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[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202280014185.4在审
发明人： 合田步美;中野秀亮;市川显二郎;山形悠斗 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供微小图案相对于检查光的对比度高、并且能够将EUV曝光中的投影效应抑制到最小限度的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备基板(11)、反射部(17)、以及低反射部(18)，低反射部(18)是具备吸收层(14)和最表层(15)的至少2层以上的层叠结构体，吸收层(14)相对于波长13.5nm的消光系数k为k＞0.041，当将吸收层(14)的膜厚设为da、最表层(15)的膜厚设为dc时，低反射部(18)的膜厚是满足0.5×da+dc≤21.5nm的膜厚、或者满足0.5×da+dc≥27.5nm的膜厚。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202280014195.8在审
发明人：五来亮平;合田步美 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供抑制投影效应的影响、并且具备高转印性能的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备：基板(11)、形成在基板(11)上并反射入射光的反射部(17)、以及形成在反射部(17)上并吸收入射光的低反射部(18)，低反射部(18)是具备吸收层(14)和相移层(15)的至少2层以上的层叠结构体，在反射部(17)上依次层叠吸收层(14)和相移层(15)，构成吸收层(14)的材料相对于波长13.5nm的光学常数满足消光系数k＞0.04，构成相移层(15)的材料相对于波长13.5nm的光学常数满足折射率n＜0.94、并且满足消光系数k＜0.02。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202180089908.2在审
发明人：中野秀亮;合田步美;市川显二郎;山形悠斗 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种反射型光掩模坯，其能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光作为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应，并且充分具有曝光时的耐热性。该反射型光掩模坯构成如下：具有基板(1)、形成在基板(1)上的包含多层膜的反射层(2)、以及形成在反射层(2)上的吸收层(4)。而且，吸收层(4)含有合计为50原子％以上的铟(In)和氮(N)。另外，吸收层(4)中的氮(N)相对于铟(In)的原子数比(N/In)为0.5以上1.5以下。此外，吸收层(4)的层厚设为17nm以上45nm以下。
反射型光掩模坯型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180089131.X在审
发明人：山形悠斗;合田步美;中野秀亮;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光作为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应、并且封盖层与低反射部的层间密合性高的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(5)以及低反射部(4)，反射部(5)具备多层反射膜(2)和封盖层(3)，封盖层(3)含有Ru，低反射部(4)含有40at％以上的选自Ag、Co、In、Pt、Sn、Ni、Te、及它们的化合物中的材料，低反射部(4)的从封盖层(3)侧起厚度2nm的区域中含有25at％以上的属于第1材料组的材料，或者含有30at％以上的属于第2材料组的材料，低反射部(4)的合计膜厚为45nm以下。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型掩模以及反射型掩模的制造方法-CN202180069205.3在审
发明人：市川显二郎;合田步美;中野秀亮;山形悠斗 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够减少投影效应、且充分地具备氢自由基耐性的反射型掩模以及反射型掩模的制造方法。本实施方式涉及的反射型掩模(100)具备：基板(11)、形成在基板(11)上的具有多层膜结构且反射EUV光的反射膜(12)、形成在反射膜(12)上且保护反射膜(12)的保护膜(13)、形成在保护膜(13)上的吸收EUV光的吸收膜图案(14a)、以及形成在吸收膜图案(14a)上的氧化覆膜(15)，吸收膜图案(14a)含有Sn和除Sn以外的金属元素，并且相对于除Sn以外的金属元素的合计原子量，Sn的原子量比(Sn/除Sn以外的金属元素)在1以上且小于20的范围内，氧化覆膜(15)对于氢自由基具有耐性，形成在吸收膜图案(14a)的表面和侧面。
反射型掩模以及制造方法

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180064457.7在审
发明人：松井一晃;合田步美 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供能够提高转印至晶圆上的图案的尺寸精度和形状精度、且能够长时间使用的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)依次具备：基板(1)、反射层(2)、以及吸收层(4)，吸收层(4)是包含第1材料群的材料和第2材料群的材料的层，第1材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面(4a)侧减少，第2材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面(4a)侧增加。第1材料群为Te、Co、Ni、Pt、Ag、Sn、In、Cu、Zn、Bi、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物，第2材料群为Ta、Cr、Al、Si、Ru、Mo、Zr、Ti、Zn、In、V、Hf、Nb、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型掩模坯以及反射型掩模-CN202180032346.8在审
发明人：市川显二郎;合田步美;中野秀亮 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供即使在使用高吸收性材料作为EUV掩模的吸收膜的情况下也可以形成微细的吸收膜图案，从而能够减轻投影效应、且能够进行电子束校正蚀刻的反射型掩模以及用于制作该反射型掩模的反射型掩模坯。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、形成在基板(1)上的具有多层膜结构且反射EUV光的多层反射膜(2)、形成在多层反射膜(2)上且保护多层反射膜(2)的封盖层(3)、以及形成在封盖层(3)上且吸收EUV光的吸收膜(4)，吸收膜(4)包含50原子％以上的构成氧化锡(SnO)和氧化铟(InO)中的至少一者的元素，并且包含容易被氟系气体或氯系气体蚀刻的材料。
反射型掩模坯以及型掩模

[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202180029440.8在审
发明人：中野秀亮;合田步美;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及在反射层(2)上形成的吸收层(4)，吸收层(4)由含有合计为50原子％以上的铟(In)和氧(O)的材料形成，吸收层(4)中的氧(O)相对于铟(In)的原子数比(O/In)超过1.5，吸收层(4)的膜厚在17nm以上45nm以下的范围内。
反射型光掩模坯型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180029533.0在审
发明人： 合田步美;山形悠斗;中野秀亮;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供对氢自由基的耐性高、且将投影效应抑制至最小限从而提高转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(7)以及低反射部(8)，低反射部(8)由吸收层(4)和最表层(5)构成，吸收层(4)包含合计为50原子％以上的选自第1材料群中的1种以上，最表层(5)包含合计为80原子％以上的选自第2材料群中的至少1种以上，第1材料群为铟、锡、碲、钴、镍、铂、银、铜、锌及铋、及它们的氧化物、氮化物以及氧氮化物，第2材料群为钽、铝、钌、钼、锆、钛、锌及钒、及它们的氧化物、氮化物、氧氮化物、以及铟氧化物。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202080082067.8在审
发明人：中野秀亮;合田步美;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及形成在反射层(2)上的吸收层(4)，吸收层(4)由含有合计为50原子％以上的锡(Sn)和氧(O)的材料形成，吸收层(4)中的氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过2.0，吸收层(4)的膜厚在17nm以上45nm以下的范围内。
反射型光掩模坯型光掩模

[发明专利]反射型掩模以及反射型掩模的制造方法-CN202080072898.7在审
发明人：市川显二郎;合田步美;中野秀亮 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供反射型掩模及其制造方法，该反射型掩模具有沿着转印图案的最表面和侧面均匀地形成、且EUV透射率高、耐清洗性高的被覆膜。因此，例如，反射型掩模(10)具备：基板(1)、形成在基板(1)上并反射入射的EUV光的多层反射膜(2)、形成在多层反射膜(2)上的至少一部分并吸收入射的EUV光的吸收层(4)、以及形成在多层反射膜(2)上和吸收层(4)上并透射入射的EUV光的被覆膜(5)，被覆膜(5)对于EUV光的消光系数k为0.04以下、具有对利用清洗液进行清洗的耐性、并且以均匀的膜厚形成在吸收层(4)的表面和侧面。
反射型掩模以及制造方法

[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202080039794.6在审
发明人： 合田步美;福上典仁 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供可以在抑制投影效应的同时提高掩模的寿命的反射型光掩模坯和反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、设置在基板(1)上并反射入射光的反射部(7)、以及设置在反射部(7)上并吸收入射光的低反射部(8)。低反射部(8)为至少2层以上的层叠结构。低反射部(8)的最表层(5)相对于EUV(Extreme UltraViolet：极端紫外线，波长13.5nm)光的折射率n为0.90以上、消光系数k为0.02以下。
反射型光掩模坯型光掩模

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