“古川泰助”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁式位置检测装置-CN201080062969.1有效
发明人： 古川泰助;秋山浩一;黑岩丈晴;川野裕司;小林浩 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01D5/245 文献下载
摘要：磁式位置检测装置（10）具备磁铁（4）、形成在沿着基板（3）的假想平面上的第1~第4磁电转换元件（1A~1D）、以及由磁性体构成的磁通导向器（5）。磁通导向器（5）包括在与假想平面平行的X轴方向上隔开间隔而设置的第1以及第2突出部（9B、9A）。在从与假想平面垂直的Z轴方向观察时，在第1以及第2突出部之间的中央附近的磁通导向器（5）中设置了凹状地凹陷的中央部（MP）。在从Z轴方向观察时，第1以及第4磁电转换元件（1A、1D）以覆盖中央部（MP）的一部分的方式设置于第1以及第2突出部之间的大致中央。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第1突出部（9B）与中央部（MP）之间。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第2突出部（9A）与中央部（MP）之间。
位置检测装置

[发明专利]磁式位置检测装置-CN201110220082.7有效
发明人：川野裕司;小林浩;西川和康;古川泰助 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01D5/16 文献下载
摘要：本发明提供磁式位置检测装置。可降低与磁式位置检测装置在制造上的偏差相对应的输出信号的偏差，易于制造且价廉。此外，可改善装置的特性。磁式位置检测装置包括基板、磁体、包含在基板上形成的第一至第四磁电转换元件的桥式电路、以及检测电路。基板的表面与磁体的磁化方向大体垂直，沿磁体的磁化方向来看，第二及第三磁电转换元件配置在与垂直于磁体的磁化方向且垂直于磁性移动体的移动方向的直线平行的、通过磁体的磁极的中心点的直线上或其附近，在不与磁性移动体相对的情况下，第一及第四磁电转换元件配置成使得所施加的磁场在基板表面的分量与第二及第三磁电转换元件大体相同。
位置检测装置

[发明专利]磁存储器元件和磁存储器器件-CN201110075860.8无效
发明人：长永隆志;古川泰助;黑岩丈晴 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供磁存储器元件和磁存储器器件。该磁存储器元件包括：记录层，能够由于外部磁场而改变磁化方向，并且具有易磁化轴和与该易磁化轴相交的难磁化轴；写入线，用于在记录层的布局位置处形成在与易磁化轴的方向相交的方向上的磁场；以及位线，在与写入线相交的方向上延伸，并且用于在记录层的布局位置处形成在与难磁化轴的方向相交的方向上的磁场。记录层的至少部分放置为介于写入线与位线之间。从写入线和位线与记录层彼此层压的方向看，相对于从层压方向看沿写入线延伸的方向的该写入线的虚拟第一中心线而言，记录层的平面形状的一个部分位于一侧上且另一部分位于另一侧上。从层压方向看的该一个部分的面积小于或等于该另一部分的面积的1/3。
磁存储器元件器件

[发明专利]磁场检测装置及其制造方法-CN200610084417.6有效
发明人： 古川泰助;小林浩;长永隆志;黑岩丈晴;拜山沙德克;滝正和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。
磁场检测装置及其制造方法

[发明专利]磁场检测装置以及对其进行调整的方法-CN200610128852.4有效
发明人： 古川泰助;小林浩;长永隆志;黑岩丈晴;拜山沙德克;滝正和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。
磁场检测装置以及进行调整方法

[发明专利]磁场检测器、和使用磁场检测器的电流检测器件、位置检测器件与旋转检测器件-CN200480041867.6有效
发明人：长永隆志;小林浩;黑岩丈晴;拜山沙德克;古川泰助 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁场检测器，具有参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件。参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括反铁磁层、磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的固定层、非磁性层、以及磁化方向适合于由外磁场改变的铁磁材料的自由层。参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此平行或反平行，磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此不同。从而，可提供一种无论何时需要都能够独自校准检测器的灵敏性和分辨率的磁场检测器。
磁场检测器使用电流检测器件位置旋转