方向设置光敏胶，其中，光源阵列基板包括多个光源，单个光源配置成一个子像素，光敏胶包括波长转换材料、树脂单体、光引发剂、溶剂；选择性点亮光源阵列基板中的光源，曝光对应区域的光敏胶；对经过曝光的光敏胶显影，形成颜色转换层。该方法制备颜色转换层时，将光敏胶设置在光源阵列基板的发光方向上后，利用光源阵列基板中的光源来曝光光敏胶。由于单个光源被配置成一个子像素，光敏胶被曝光的区域与相应的子像素对应，因此形成的颜色转换层具有较高的精度，提高了显示面板制备过程中的合格率。
显示面板及其制备方法

[发明专利]量子点膜及含有量子点膜的结构-CN201810938702.2有效
发明人：马卜;徐晓波;吴悦迪;鲁昱;王允军 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C08L29/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种该量子点膜及含有该量子点膜的结构，该量子点膜包括主体材料和量子点，该量子点分散在主体材料中，这些量子点用以吸收紫外线。该量子点膜中，量子点能够吸收紫外线，并且量子点具有较稳定的化学性质。量子点吸收紫外线后，其不会发生降解的现象，该量子点膜吸收紫外线的能力不会降低更不会造成失效。该结构包括该量子点膜。
量子含有结构

[实用新型]发光装置-CN201821485697.6有效
发明人：王允军;马卜;李帅;王红琴;吴悦迪 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了发光装置，该发光装置包括透明管，具有管壁所围的腔体；透明基底，具有相对设置的第一表面和第二表面，透明基底设置在腔体内；LED芯片，透明基底的第一表面承载LED芯片；以及量子点层，位于腔体内，并处于透明基底非承载LED芯片的一侧。该发光装置将LED芯片和量子点层分别设置在基底的两侧，LED芯片发射的光线穿过透明基底后进入量子点层，即使在短距离范围内，光线也不会较集中，从而在量子点层中产生的热量较为均匀，减少了较集中的热量对量子点的不良影响。
基底发光装置量子点层透明第一表面承载体内本实用新型第二表面相对设置基底非量子点透明管管壁腔体穿过发射

[发明专利]发光装置-CN201811059692.1在审
发明人：王允军;马卜;李帅;王红琴;吴悦迪 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了发光装置，该发光装置包括透明管，具有管壁所围的腔体；透明基底，具有相对设置的第一表面和第二表面，透明基底设置在腔体内；LED芯片，透明基底的第一表面承载LED芯片；以及量子点层，位于腔体内，并处于透明基底非承载LED芯片的一侧。该发光装置将LED芯片和量子点层分别设置在基底的两侧，LED芯片发射的光线穿过透明基底后进入量子点层，即使在短距离范围内，光线也不会较集中，从而在量子点层中产生的热量较为均匀，减少了较集中的热量对量子点的不良影响。
基底发光装置量子点层透明第一表面承载体内第二表面相对设置基底非量子点透明管管壁腔体穿过发射

[发明专利]碳化硅纳米线基发光薄膜的制备方法-CN201210188062.0有效
发明人：朱骏;陈小兵;吴悦迪;陈海涛 -专利权人：扬州大学
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C08L25/06 文献下载
摘要：碳化硅纳米线基发光薄膜的制备方法：先将硅粉末经球磨减小粒径，再按摩尔比为1:1.5－1:2.5与活性炭粉混合，在管式炉中高温反应制成碳化硅纳米线。此过程中，先用高纯氩气清洗管道，在1275－1325℃反应2－4小时，继以在空气中600－700℃加热纯化样品，得到高纯碳化硅纳米线。将碳化硅纳米线与聚苯乙烯颗粒一起加入到甲苯中，超声振荡，使得聚苯乙烯颗粒完全溶解、碳化硅纳米线充分分散，得到分散液；用滴管吸取分散液用旋覆法在硅片上制成湿膜；将湿膜在空气中干燥，得到发光薄膜。本发明制备的薄膜厚度均匀，成品率高，在紫外光激发下，薄膜在波长为410nm处有较强蓝光发射，发光性能稳定。
碳化硅纳米发光薄膜制备方法

[发明专利]发光立方相碳化硅纳米线的制备方法-CN201210108215.6有效
发明人：朱骏;陈小兵;吴悦迪;陈海涛 -专利权人：扬州大学
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种可批量制备发光立方相碳化硅纳米线的制备方法。该技术先将一氧化硅粉末经球磨减小粒径，再与活性炭粉末置于一氧化铝舟的两端，在其上盖一同规格氧化铝舟后放入管式炉中反应。反应前向氧化铝管中以每分钟500立方厘米的流量通氩气20分钟，将流量降至每分钟40立方厘米后加热管式炉至1200-1300ºC，保温2-4小时后关闭管式炉电源，让其自然冷却。收集反应后的活性炭粉末堆，并在空气中以600-700ºC加热2-3小时，即可得到高纯立方相碳化硅纳米线。本发明工艺过程简单安全，可批量制备，产品纯度高，直径均一，长度长，有较强蓝发射，不仅可用于材料的增强增韧添加剂，而且可用于下一代的光电材料。
发光立方碳化硅纳米制备方法

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