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- [实用新型]谐振器-CN202021362650.8有效
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窦韶旭;吕丽英;杨帅;吴一雷;韩琦;吴珂;王超
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瑞声科技（南京）有限公司
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2020-07-10
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2023-05-05
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H03H9/17
- 本实用新型提供一种谐振器，其包括基底、沿第一方向设置于基底的复合膜以及设置于复合膜靠近基底一侧的纵向声波反射器；复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜以及第二电极，第一电极设置于基底和纵向声波反射器之上；横向声波反射器的内侧面沿第一方向向复合膜的正投影所包围的区域为谐振区，谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区；第一电极、压电功能膜和第二电极均完全覆盖谐振区；复合膜位于谐振区的部分的声阻抗与复合膜位于非谐振区的部分的声阻抗相异，且第一电极、压电功能膜和第二电极位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比，本实用新型的谐振器能量损失小且Q值增大。
- 谐振器
- [发明专利]平坦化方法-CN202010328322.4有效
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吕丽英;黎家健;吴一雷
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瑞声声学科技（深圳）有限公司
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2020-04-23
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2022-07-26
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H01L41/22
- 本发明提供了一种能够使得待加工产品的局部平坦度更均匀的平坦化方法，待加工产品开设有填充氧化物的腔体，且其包括叠设在腔体上的第一电极层、压电层和第二电极层，第一电极包括位于第一电极层周边的第一斜面部，压电层在其表面形成第二斜面部，第二电极层包括位于第二电极层周边的第三斜面部，方法包括：在第二电极层沉积第一钝化层；对第一钝化层刻蚀以在第三斜面部的外周形成衬垫，衬垫在其表面形成第四斜面部的；在第二电极层沉积第二钝化层，第二钝化层具有第一平面部、设于第一平面部外围的第五斜面部和自第五斜面部延伸的第二平面部，第一平面部沿竖直方向上的投影覆盖腔体，第五斜面部沿竖直方向的正投影落在腔体外。
- 平坦方法
- [实用新型]谐振器-CN202021358886.4有效
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窦韶旭;吕丽英;杨帅;吴一雷;韩琦;吴珂;王超
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瑞声科技（南京）有限公司
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2020-07-10
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2022-03-25
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H03H9/17
- 本实用新型提供一种谐振器，包括基底、复合膜和纵向声波反射器；复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜、第二电极和调频器，第一电极设置于基底和纵向声波反射器上方；调频器包括调频主体部和凸环，凸环的声阻抗与调频主体部的声阻抗相异；凸环内侧面沿第一方向向第二电极的正投影所包围的区域为谐振区，谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区；第一、第二电极和压电功能膜均完全覆盖谐振区；压电功能膜包括纵向压电膜和纵向非压电膜；谐振器在谐振区内和非谐振区内的声阻抗相异，第一电极、压电功能膜、第二电极和调频主体部位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比，本实用新型的谐振器能量损失小且Q值增大。
- 谐振器
- [实用新型]谐振器-CN202021358877.5有效
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窦韶旭;吕丽英;杨帅;吴一雷;韩琦;吴珂;王超
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瑞声科技（南京）有限公司
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2020-07-10
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2022-03-25
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H03H9/17
- 本实用新型提供一种谐振器，其包括基底、复合膜和纵向声波反射器，复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜和第二电极，第一电极设置于基底和纵向声波反射器上；压电功能膜包括纵向压电膜和纵向非压电膜，纵向非压电膜包括主体部和由主体部延伸的呈环状的凸环；凸环的内侧面沿第一方向向主体部的正投影所围成的区域为谐振区，谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区；第一、第二电极均完全覆盖谐振区，且第二电极位于非谐振区的部分设置于凸环；谐振器在谐振区内和在非谐振区内的声阻抗相异，且第一电极、压电功能膜和第二电极位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比，本实用新型的谐振器能量损失小且Q值增大。
- 谐振器
- [发明专利]一种薄膜体声波谐振器-CN202011097293.1在审
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窦韶旭;吴珂;韩琦;吕丽英;吴一雷;杨帅;王超
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瑞声声学科技（深圳）有限公司
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2020-10-14
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2021-01-19
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H03H9/02
- 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器，薄膜体声波谐振器包括：基底；声反射结构，声反射结构从基底上表面向下嵌入基底中或设置于基底上方；压电振动组件，压电振动组件设于声反射结构上方，压电振动组件包括压电功能膜、以及设置在压电功能膜两相对表面上的第一电极、第二电极；质量负载环，质量负载环具有一通孔空腔，质量负载环设于压电振动组件的上方或下方；隔离层，隔离层设于质量负载环与压电振动组件之间；声反射结构、第一电极、压电功能膜与第二电极的投影重叠区域界定一有效区域；质量负载环沿有效区域的边缘区域设置，质量负载环的内边沿小于有效区域的外边沿，其外边沿大于、等于或者小于有效区域的外边沿。
- 一种薄膜声波谐振器
- [发明专利]谐振器-CN202010664301.X在审
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窦韶旭;吕丽英;杨帅;吴一雷;韩琦;吴珂;王超
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瑞声科技（南京）有限公司
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2020-07-10
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2020-11-03
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H03H9/17
- 本发明提供一种谐振器，其包括基底、复合膜和纵向声波反射器，复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜和第二电极，第一电极设置于基底和纵向声波反射器上；压电功能膜包括纵向压电膜和纵向非压电膜，纵向非压电膜包括主体部和由主体部延伸的呈环状的凸环；凸环的内侧面沿第一方向向主体部的正投影所围成的区域为谐振区，谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区；第一、第二电极均完全覆盖谐振区，且第二电极位于非谐振区的部分设置于凸环；谐振器在谐振区内和在非谐振区内的声阻抗相异，且第一电极、压电功能膜和第二电极位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比，本发明的谐振器能量损失小且Q值增大。
- 谐振器
- [发明专利]谐振器-CN202010664307.7在审
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窦韶旭;吕丽英;杨帅;吴一雷;韩琦;吴珂;王超
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瑞声科技（南京）有限公司
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2020-07-10
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2020-11-03
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H03H9/17
- 本发明提供一种谐振器，其包括基底、沿第一方向设置于基底的复合膜以及设置于复合膜靠近基底一侧的纵向声波反射器；复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜以及第二电极，第一电极设置于基底和纵向声波反射器之上；横向声波反射器的内侧面沿第一方向向复合膜的正投影所包围的区域为谐振区，谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区；第一电极、压电功能膜和第二电极均完全覆盖谐振区；复合膜位于谐振区的部分的声阻抗与复合膜位于非谐振区的部分的声阻抗相异，且第一电极、压电功能膜和第二电极位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比，本发明的谐振器能量损失小且Q值增大。
- 谐振器
- [发明专利]谐振器-CN202010666350.7在审
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窦韶旭;吕丽英;杨帅;吴一雷;韩琦;吴珂;王超
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瑞声科技（南京）有限公司
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2020-07-10
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2020-11-03
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H03H9/17
- 本发明提供一种谐振器，包括基底、复合膜和纵向声波反射器；复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜、第二电极和调频器，第一电极设置于基底和纵向声波反射器上方；调频器包括调频主体部和凸环，凸环的声阻抗与调频主体部的声阻抗相异；凸环内侧面沿第一方向向第二电极的正投影所包围的区域为谐振区，谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区；第一、第二电极和压电功能膜均完全覆盖谐振区；压电功能膜包括纵向压电膜和纵向非压电膜；谐振器在谐振区内和非谐振区内的声阻抗相异，第一电极、压电功能膜、第二电极和调频主体部位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比，本发明的谐振器能量损失小且Q值增大。
- 谐振器
- [发明专利]平坦化方法-CN202010327549.7在审
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吕丽英;黎家健;吴一雷
-
瑞声声学科技（深圳）有限公司
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2020-04-23
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2020-08-18
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H01L41/22
- 本发明提供了一种平坦化方法，能够使得待加工产品的局部平坦度更均匀，待加工产品开设有填充氧化物的腔体且包括叠设在腔体上的第一电极层、压电层和第二电极层，第一电极层覆盖腔体且包括位于第一电极层周边的第一斜面部，压电层覆盖第一电极层且在其表面形成第二斜面部，第二电极层覆盖部分压电层且包括位于第二电极层周边的第三斜面部，平坦化方法包括：在第二电极层沉积钝化层，钝化层覆盖住第二电极层和压电层，钝化层具有第一平面部、设于第一平面部外围的第四斜面部和自第四斜面部延伸的第二平面部，第一平面部沿竖直方向上的投影覆盖腔体，第四斜面部沿竖直方向的正投影落在腔体外；对钝化层全面刻蚀，直至钝化层的厚度减薄至所需厚度。
- 平坦方法
- [发明专利]一种二次开发程序执行的控制方法-CN201310671000.X有效
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吴一雷;乔鸿欣;王云天
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北京市计算中心
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2013-12-10
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2017-02-15
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G06F9/44
- 本发明公开了一种面向流体仿真二次开发程序执行的控制方法，包括S1、根据流体仿真二次开发程序执行的中间过程作业的状态特点，将运行中的作业解析为10个作业状态；S2、根据流体仿真二次开发程序执行的标准流程，对所述10个作业状态配置其转换逻辑；S3、通过在数据库中添加1个state字段和4个step字段，对作业执行状态的全流程进行记录；S4、基于状态机模式和数据库记录，调度系统根据作用当前状态，按照预先定义的作业执行状态间转换逻辑执行作业，以对作业的流程控制。该方法使得开发人员只需要关注作业流程逻辑和脚本，无需开发服务层程序，从而大大缩短开发周期。
- 一种二次开发程序执行控制方法
- [发明专利]基于BLAST的分布式基因序列比对方法-CN201110410201.5无效
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吴一雷;闫鹏程;刘充;李国锐;陈禹保;黄劲松;谢威
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北京市计算中心
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2011-12-09
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2012-06-27
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G06F19/22
- 本发明涉及计算机和生物信息学技术领域，公开了一种基于BLAST的分布式基因序列比对方法，包括：S1、程序对用户参数进行解析，并确定MPI线程个数，读取查询序列文件，根据任务个数分割查询序列，每个MPI线程读取各自的MPI线程序号；S2、根据MPI线程序号判断当前MPI线程是否为头节点，如果当前MPI线程是头节点，则等待其它MPI线程的通信请求，如果有则响应，并将当前任务分配给提出通信请求的线程；继续分配任务；如果当前MPI线程不是头节点，则先向头节点请求任务序号，根据任务序号读取查询序列文件片段，并执行BLAST，得到BLAST比对结果，然后将任务序号减1，执行BLAST完再请求任务序号；S3、合并所有BLAST比对结果。本发明能降低生物信息学研究的硬件成本。
- 基于blast分布式基因序列方法
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