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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]影像感测器像素结构-CN201510453692.X有效
发明人：周志飚;吴少慧;古其发;林震宾;吴俊元;许家福 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像感测器像素结构，其为背照式影像感测器像素结构，包含有一基底、一形成于该基底内的感光元件、二个氧化物半导体场效晶体管(oxide‑semiconductor field effect transistor，OS FET)元件、以及一电容。该基底包含有一正面与一背面，而该感光元件即用以接收一穿过该基底的该背面的入射光。该二个OS FET元件设置于该基底的该正面上，且直接设置于该感光元件上。该电容设置于该基底的该正面上，且直接设置于该感光元件与该二个OS FET元件上。该二个OS FET元件与该感光元件重叠，而该电容与该感光元件以及该二个OS FET元件重叠。
影像感测器像素结构

[发明专利]金属绝缘体金属电容器与其制造方法-CN201410621397.6有效
发明人：周志飙;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开一种金属绝缘体金属电容器与其制造方法。制造金属绝缘体金属电容器的方法包括以下步骤：提供五层双介电质结构于基板上。五层双介电质结构包括底部金属层、第一介电层、中间金属层、第二介电层以及上部金属层依序堆叠而上。第一介电层与第二介电层具有不同厚度。
金属绝缘体电容器与其制造方法

[发明专利]具有电感和金属-绝缘层-金属电容的结构-CN201410748125.2有效
发明人：周志飚;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明公开一种具有电感和金属‑绝缘层‑金属电容的结构，前述结构包含一介电层、一电感和一金属‑绝缘层‑金属电容，电感和金属‑绝缘层‑金属电容设置于介电层中，电感包含一核芯结构以及一线圈环绕核芯结构，金属‑绝缘层‑金属电容包含一上电极、一下电极以及一绝缘层，值得注意的是上电极和下电极两者其中之一包含构成核芯结构的材料。
具有电感金属绝缘电容结构

[发明专利]集成电路及形成集成电路的方法-CN201410235335.1有效
发明人：周志飚;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路及形成集成电路的方法。该集成电路包含一电容以及一无感电阻。一基底具有一电容区以及一电阻区。一图案化堆叠结构由下至上具有一底导电层、一绝缘层以及一顶导电层，夹置于依序设置于基底上的一第一介电层以及一第二介电层之间。一第一金属插塞以及一第二金属插塞分别接触电容区的顶导电层以及底导电层，因而使在电容区中的图案化堆叠结构构成电容。一第三金属插塞以及一第四金属插塞分别接触电阻区的底导电层以及顶导电层，且一第五金属插塞同时接触电阻区的底导电层以及顶导电层，因而使在电阻区中的图案化堆叠结构构成无感电阻。
集成电路形成方法

[发明专利]半导体结构-CN201410247121.6有效
发明人：周志飚;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括一堆叠电容结构。堆叠电容结构包括一第一内金属层、一第一绝缘层、一第二内金属层、一第二绝缘层及一第三内金属层。第一内金属层包括一第一衬垫区邻近第一内金属层的一边缘。第一绝缘层设置于第一内金属层上且暴露第一衬垫区。第二内金属层设置于第一绝缘层上，第二内金属层包括一第二衬垫区邻近第二内金属层的一边缘。第二绝缘层设置于第二内金属层上且暴露第二衬垫区。第一衬垫区与第二衬垫区具有多个衬垫。第三内金属层覆盖第二内金属层，且包括至少一第一狭缝区。第一狭缝区对应于第二衬垫区，使第二衬垫区上的衬垫裸露。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201510216493.7在审
发明人：周志飚;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包含有基底，第一元件，位于该基底中，并且该第一元件沿着第一方向排列，其中该第一元件由氧化半导体材质所形成，介电层覆盖于该第一元件上，以及第二元件，位于该介电层上，并且沿着该第一方向排列，其中该第二元件则作为晶体管结构的栅极使用。
半导体结构

[发明专利]具有被动元件的芯片堆叠中介结构及其制造方法-CN201410100081.2在审
发明人：周志飚;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开一种具有被动元件的芯片堆叠中介结构，包括中介层、电容器、第一接触窗及第二接触窗。电容器嵌于中介层中或位于中介层上，包括第一电极、第二电极，以及位于第一、第二电极之间的介电质。第一接触窗与第一电极连接，第二接触窗与第二电极连接，且第一接触窗与第二接触窗在中介层的同一侧或不同侧。
具有被动元件芯片堆叠中介结构及其制造方法

[发明专利]消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法-CN200310122915.1有效
发明人：吴汉明;宋伟基;邢国强;古其发 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-12-29 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其步骤包括：a.将一氮化层沉积在一金属导电层上；b.将一氟硅玻璃沉积在该氮化层上，且该氟硅玻璃中开设若干个圆孔或沟槽；c.将一高气压低密度电浆所产生的若干个自由电子撞击该金属导电层；及d.用若干个蚀刻离子将该圆孔或沟槽底部的该氮化层蚀刻。如此，可在晶圆制程中，消除金属导电层上所累积的正电荷静电，使位于圆孔或沟槽底部的氮化层能完全被蚀刻。
消除金属导电静电蚀刻完全方法

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