专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种吸附检测装置及吸附检测方法-CN202111495166.1有效
  • 刘晓亮;尹影;庞浩;司马超;王艺博 - 北京晶亦精微科技股份有限公司
  • 2021-12-08 - 2023-08-29 - G01N30/00
  • 本发明提供一种吸附检测装置及吸附检测方法。吸附检测装置包括:承载体;柔性膜单元,柔性膜单元包括第一柔性膜、第二柔性膜、第三柔性膜和柔性连接体,第一柔性膜、腔顶壁、第一顶侧壁和第二顶侧壁围成第一调压腔,柔性连接体、第二柔性膜、第一柔性膜、第一底侧壁、中心区的底面和第一子边缘区的底面之间围成第二调压腔,第三柔性膜位于第二柔性膜和柔性连接体的底部,第三柔性膜、第二底侧壁、柔性连接体和第二柔性膜围成第三调压腔;控制模块,控制模块适于控制第一调压腔、第二调压腔和第三调压腔的压强。所述吸附检测装置改变了由弹簧控制气路通断的方式,避免了由于弹簧的弹性系数选取不当导致吸附晶圆失败,甚至引发晶圆碎片。
  • 一种吸附检测装置方法
  • [发明专利]基板研磨装置和控制方法-CN202310621088.8在审
  • 边润立;庞浩;尹影;李婷;司马超;于然 - 北京晶亦精微科技股份有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-07-21 - B24B37/10
  • 本发明涉及基板研磨技术领域,提供了一种基板研磨装置和控制方法,该基板研磨装置包括抛光头和吸盘。抛光头内设置有第一气路通道;吸盘的顶部连接在抛光头的底部,吸盘的底部设置有与第一气路通道连通的气孔,以及位于气孔周围的接触面。通过气孔的负压直接吸附基板能够缩短基板装载在抛光头上的安装时间,气孔的吸附力和接触面的摩擦力可以使基板牢牢的与吸盘底部固定住,就不需要设置保持环,降低了研磨成本。此外,在卸载基板时,第一气路通道除了不向气孔提供负压之外,还可以向气孔提供气压,那么就能够快速的将基板卸载,减少了研磨过程整体时间,加快了研磨工艺的效率。
  • 研磨装置控制方法
  • [发明专利]一种抛光头及具有其的晶圆抛光装置-CN202310197939.0在审
  • 边润立;尹影;李婷;庞浩;司马超;于然 - 北京晶亦精微科技股份有限公司
  • 2023-03-01 - 2023-07-04 - B24B29/02
  • 本发明公开了一种抛光头及具有其的晶圆抛光装置,该抛光头包括本体;弹性膜组件,设置在本体上,弹性膜组件包括相互嵌套设置的内膜和外膜,其中,内膜固定设置在本体的底壁上,内膜上形成有多个适于作用于晶圆中心区域的相互独立的压力腔室;外膜卡套在本体的外周侧,外膜包覆在内膜外,且与内膜之间设有缓冲间隙;在研磨过程中,内膜通过外膜将作用力施加在晶圆上。本发明通过设置由内膜和外膜相互嵌套构成的弹性膜组件,在研磨过程中,由于晶圆对抛光头的反作用力直接作用在外膜上而非内膜上,外膜相对本体在径向上发生形变或位移并不会直接导致内膜的形变或位移,因此可减小内膜的位移或变形、提高研磨面的平坦度和工艺效果。
  • 一种抛光具有装置
  • [发明专利]一种抛光头和基板抛光装置及研磨方法-CN202310152463.9在审
  • 庞浩;李婷;尹影;边润立;司马超 - 北京晶亦精微科技股份有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-05-02 - B24B37/04
  • 本发明公开了一种抛光头和基板抛光装置及研磨方法,该抛光头包括:本体;吸附保持组件,固定设置在所述本体的底部中心位置,用于吸附基板,并将基板按压在抛光面上;边缘施力组件,设置在所述吸附保持组件的外周侧且位于所述本体的下方,所述边缘施力组件底壁适于按压在基板的周边区域,以调节基板的边缘区域受到的抛光压力。本发明中通过设置边缘施力组件可调节对基板边缘研磨量的控制;同时还设置有吸附保持组件,通过调节各通气槽和与其连通的各封闭吸附腔内的气压值,能够调节对基板中部位置的研磨量,从而提高基板表面的均匀性和一致性,达到高平坦化的目的。
  • 一种抛光装置研磨方法
  • [发明专利]适于清洗研磨垫沟槽内废弃物的腔室结构及清洗方法-CN202211487486.7在审
  • 司马超;尹影;张康;庞浩 - 北京晶亦精微科技股份有限公司
  • 2022-11-21 - 2023-04-25 - B24B53/017
  • 本申请公开了一种适于清洗研磨垫沟槽内废弃物的腔室结构及清洗方法,腔室结构的内部设有相互独立设置的清洗腔和真空吸附腔,腔室结构的外壁设有与清洗腔连通的清洗腔接口和与真空吸附腔连通的真空吸附接口,清洗腔接口适于连接清洗装置以供清洗介质进入清洗腔内,真空吸附接口适于连接真空吸附装置以便进入真空吸附腔内的带有废弃物的清洗介质被向外吸出,腔室结构的底部还设有下凹腔,下凹腔的底部开口适于被研磨垫上表面密封;腔室结构的内部还设有连通下凹腔和清洗腔的清洗孔、以及连通下凹腔和真空吸附腔的真空吸附孔。可将研磨垫上表面上的沟槽内的废弃物经分解清洗并吸附出研磨垫上表面。
  • 适于清洗研磨沟槽废弃物结构方法
  • [发明专利]一种研磨头及具有其的晶圆研磨装置-CN202210279801.0有效
  • 庞浩;尹影;李婷;刘晓亮;司马超;边润立 - 北京晶亦精微科技股份有限公司
  • 2022-03-21 - 2023-04-07 - B24B37/00
  • 本发明涉及晶圆研磨技术领域,具体涉及一种研磨头及具有其的晶圆研磨装置。一种研磨头,包括:本体,所述本体内沿施力方向依次设有第一软膜腔室和第二软膜腔室;施力结构,设于所述第一软膜腔室和第二软膜腔室的连接处,且延伸至接近所述第二软膜腔室的作用面的外边缘,具有在所述第一软膜腔室中的气体压力作用下对所述第二软膜腔室的作用面的外边缘施力,以使其按压待研磨件的边缘的第一状态,和在所述第一软膜腔室内未填充气体时,与所述第二软膜腔室的作用面的外边缘间隙设置的第二状态。本发明提供了一种使晶圆研磨后更加平坦、均匀、一致的研磨头及具有其的晶圆研磨装置。
  • 一种研磨具有装置
  • [发明专利]研磨液滴定装置-CN202211453282.1在审
  • 司马超;尹影;李婷;张康;庞浩 - 北京烁科精微电子装备有限公司
  • 2022-11-18 - 2023-02-24 - B24B57/02
  • 本申请公开了一种研磨液滴定装置,包括:研磨液滴定结构,其下方设有研磨液滴定腔,所述研磨液滴定腔适于和研磨垫上表面形成容纳研磨液的腔室,所述研磨液滴定结构上开设有与所述研磨液滴定腔连通、适于供研磨液进入所述研磨液滴定腔内的研磨液滴定口;压板结构,包括位于所述研磨液滴定腔内的压板;驱动结构,适于驱动所述压板在所述研磨液滴定腔内做往复运动。由于研磨液滴定腔和研磨垫上表面形成腔室,腔室可容纳研磨液,让研磨液不会随研磨垫的圆周运动而甩出研磨液滴定腔,提高研磨液的使用效率。
  • 研磨滴定装置
  • [发明专利]一种抛光监测装置和抛光监测方法-CN202111279956.6有效
  • 刘晓亮;尹影;庞浩;司马超 - 北京烁科精微电子装备有限公司
  • 2021-10-29 - 2023-01-24 - B24B37/30
  • 本发明提供一种抛光监测装置和抛光监测方法,所述抛光监测装置包括抛光头,所述抛光头包括柔性膜和承载体,所述柔性膜包括柔性膜主体和若干间隔件,若干个间隔件、柔性膜主体和承载体围成若干个间隔的气体腔;与气体腔连通的气路;压力控制模块包括若干个压力传感单元、若干个信号处理单元、控制单元和若干个压力调节单元,所述控制单元适于根据所述若干个信号处理单元的输出信号的频率带宽一一对应控制所述若干个压力调节单元调节对应的气路中的压强。本发明通过监测抛光过程中柔性膜内气体压强的波动频率来实时监测去除量,压力控制模块根据监测结果实时调整抛光去除量,避免了将抛光去除量的监测和调整分别进行的繁琐过程,显著提高了效率。
  • 一种抛光监测装置方法
  • [发明专利]一种研磨液滴定装置、机构、系统及研磨方法-CN202211228208.X在审
  • 尹影;庞浩;司马超;李婷;刘晓亮;边润立 - 北京烁科精微电子装备有限公司
  • 2022-10-09 - 2022-12-20 - B24B57/02
  • 本发明涉及半导体加工技术领域,具体涉及一种研磨液滴定装置、机构、系统及研磨方法,研磨液滴定装置包括呈条形状的主体,其内部为空腔,主体顶部设有至少一个进液口,主体底部为开口并形成出液口,开口内侧壁为斜面,斜面呈内倾或外倾结构,沿主体长度的方向,其一端为固定端另一端为摆动端。对晶圆进行研磨时,开口内侧壁呈内倾或外倾结构的斜面可将研磨液均匀刮涂在研磨垫表面的沟槽中,避免受离心力作用向研磨垫边缘位置扩散,使研磨垫中心与边缘位置的研磨液分布均匀,减少了研磨垫中心与边缘的表面结构损耗产生差异,从而使研磨时的晶圆的研磨速率更加稳定,提高了产品的良品率,具有结构简单,操作便捷的优点。
  • 一种研磨滴定装置机构系统方法
  • [发明专利]一种万向节及具有其的抛光头-CN202211019777.3在审
  • 庞浩;尹影;李婷;刘晓亮;司马超;边润立 - 北京烁科精微电子装备有限公司
  • 2022-08-24 - 2022-10-11 - B24B37/30
  • 本发明涉及半导体抛光技术领域,提供了一种万向节及具有其的抛光头,该万向节,至少包括:导向轴;底盘,设置在所述导向轴的一端,底盘的盘面与所述导向轴相垂直;沿所述底盘的径向方向由内向外、所述底盘背对所述导向轴的一面至少设置有两级阶梯面,以使所述盘面在平衡抛光头与研磨垫之间的平行度误差时能够发生弹性变形。本发明提供的万向节,在底盘的盘面上至少设置有两级阶梯面,从而是底盘具有类似碟簧的作用,在平衡抛光头与研磨垫之间的平行度误差时,底盘可以发生弹性形变,避免底盘在使用中发生塑性变形或者开裂,从而防止造成漏气现象,避免抛光头失效。
  • 一种万向节具有抛光
  • [发明专利]一种晶圆等离子清洗装置及晶圆加工设备-CN202111665372.2在审
  • 司马超;尹影;庞浩;刘晓亮 - 北京烁科精微电子装备有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-04-12 - B08B7/00
  • 本发明涉及晶圆清洗装置设备技术领域,具体涉及一种晶圆等离子清洗装置及晶圆加工设备。晶圆等离子清洗装置包括:清洗腔体,其一个侧面敞口以适于晶圆进出,清洗腔体外侧设有适于固定在EFEM区的安装部;多个电极板,固定于清洗腔体内且每个电极板皆水平布置,多个电极板间隔分布且相邻电极板的极性相反,电极板的上表面设有一组支撑块,每组支撑块适于支撑一个晶圆,支撑块由非金属材质制成,支撑块的支撑面与对应电极板的上表面之间形成适于EFEM机械手取放料的间隙;自动式插板阀,安装在清洗腔体敞口的侧面,且适于控制清洗腔体的开闭。本发明提供的晶圆等离子清洗装置,能够提高晶圆的清洗效率,同时避免晶圆受到二次污染。
  • 一种等离子清洗装置加工设备
  • [实用新型]一种便捷多功能人字梯-CN202120228786.8有效
  • 司马超;丁越 - 上海上房物业服务股份有限公司
  • 2021-01-27 - 2022-01-04 - E06C1/18
  • 一种便捷多功能人字梯,包含人字梯主体、第一承重支架、第二承重支架、第一伸缩杆、第二伸缩杆、收纳部件及传递部件,人字梯主体两端分别与第一承重支架及第二承重支架连接,第一伸缩杆底部与第一承重支架顶部连接,第二伸缩杆底部与第二承重支架顶部连接,收纳部件固定连接第一伸缩杆,传递部件固定连接第二伸缩杆。本实用新型通过支架组件将操作人员不便携带又要反复使用的工具放置在收纳袋中,对于拆卸下的灯罩、中央空调滤网等大件物品可使用挂钩传递给地面人员,有效增加了人员使用过程中的安全性。
  • 一种便捷多功能人字梯

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