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[发明专利]基于高阶奇异点的传感器及其制备方法-CN202310923689.4在审
发明人： 史弘康;陈泽;张晓波;李磊;方舟 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料与器件技术领域，尤其涉及一种基于高阶奇异点的传感器及其制备方法，传感器包括光学微腔、介质波导和光电探测器；光学微腔的数量若干且结构相同；每个光学微腔到介质波导的距离相等，相邻光学微腔之间的距离相等；光学微腔被激光器发出的圆偏振光激发后产生相同的手性模式，光学微腔间通过介质波导发生单向耦合，在系统内产生用于对扰动进行反馈的高阶奇异点，奇异点的阶数仅由相同光学微腔的数量决定；光电探测器设于介质波导的输出端用于接收光谱。本发明基于高阶奇异点对于微小扰动进行有效反馈，增加传感器的灵敏度。
基于奇异传感器及其制备方法

[发明专利]一种激光器和硅光芯片双透镜耦合封装方法-CN202310939059.6在审
发明人：张晓波;李磊;方舟;陈泽;史弘康 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明涉及硅基光子集成技术，尤其涉及一种激光器和硅光芯片的双透镜耦合封装方法，首先，激光器芯片和硅光芯片按照从前到后的位置摆放并贴装于衬底上；其中，所述硅光芯片上设置第一波导阵列和用于获取波导中光功率的第一探测器阵列；将准直透镜放置于激光器芯片和硅光芯片之间，调整准直透镜的位置，基于第一探测器阵列记录的耦合进主波导、辅助波导的光电流大小及光电流分布来确定准直透镜位置，从而固化准直透镜；将聚焦透镜放置于准直透镜和硅光芯片之间，调整聚焦透镜的位置，基于第一探测器阵列记录的耦合进主波导和辅助波导的光电流大小来确定聚焦透镜位置，从而固化聚焦透镜。本发明系统简单、低成本、效率高。
一种激光器芯片透镜耦合封装方法

[发明专利]具有高边带抑制比的硅基光学相控阵结构及其计算方法-CN202310506730.8在审
发明人：陈泽;方舟;史弘康;张晓波;李磊 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02F1/295 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高边带抑制比的硅基光学相控阵，包括激光器、耦合分束器、相位调制器、传输波导和耦合光栅，耦合分束器、相位调制器、传输波导和耦合光栅均集成在二氧化硅衬底上，激光器的出射光束入射耦合分束器，耦合分束器将单路光分束为多路光，每一路分束光同时进入相位调制器进行相位调制，传输波导连接相位调制器和耦合光栅，耦合光栅将相位调制后的多路光辐射至远场。本发明还公开一种具有高边带抑制比的硅基光学相控阵结构的计算方法。优点：本发明通过调节阵列波导和主波导之间耦合区域的长度，使得光学相控阵的近场光强满足高斯分布，提高远场光强的边带抑制比。
具有边带抑制光学相控阵结构及其计算方法

[发明专利]一种硅基外腔可调谐激光器及其锁模方法-CN202310887203.6在审
发明人：李磊;史弘康;陈泽;张晓波;方舟 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种硅基外腔可调谐激光器及其锁模方法，所述激光器包括：硅光子外腔芯片、控制器和集成在所述硅光子外腔芯片上的锁模装置；锁模装置包括微环增强型MZI、2x4MMI耦合器和探测器组；其中，微环增强型MZI上包层采用TiO2；其中，硅光子外腔芯片产生的探测光进入微环增强型MZI，微环增强型MZI后面采用2x4MMI和探测器组作为接收端监控探测光从而获得正交差分功率值并反馈至控制器；控制器用于对锁模装置反馈的差分功率值调整施加在硅光子外腔芯片上的电压值。本发明基于Si‑TiO2波导的增强MZI结构，既可以实现绝热传导，又可以提高输出线性度，并通过锁模装置产生正交差分信号，提高了检测准确性。
一种硅基外腔可调谐激光器及其方法

[发明专利]非热敏感片上波长锁定器及激光器波长锁定的方法-CN202310558725.1在审
发明人：张晓波;史弘康;李磊;方舟;陈泽 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种非热敏感片上波长锁定器，包括锁定器入射波导、非热敏感标准具、连接波导、多路单通道接收器、接收器输出和控制系统，待锁定波长的光信号通过锁定器入射波导进入非热敏感标准具，非热敏感标准具的多路输出信号通过连接波导一一对应进入单通道接收器，控制系统连接接收器输出，选择一路或几路输出信号作为波长锁定器的参考值。本发明还公开一种基于非热敏感片上波长锁定器的激光器波长锁定的方法。优点：本发明的波长锁定器，实现与石英材料相当的热温度系数，具有集成度高、良率高、可靠性高等优点。本发明的方法，选择灵敏度大的支路作为待锁定波长的参考支路，可以避免色散带来的无效锁定，实现大波长范围的波长锁定。
敏感波长锁定激光器方法

[发明专利]基于旋转介质腔的光隔离器的构造方法-CN202310558474.7在审
发明人： 史弘康;张晓波;陈泽;方舟;李磊 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于旋转介质腔的光隔离器的构造方法，包括如下步骤：S1、选定光隔离器放置的片上波导区域；S2、在S1的选定片上波导区域内构造旋转介质腔；S3、将旋转介质腔尽可能靠近波导并置于真空室内，在结合处密封处理，片上波导连通；S4、片上波导和旋转介质腔的耦合结构构成了光隔离器。优点，本发明的光隔离器由旋转的介质腔和波导的耦合结构组成，为光隔离器的设计提供了一种新的设计思路。该方案与其它传统光隔离器实现方案相比，无需引入磁场和磁性材料，也不依靠非线性效应和折射率调制，不仅可以满足任意信号功率的要求，器件性能优化方向更为明确，而且同时适用于集成波导系统和光纤系统。
基于旋转介质隔离器构造方法

[发明专利]线性调频连续波激光器、校准方法及校准过程中算法处理流程-CN202310040053.5在审
发明人：李磊;张晓波;方舟;史弘康;陈泽 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成校准装置的线性调频连续波激光器，包括增益芯片和硅光子外腔芯片，校准装置集成在硅光子外腔芯片上，硅光子外腔芯片上依次设置边缘耦合器、第一直接耦合器、相控区、分束器、微环滤波器和第二直接耦合器，边缘耦合器、第一直接耦合器、相控区、分束器、微环滤波器和第二直接耦合器均为硅光子外腔芯片上的波导结构，均由硅波导相连。本发明还公开了一种线性调频连续波激光器校准方法和一种线性调频连续波激光器校准过程中的算法处理流程。优点：本发明将校准装置集成在硅光子外腔芯片上，无需外置，既提高了器件的集成度，又降低了成本。
线性调频连续波激光器校准方法过程算法处理流程

[发明专利]硅基电光调制器的补偿掺杂方法及其硅基电光调制器-CN202211396933.8在审
发明人： 史弘康;方舟;李磊;张晓波;陈泽 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基电光调制器的补偿掺杂方法，使用III‑V族元素离子垂直注入的方法进行主掺杂构造P‑N结，通过斜向离子注入的方式进行调制区补偿掺杂；本发明还公开一种硅基电光调制器，包括依次堆叠的硅衬底、隐埋氧化硅层、顶层硅波导调制区和顶层覆盖氧化硅层，顶层硅波导调制区的硅波导沿第一方向依次包括n型重掺杂区、n型主掺杂区、p型主掺杂区和p型重掺杂区，其中补偿掺杂后形成的n‑型轻掺杂区和p‑型轻掺杂区分别位于波导脊区两侧上方。优点，波导调制区补偿掺杂降低此类硅基电光调制器的插入损耗，且不会明显影响调制器的调制效率；斜向离子注入显著减少制作掩膜和对准校正的次数，降低制作成本，减小对准误差，有助于提高器件的良率。
电光调制器补偿掺杂方法及其

[发明专利]一种硅基外腔型可调谐激光器及其锁模方法-CN202210558821.1在审
发明人：李磊;张晓波;方舟;史弘康 -专利权人： NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01S3/11 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基外腔型可调谐激光器，包括：硅基外腔芯片以及集成在硅基外腔芯片上的锁模装置，控制器依据锁模装置反馈的功率值调整施加在相控区及调谐侧微环滤波器上的电压值。将锁模装置单片集成在硅基外腔芯片上，不仅工艺简单，而且无需外购标准具，既提高了器件的集成度，又降低了成本。本发明还提供一种锁模方法，采用至少两个透射谱错位的微环滤波器，当腔模发生跳变时，可保证至少有一路信号会出现明显变化，从而保证实时锁模以及波长锁定的准确度与即时性。
一种硅基外腔型可调谐激光器及其方法

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