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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于光学计量的高度相关参数的相关性的动态移除-CN201480037324.0有效
发明人：李列泉;利奥尼德·波斯拉夫斯基;史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G01N21/00 文献下载
摘要：本发明描述用于光学计量的高度相关参数的相关性的动态移除。方法的实施例包含：确定结构的模型，所述模型包含参数集合；执行所述结构的光学计量测量，包含收集硬件元件上的光谱数据；在所述结构的所述测量期间，动态地移除所述参数集合中的两个或两个以上参数的相关性，相关性的所述动态移除的反复包含：产生所述参数集合的雅可比矩阵，应用所述雅可比矩阵的奇异值分解，选择所述参数集合的子集及基于参数的所述子集来计算参数搜索的方向。如果所述模型不收敛，那么执行相关性的所述动态移除的一或多次额外反复，直到所述模型收敛；及如果所述模型收敛，那么报告所述测量的结果。
用于光学计量高度相关参数相关性动态

[发明专利]用于图案化晶片表征的方法与设备-CN201480054194.1有效
发明人：撒迪厄斯·吉拉德·奇乌拉;史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫;亚历山大·库兹涅佐夫;安德烈·V·舒杰葛洛夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2014-08-05 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明揭示用于表征半导体晶片上的多个所关注结构的设备及方法。从度量衡系统的一或多个传感器按多个方位角从特定所关注结构测量多个光谱信号。基于针对所述方位角而获得的所述光谱信号来确定光谱差值。基于分析所述光谱差值来确定及报告所述特定所关注结构的质量指示。
用于图案晶片表征方法设备

[发明专利]用于确定聚焦的方法及设备-CN201480053871.8有效
发明人： 史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明揭示用于确定光刻系统的最优聚焦的设备及方法。从位于半导体晶片上的多个场中的特定目标获取多个光学信号，且所述场是使用包含不同聚焦值的不同工艺参数来形成。从所述光学信号提取与聚焦的变化相关的特征。将对称曲线拟合到依据聚焦变化的所述光学信号的所述所提取特征。确定所述对称曲线中的极值点且将其报告为用于所述光刻系统中的最优聚焦。
用于确定聚焦方法设备

[发明专利]用于半导体目标的度量的差分方法及设备-CN201480054894.0有效
发明人： 史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫;安德烈·V·舒杰葛洛夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明揭示用于确定半导体结构的工艺参数或结构参数的设备及方法。从定位于半导体晶片上的多个区段中的一或多个目标获取多个光学信号。所述区段与用于制造所述一或多个目标的不同工艺参数相关联，且所述经获取的光学信号含有关于顶部结构的所关注参数POI的信息及关于形成于此顶部结构下方的一或多个底层的一或多个底层参数的信息。产生特征提取模型以从此类经获取的光学信号提取多个特征信号使得所述特征信号含有用于所述POI的信息且排除用于所述底层参数的信息。基于通过所述特征提取模型提取的所述特征信号来确定每一区段的每一顶部结构的POI值。
用于半导体目标度量方法设备

[发明专利]基于模型的度量及过程模型的经整合使用-CN201380073157.0在审
发明人：亚历山大·库兹涅佐夫;安德烈·V·舒杰葛洛夫;史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明揭示用于基于整合基于度量的目标模型及基于过程的目标模型的测量模型来执行测量的方法及系统。采用经整合测量模型的系统可用于测量一或多个目标的结构及材料特性，且还可用于测量过程参数值。可按若干不同方法将基于过程的目标模型与基于度量的目标模型整合。在一些实例中，基于所述基于过程的目标模型来确定对度量模型参数的值的范围的约束。在一些其它实例中，所述经整合测量模型包含由所述基于过程的目标模型所约束的所述基于度量的目标模型。在一些其它实例中，基于所述过程模型，依据其它度量模型参数来表示一或多个度量模型参数。在一些其它实例中，将过程参数代入所述度量模型。
基于模型度量过程整合使用

[发明专利]基于光谱敏感度及工艺变化的测量配方优化-CN201380031757.0在审
发明人： 史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示一种优化测量配方，其通过缩减实现满意测量结果所需的测量技术及机器参数范围集合加以确定。测量技术及机器参数范围集合的所述缩减是基于与初始测量模型相关联的可用工艺变化信息及光谱敏感度信息。所述工艺变化信息及所述光谱敏感度信息用以确定浮动参数较少且参数之间相关性较小的第二测量模型。使用所述第二约束模型及对应于缩减的测量技术及机器参数范围集合的测量数据集合执行后续测量分析。比较所述后续测量分析的结果与参考测量结果以确定估计参数值与从所述参考测量导出的参数值之间的差是否在预定阈值内。
基于光谱敏感度工艺变化测量配方优化

[发明专利]基于跨越晶片的参数变化的测量模型优化-CN201380033194.9无效
发明人： 史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：基于跨越半导体晶片的参数变化的模型来确定优化测量模型。全局跨晶片模型依据所述晶片上的位置而表征结构参数。通过使用工艺变化的所述跨晶片模型约束测量模型而优化所述测量模型。在一些实例中，所述跨晶片模型本身为参数化模型。然而，所述跨晶片模型表征所述晶片上的任何位置处的结构参数的值，其中参数远少于在每个位置处将所述结构参数视为未知的测量模型。在一些实例中，所述跨晶片模型基于所述晶片上的位置在未知结构参数值之间产生约束。在一个实例中，所述跨晶片模型基于测量位点的群组在所述晶片上的位置而使与所述测量位点的群组相关联的结构参数值相关。
基于跨越晶片参数变化测量模型优化

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