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[实用新型]显示面板及显示装置-CN202223165833.2有效
发明人： 吴康敬;余嘉莉;吴秀珍 -专利权人：浙江宏禧科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K59/127 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示面板及显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括阵列基板、连接层和显示基板，阵列基板和显示基板相对布置，连接层位于阵列基板和显示基板之间；阵列基板包括第一基板和驱动电路，驱动电路位于第一基板靠近显示基板的一面；显示基板包括第二基板和多个发光单元，多个发光单元位于第二基板靠近阵列基板的一面，多个发光单元通过连接层与驱动电路电性相连。本公开能够使得显示面板整体制作的良率提升，合格率提高，降低生产成本。
显示面板显示装置

[实用新型]显示面板与显示装置-CN202221098031.1有效
发明人： 吴康敬;孙扬;曹燕;颜艳霜 -专利权人：浙江宏禧科技有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示面板与显示装置，属于显示技术领域。第二方向上基板具有的凹槽隔离了相邻子像素的彩色过滤层，出现白光透过两个不同的彩色过滤层而导致混光的可能性也大幅度降低，降低显示面板的混光问题。凹槽内具有依次层叠的填充发光层、填充阴极层、填充密封层与填充彩色过滤层。其中，填充发光层与发光层同层，填充阴极层与阴极层同层，填充密封层与密封层同层，填充彩色过滤层与彩色过滤层同层，填充彩色过滤层与凹槽的底面之间的最大距离小于或等于阳极层与凹槽的底面之间的最大距离。缩短显示面板所需要的制备周期，可以降低混光改善显示显示图像质量的同时缩短显示面板的制备周期。
显示面板显示装置

[发明专利]一种背部含有氧化硅-氮化钛双层接触结构的单晶硅太阳能电池及其制备方法-CN202111179549.8在审
发明人：马忠权;兰自轩;王艺琳;吴康敬;赵磊 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明提供了一种背部含有氧化硅‑氮化钛双层接触结构的单晶硅太阳能电池及其制备方法，以n型Si衬底为基底，在衬底正面依次向外设置超薄a‑SiOx(In)层、ITO薄膜、正面银电极、正面铝电极，在n型Si衬底背部设置背部钝化结构，背面钝化结构为叠层钝化介质层，叠层钝化介质层由内向外依次为超薄SiOx薄膜和TiNy薄膜，背面钝化结构外面为Al背电极；背部钝化接触单晶硅太阳能电池的钝化接触层位于电池背面，包括超薄疏松SiOx层和TiNy薄膜。该钝化结构中SiOx通过硝酸氧化制备，该钝化结构中的TiNy薄膜通过直流磁控溅射制备；本发明在电池背面引入钝化接触结构，能实现背面良好的全面积钝化，减少背部表面复合，提高太阳能电池的开路电压，达到提高光电转换效率的目的。
一种背部含有氧化氮化双层接触结构单晶硅太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基显示面板的像素排列结构及硅基微型显示装置-CN202110402959.8在审
发明人：李德权;吴康敬;颜艳霜;孙扬;杨震元 -专利权人：浙江宏禧科技有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及硅基显示面板的像素排列结构及显示装置，像素排列结构呈多个“田”字型矩阵阵列排布的发光像素，每个发光像素包括一个第一子像素，一个第二子像素以及两个第三子像素。四个相邻所述第一子像素共用一个金属掩模板，四个相邻所述第二子像素共用一个金属掩模板，两行相邻所述第三子像素共用一个金属掩模板。该像素排列结构可在规避金属掩模板制造工艺限制下，有效地减少像素面积，提高硅基微型显示器的分辨率和像素密。
一种显示面板像素排列结构微型显示装置

[发明专利]一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法-CN202110131114.X在审
发明人：颜艳霜;吴康敬;孙扬;李德权;杨震元 -专利权人：浙江宏禧科技有限公司
申请日： 2021-01-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，采用NDL技术在12英寸的石英玻璃晶圆上打孔，通孔尺寸为3微米×9微米，厚度40‑50微米，将通孔玻璃晶圆黏附到12英寸的硅晶圆上作为掩模，磁控溅射金属后获得精确图形的阳极像素点。该技术使用通孔的透明玻璃掩模板代替传统的光刻掩模板制备阳极像素点，有助于掩模板与硅片晶圆的对准且玻璃的刻蚀可控性较好，同时在阳极的制备过程中规避了液体环境的引入，避免阳极金属表面腐蚀影响金属功函数和空穴注入能力，增加阳极金属的选择性。
一种模板技术制备 oled 微型显示器阳极方法

[发明专利]一种单曲面硅基微型显示器的制造方法-CN202110070670.0在审
发明人： 吴康敬;孙扬;李德权;颜艳霜;杨震元 -专利权人：浙江宏禧科技有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种单曲面硅基微型显示器的制造方法，包括紫外激光切割、制备OLED显示器、贴附正面保护膜、晶圆减薄、分离显示器、粘贴柔性背板、焊接、曲面固定等步骤，形成硅基曲面微型显示器，该方法通过半切技术避免硅片在减薄后切割过程中易碎的特点，并在密封层中加入缓冲层，缓解了层间弯曲的应力，曲面微型OLED显示器在相同放大倍率下能减轻光学系统的重量，提高可穿戴设备的舒适度。
一种曲面微型显示器制造方法

[发明专利]一种纳米压印制备OLED阳极的方法-CN202110010052.7有效
发明人：孙扬;吴康敬;杨震元;李德权;颜艳霜 -专利权人：浙江宏禧科技有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米压印制备OLED阳极的方法，通过清洗硅基板、纳米压印及转印、制备阳极层、剥离等步骤制备阳极像素点，纳米压印可以在不使用电子和光子的前提下，直接机械的在紫外固化胶上构成纳米图形，因此解决了光学曝光中的衍射现象和散射现象，从而可以在大面积尺寸上制备高分辨率的微型OLED显示器。压印采用的石英模板可以重复使用，以较低的成本和简单的工艺获得精确的图形，可降低OLED阳极的制备成本，提高产量。
一种纳米压印制备 oled 阳极方法

[发明专利]一种湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法-CN202011478747.X在审
发明人：杨震元;孙扬;吴康敬 -专利权人：浙江宏禧科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开一种湿法刻蚀工艺制备硅基OLED阳极的方法，包括以下步骤：用去离子水清洗硅基板，在硅基板上蒸镀阳极层，在阳极层上形成抗反射涂层和光刻胶层，用光刻技术制备出图形像素，采用腐蚀溶液腐蚀底部不被抗反射涂层和光刻胶层保护的阳极层，用N‑甲基吡咯烷酮溶液去除抗反射涂层和光刻胶层，形成阳极像素点，对硅基板进行清洗、烘干。本发明针对以硅片为衬底的微型OLED显示器，使用湿法刻蚀工艺代替传统湿法剥离方法制备阳极像素点，使子像素间距更小，像素密度高，从而在0.6英寸的微型OLED显示器上实现分辨率为1280*1024的微型全彩有机显示器，相比于干法刻蚀工艺，湿法刻蚀工艺的成本更低，易实现量产。
一种湿法刻蚀制备 oled 阳极方法

[发明专利]一种干法刻蚀制备硅基OLED阳极及OLED器件的方法-CN202011274620.6在审
发明人： 吴康敬;孙扬;杨震元;李德权;颜艳霜 -专利权人：浙江宏禧科技有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开一种OLED阳极的制备方法，先用去离子水清洗硅基板，再在硅基板上形成阳极层，阳极层包括钛膜层、镍膜层、铝膜层、铂膜层、氮化钛膜层、氮化铝膜层中的至少一种导电膜层，然后在阳极层上均匀旋涂0.8微米的碱溶性抗发射涂层和1.5微米的正性光刻胶层，然后对光刻胶层和抗反射涂层进行光刻、显影获得像素点的图形，然后采用刻蚀性气体轰击底部不被光刻胶层和抗发射涂层保护的阳极层，再用显影液去除光刻胶层和抗反射涂层，形成阳极像素点最后对硅基板进行清洗、烘干。采用以上方法制备OLED器件，具有像素点图形精确化，使像素点间距更小，像素密度高等优点。
一种刻蚀制备 oled 阳极器件方法

[发明专利]硅基特定光伏器件界面态的测量方法-CN202010736268.7在审
发明人：马忠权;吴康敬;李勇;高明;赵磊;徐飞 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基特定光伏器件界面态的测量方法，能准确评估硅基异质结光伏器件界面态密度，待测的器件的钝化隧穿介质为超薄准绝缘SiOx层，其厚度≤2.0nm，且内部含有少量金属元素。通常采用深能级瞬态谱方法测量具有较厚氧化物和氮化硅绝缘层的异质结器件界面态密度，然而针对界面层为超薄准绝缘SiOx层时，DLTS等常规方法在正偏压稍高的情况下，易产生电容溢出现象，难以获得界面态信号。因此针对该类异质结器件界面区电子结构的特殊性，本发明采用不低于1.0MHz的高频光注入方式测量器件在黑暗和光照下C‑V特性，结合二极管电容近似和数值计算模型，从上述两种C‑V曲线中提取与界面态相关信息，间接测量得到该类异质结器件的界面态密度。
特定器件界面测量方法

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