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[发明专利]在铟锡氧化合物上生长电场调控透光率共轭环薄片方法-CN201610988271.1有效
发明人：熊兆贤;冯烨;薛昊;卢翌 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C08J9/00 文献下载
摘要：在铟锡氧化合物上生长电场调控透光率共轭环薄片方法，涉及光电领域。步骤：1)将类芳香化合物单体、过硫酸系氧化剂、钠盐类表面活性剂、吸电子型掺杂剂混合，将反应物溶于水中，搅拌后得混合溶液；2)将铟锡氧化合物基体底片清洗后将导电面朝上浸泡在步骤1)所得混合溶液中，取出后再清洗，令共轭活性链段在改性过后的铟锡氧化合物基体表面均匀生长，随后进行热处理，即完成在铟锡氧化合物上生长电场调控透光率共轭环薄片，得表面多孔类芳香性高分子微米级薄片。节约能源，增强微米级薄片制备的可重复性。避免原子对光的散射，降低微米级薄片的雾度。实现C、H、N缺电子化合物与铟锡氧化合物基体的化学键结合，延长复合材料使用寿命。
氧化合物上生长电场调控透光率共轭薄片方法

[发明专利]基于绝缘体上硅选择性制备多孔硅的方法-CN201310332854.5无效
发明人：许高斌;卢翌;陈兴;马渊明 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于绝缘体上硅（SOI）选择性制备多孔硅的新方法。该方法是采用在SOI硅片上两次腐蚀后进行多孔硅的制备，第一次腐蚀是将SOI硅片的底层硅刻蚀出一个凹槽，第二次是腐蚀在凹槽处露出的绝缘层。再采用电化学腐蚀方法在凹槽对应的上层硅上制备多孔硅，在这上层硅上可以分别在两侧制得多孔硅，也可以两侧都腐蚀出多孔硅。在制备过程中由于只有在腐蚀了绝缘材料区域导通电流，故制备出的多孔硅表面形状和尺寸与掩膜板上设有的透光区域相一致。此方法利用成熟的腐蚀工艺，制备方法很简单，便于操作，成本低廉，在微电子机械系统(MEMS)和集成电路(IC)等领域具有非常好的推广价值。
基于绝缘体选择性制备多孔方法

[发明专利]大桥减振发电照明装置-CN201010147959.X无效
发明人：伏燕军;吴海;衷存鹏;卢翌 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： F21S9/04 文献下载
摘要：一种大桥减振发电照明装置，它包括基座、圆筒、滑轮、发电机、轻质弹簧、绳子、重物，其特征是基座的一端连有圆筒，圆筒内设有滑轮，滑轮通过转轴连接发电机，基座的另一端连接轻质弹簧，轻质弹簧连接绳子的一端，绳子的另一端水平连接滑轮顶端，滑轮顶端通过绳子垂直连接重物，重物的上表而紧靠圆筒的下表面，重物和圆筒的紧靠处连有橡胶薄垫。本发明的优点是：1、充分利用振动产生的动能来发电，既避免了振动带来的麻烦，又解决了能源问题；2、还能在一定程度上延长大桥的寿命，节能环保，发展空间大；3、整个装置结构简单，成本低廉，可靠性强。
大桥发电照明装置