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- [发明专利]固态成像装置和电子设备-CN202310665890.7在审
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渡部泰一郎;古闲史彦
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索尼公司
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2017-03-17
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2023-09-19
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H01L27/146
- 本发明涉及固态成像装置和电子设备。固态成像装置包括：基板，包括浮动扩散区(FD)；控制晶体管；第一光电转换部；基板中的第二光电转换部，其中，第一光电转换部和第二光电转换部被配置成基于入射光执行光电转换；上电极；下电极，其中，第一光电转换部、上电极和下电极在基板的外部，并且上电极和下电极夹着第一光电转换部；像素阵列上的开口像素，其中，开口像素被配置成生成正常像素信号；光黑(OPB)像素，位于像素阵列的端部处，其中，OPB像素被配置成生成表示暗电流分量的像素信号；以及电荷释放部，位于开口像素与OPB像素之间，其中，电荷释放部被配置成释放从开口像素流出的电荷，并且与电荷释放部对应的第二光电转换部经由控制晶体管连接到FD。
- 固态成像装置电子设备
- [发明专利]固态成像装置和电子设备-CN201780018716.6有效
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渡部泰一郎;古闲史彦
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索尼公司
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2017-03-17
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2023-06-20
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H01L27/146
- 本公开涉及一种固态成像装置和电子设备，在开口像素中出现过度曝光的情况下可以减小对OPB像素的影响。作为本公开的一个方面的固态成像装置具有第一光电转换部、形成在基板之外的上电极和下电极，第一光电转换部根据入射光执行光电转换，上电极和下电极形成为夹入第一光电转换部。固态成像装置包括：开口像素，其设置在像素阵列上，并生成正常像素信号；OPB像素，其设置在像素阵列的端部处，并且生成表示暗电流分量的像素信号；以及电荷释放部，其设置在开口像素与OPB像素之间，并释放从开口像素流出的电荷。本公开可以应用于背照式垂直分光CMOS图像传感器。
- 固态成像装置电子设备
- [发明专利]摄像元件、层叠型摄像元件和摄像装置-CN202211473759.2在审
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古川明;安藤良洋;富樫秀晃;古闲史彦
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索尼公司
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2017-11-14
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2023-03-31
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H01L27/146
- 本发明涉及摄像元件、层叠型摄像元件和摄像装置。摄像元件包括具有第一电极、光电转换层、第二电极、绝缘层和电荷存储电极的光电转换单元。所述绝缘层包括N个绝缘层段，其中N大于或等于2。所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间。所述光电转换单元包括N个光电转换单元段，第n个光电转换单元段包括所述电荷存储电极、第n个绝缘层段和所述光电转换层，其中n＝1,2,3...,N，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且第1个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度不同于第N个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度。
- 摄像元件层叠装置
- [发明专利]成像器件和电子装置-CN202010078044.1有效
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古闲史彦
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索尼半导体解决方案公司
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2015-02-27
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2022-12-16
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H04N5/363
- 一种成像器件，其包括像素，所述像素包括：第一光电转换单元；浮动扩散部，其连接到所述第一光电转换单元；第一晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极中的一者连接到所述浮动扩散部；第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接到所述浮动扩散部；第三晶体管，所述第三晶体管的源极或漏极中的一者连接到所述第二晶体管的源极或漏极中的一者；第四晶体管，所述第四晶体管的源极或漏极中的一者连接到所述第二晶体管和所述第三晶体管之间的节点。所述第一晶体管的源极或漏极中的另一者与所述第四晶体管的源极或漏极中的另一者配置成具有相同的电位。所述第二晶体管和所述第四晶体管具有相同的沟道类型。
- 成像器件电子装置
- [发明专利]图像处理器、图像处理方法和摄像设备-CN202210968148.9在审
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古闲史彦;山口哲司
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索尼半导体解决方案公司
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2019-01-29
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2022-12-09
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H04N9/04
- 本发明涉及图像处理器、图像处理方法和摄像设备。其中，图像处理器可包括：图像分割处理部，其基于包括多个像素值的第一图像图谱数据产生多个第一图谱数据；插值处理部，其利用插值处理产生与多个第一图谱数据相对应的多个第二图谱数据；合成处理部，其通过以下方式产生第三图谱数据：基于多个第二图谱数据中彼此相对应的位置处的像素值，产生与彼此相对应的位置相对应的位置处的像素值；以及插值控制器，插值控制器被构造成基于第一图像图谱数据确定插值处理中的处理方法，其中，插值控制器被构造成基于第一图像图谱数据、第二图像图谱数据和第三图像图谱数据产生合成的图谱数据，并基于合成的图谱数据确定插值处理中的处理方法。
- 图像处理器处理方法摄像设备
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