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[发明专利]一种使用多层光刻胶制备复杂三维结构的方法-CN202310743149.8在审
发明人：张凡;袁颢轩;高华川;向运来 -专利权人：浙江超晶晟锐光电有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用多层光刻胶制备复杂三维结构的方法，具体步骤包括：步骤一：在洁净的衬底上涂一层光刻胶，并进行烘烤；步骤二：对上述制备的第一层光刻胶进行精准曝光，曝光出所需底层精确结构后进行短暂放置；步骤三：对放置后的衬底进行第二次涂胶，并进行烘烤；步骤四：对步骤三制备得到的第二层光刻胶进行精准曝光，第二层图案需被第一层图案完全包围；使用浸泡显影的方法进行统一显影；克服了现有的双层胶工艺应用范围限定在剥离工艺、底层开孔大小难以控制的限制，在缩短工艺周期，提高器件良率的同时还可以使光刻工艺可以在微距、保真的同时得到复杂的形貌。
一种使用多层光刻制备复杂三维结构方法

[发明专利]一种基于光刻工艺实现阵列图案的方法-CN202010255053.3有效
发明人：张凡;张妮伟;黄望林;向运来;李耀耀;芦鹏飞 -专利权人：超晶科技(北京)有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于光刻工艺实现阵列图案的方法，涉及图案设计及图案制备领域。本申请根据所需制备图案特征，首先选择与新图案尺寸相匹配的光刻掩膜版；然后采用光刻工艺在垂直性好的光刻胶上进行初始图案化，在衬底上形成一层具有功能化阵列镂空图案的光刻胶；进一步选择非垂直镀膜的工艺方法，在上一步初始图案上进行目标材料一层或多层的沉积；最后选择去胶液或丙酮剥离得到目标设计的图案阵列。通过上述工艺，本申请能够减少光刻图案对掩膜版的依附性和降低光刻工艺成本，同时还可以实现复杂图案，且提高良率。本申请还可应用于光电半导体领域，解决相关技术中无法形成像素电极图案的问题，而且可应用于半导体器件中制造精细图案的工艺。
一种基于光刻工艺实现阵列图案方法