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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器件及包括其的电子设备-CN201910902924.3有效
发明人：姜大建;康铉石;安德来;吴在根;周元基;蔡洙振 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器件及包括其的电子设备。存储器件包括：第一存储单元，其被设置在第一导电线和第二导电线的交叉点处，所述第一导电线和所述第二导电线分别在第一方向和第二方向上延伸；第二存储单元，其在第一方向上与第一存储单元间隔开第一距离；第三存储单元，其在第二方向上与第一存储单元间隔开第二距离；第一绝缘图案，其被设置在第一存储单元与第二存储单元之间；以及第二绝缘图案，其被设置在第一存储单元与第三存储单元之间。第二绝缘图案具有比第一绝缘图案低的导热率。
存储器件包括电子设备

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN201911284470.4在审
发明人：金治皓;姜民船;康铉石;金孝俊;吴在根;蔡洙振 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：这项技术提供了一种电子设备及其制造方法。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括：衬底，其包括在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分；多个存储单元，其设置在衬底的第一部分之上；第一绝缘层，其在衬底的第二部分之上延伸并且至少部分地填充多个存储单元中的相邻存储单元之间的空间；以及第二绝缘层，其设置在第一绝缘层之上，并且其中，第一绝缘层的介电常数小于第二绝缘层的介电常数，或第一绝缘层的导热率小于第二绝缘层的导热率，或同时满足这两者。
电子设备及其制造方法

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN201911017064.1在审
发明人：金孝俊;康铉石;金治皓;吴在根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种电子器件设备及其制造方法。电子设备包括半导体存储器。制造该电子设备的方法，包括：形成从衬底的表面垂直延伸并具有横向突出的第一上部的第一存储单元，形成从衬底的表面垂直延伸并具有朝向第一上部横向突出的第二上部的第二存储单元，并在第一存储单元和第二存储单元之上形成衬垫层，该衬垫层具有设置在第一上部之上的第一部分和设置在第二上部之上的第二部分，该衬垫层的第一部分与第二部分彼此接触。
电子设备及其制造方法

[发明专利]存储装置-CN202010092536.6在审
发明人：尹重喆;姜基进;吴在根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G06F21/79 文献下载
摘要：一种存储装置包括地址生成器，所述地址生成器生成第一物理地址和不同于所述第一物理地址的第二物理地址。第一非易失性存储器包括所述第一物理地址，并且第二非易失性存储器包括所述第二物理地址。攻击检测电路检测所述第一非易失性存储器和所述第二非易失性存储器是否受到攻击。所述攻击检测电路从所述第一非易失性存储器接收第一数据并且从所述第二非易失性存储器接收第二数据，将所述第一数据和所述第二数据相互比较，并且根据所述第一数据和所述第二数据的比较结果来确定所述第一非易失性存储器和所述第二非易失性存储器是否受到攻击。
存储装置

[发明专利]在存储器件中制造三沟道晶体管的方法-CN200510118749.7有效
发明人：张世亿;金龙洙;吴在根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-10-31 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明所揭露的是一种制造存储器件的晶体管的方法，该方法在形成低电阻的栅电极时能防止孔隙的生成。这种方法包括通过蚀刻半导体衬底形成有源区域，在半导体衬底中形成场氧化层以及通过蚀刻场氧化层形成凹陷部。栅极绝缘层沿着有源区域的上表面和有源区域暴露的部分形成。栅电极在场氧化层上形成，使得栅电极穿过有源区域的上部延伸，同时与沟道区凹陷部重迭。将要被构图的第一导电层具有相同的厚度，使得低电阻栅电极可以轻易制作而不会形成孔隙。
存储器件制造沟道晶体管方法

[发明专利]存储器的晶体管结构及其制造方法-CN200510092131.8有效
发明人：张世亿;金龙洙;吴在根;卢载盛;孙贤哲 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及存储器的晶体管结构及其制造方法。一种存储器，包括从半导体衬底突出的有源区。凹槽形成于有源区中。场氧化物层形成于该半导体衬底上。栅极电极114跨过该有源区延伸并与该凹槽重叠。栅极绝缘层置于栅极电极和有源区之间。源极和漏极区形成于该有源区中。如果沿着源极－漏极线截取上述晶体管结构，则其定义凹式晶体管结构，如果沿着栅极线截取该晶体管结构，则其定义鳍式晶体管结构。此晶体管结构能够确保足够的数据保持时间并且改善电流驱动能力，同时降低阈值电压的反偏压依赖性。
存储器晶体管结构及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置的栅结构-CN200410104176.8有效
发明人：梁洪善;张世亿;金龙洙;林宽容;赵兴在;吴在根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器装置的栅结构，该结构能够通过形成保持滞后面积在一个特定值的硬掩膜来防止多晶硅空隙产生。半导体存储器装置的栅结构，包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极，其中该栅电极通过堆叠多晶硅层和金属层形成；和形成在栅电极上的硬掩膜，其中在硬掩膜和栅电极材料之间的滞后面积的大小等于或小于约2×10¹²℃－dyne/cm²。
半导体存储器装置结构

[发明专利]制造半导体器件的栅电极的方法-CN200410071013.4无效
发明人：洪炳涉;吴在根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明揭示了一种于惰性气体或氮气环境中施行选择性氧化处理来制造用于半导体器件的加强的钨栅电极的方法。本发明的方法包含下列步骤：制备由预定程序得到的半导体衬底；于该半导体衬底上形成一栅极氧化物层；于该栅极氧化物层上形成一包含依序为多晶硅及钨的钨聚合金属栅电极；以及在含经惰性气体或氮气稀释的氢气(H₂)的气体源环境中施行选择性氧化处理而在多晶硅的侧壁上形成选择性氧化物。
制造半导体器件电极方法

[发明专利]用于制造具有改善刷新时间的半导体装置的方法-CN200410037353.5无效
发明人： 吴在根;洪炳涉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-04-27 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有改善刷新时间的半导体装置的制造方法。该方法包含下列步骤：在基板上形成若干闸极线；通过使用闸极线当作遮罩，离子植入第一掺杂物，形成若干原胞接面；沿着闸极线的纵断面，形成缓冲层；通过在有缓冲层的情形下，离子植入第二掺杂物进入基板，在原胞接面中形成若干插栓离子植入区，因此有插栓形成在其上。
用于制造具有改善刷新时间半导体装置方法

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