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[发明专利]镁钛共掺杂碳酸钴的制备方法及其应用-CN202210438612.3在审
发明人： 卢星华;李长东;刘更好;胡海涵;阮丁山;韦吉 -专利权人：广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C01G51/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁钛共掺杂碳酸钴的制备方法及其应用，向底液并流加入钴镁混合金属液、沉淀剂溶液和钛盐溶液进行反应，得到镁钛共掺杂碳酸钴浆料，其中沉淀剂溶液为碳酸盐和表面活性剂的混合溶液，钛盐溶液为酸性络合剂和钛盐的混合溶液，再将镁钛共掺杂碳酸钴浆料进行固液分离，所得固体经洗涤，干燥，即得镁钛共掺杂碳酸钴。本发明将钛盐单独进液，并在钛盐溶液中加入酸性络合剂，能够同时达到络合钛离子和抑制钛的水解的作用，将表面活性剂与碳酸盐溶液混合，增加合成阶段前驱体二次颗粒球表面的吸附能力，促进镁钛共掺杂碳酸钴的生长，体相掺杂镁钛元素显著提升了钴酸锂正极材料的倍率性能。
镁钛共掺杂碳酸制备方法及其应用

[发明专利]包括羊水干细胞球的医药组合物及其治疗尿失禁的用途-CN202010951931.5在审
发明人：黄效民;卢星华;李奎璋;王伟迪 -专利权人：永立荣生医股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： A61K35/50 文献下载
摘要：本发明揭示一种包括羊水干细胞球的医药组合物及其治疗尿失禁的用途。具体地，涉及羊水干细胞球用于制备治疗尿失禁组合物或医药组合物的用途，其中该羊水干细胞球可再包含玻尿酸。
包括羊水干细胞医药组合及其治疗尿失禁用途

[发明专利]平面电容的熟化装置及熟化方法-CN202010485615.3有效
发明人：李峰;卢星华;陶玉红;杨柳;周智勇;李雪 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面电容的熟化装置及熟化方法，所述熟化装置包括吹风装置以及位于吹风装置下方的托板，托板上具有多个通孔，托板用于承载由平面电容卷曲形成的收卷电容，吹风装置用于向托板进行吹热风并对平面电容进行加热。通过将平面电容放置与托板上，用吹风装置对平面电容进行吹风加热，使平面电容中的溶剂等其他成分挥发出来，并随着热风快速扩散，避免溶剂累积在平面电容的金属箔材表面，防止在高温作用下形成印痕类表观，实现了平面电容表面无挥发份印痕、内部无应力以及无孔洞微气泡等效果。
平面电容熟化装置方法

[发明专利]介质层浆料涂布装置及平面电容的制作方法-CN202010485600.7有效
发明人：李峰;卢星华;陶玉红;杨柳;周智勇;李雪 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B05C1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质层浆料涂布装置及平面电容的制作方法，介质层浆料涂布装置包括涂料槽、凹版辊以及毛刷，凹版辊部分伸入涂料槽内并浸在介质层浆料中，凹版辊能够相对涂料槽转动并将涂料槽中的介质层浆料涂布至金属薄膜的表面，凹版辊包括起料的起始端和涂料后的末端，毛刷设于凹版辊的末端，毛刷设于凹版辊与介质层浆料液面的边缘接触角处，毛刷与凹版辊的表面以及介质层浆料的液面相接触。通过毛刷将残留堵塞在凹版辊狭槽内的浆料刮出，可避免在刮刷过程中产生气泡并带入介质层浆料中，使凹版辊再次浸入介质层浆料时能够以狭槽的全部容积浸入介质层浆料，在整个涂布过程中，使凹版辊旋转带起的介质层浆料的量一致，从而实现厚度均匀一致性。
介质浆料装置平面电容制作方法

[发明专利]掺镍碳酸钴及其制备方法和应用-CN202110990845.X在审
发明人： 卢星华;李长东;阮丁山;刘更好;李斌;蔡勇 -专利权人：广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司;湖南邦普汽车循环有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C01G51/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺镍碳酸钴及其制备方法和应用，该方法将第一碳酸盐溶液与镍盐溶液混合进行反应，并控制温度和pH，得到碳酸镍晶种，第一碳酸盐为碳酸钠或碳酸钾中的一种或两种，将碳酸镍晶种、钴盐溶液和碳酸氢铵溶液混合进行反应，并控制温度和pH，得到掺镍碳酸钴浆料，将掺镍碳酸钴浆料进行固液分离、洗涤和干燥，即得掺镍碳酸钴。本发明先使用镍盐和碳酸钠制备出球形碳酸镍晶种，再加入钴盐和碳酸氢铵制备碳酸钴，最终得到了镍掺杂碳酸钴，掺镍碳酸钴经过热分解后能够使内部镍元素向外迁移，获得镍元素均匀分布的四氧化三钴前驱体材料。
碳酸及其制备方法应用

[发明专利]平面电容的制作方法及系统和平面电容-CN202110785622.X在审
发明人：李峰;卢星华;杨柳;陶玉红;李露;周智勇 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：一种平面电容的制作方法，平面电容包括第一平面电极、第二平面电极以及设置于第一平面电极与的第二平面电极之间的介质层，制作方法包括：制作形成介质层的介质层浆料；在第一平面电极和/或第二平面电极的表面涂布介质层浆料后形成介质薄膜；形成多层介质薄膜后将第一平面电极与第二平面电极进行覆合形成平面电容，介质层由多层介质薄膜相互叠置形成。本发明的平面电容的制作方法制作的平面电容具有较高的耐电压特性，提高了平面电容的良率，生产成本低。本发明还涉及一种平面电容及平面电容的制作系统。
平面电容制作方法系统

[发明专利]胶黏剂涂布装置及平面电容的制作方法-CN202010486413.0有效
发明人：李峰;卢星华;陶玉红;杨柳;周智勇;李雪 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种胶黏剂涂布装置及平面电容的制作方法，胶黏剂涂布装置，包括供胶料仓、涂胶器以及传送装置，供胶料仓与涂胶器相连接，供胶料仓用于储存胶黏剂，传送装置用于传送金属薄膜，涂胶器用于将供胶料仓中的胶黏剂涂布至金属薄膜的表面上。通过涂胶器将胶黏剂涂布至金属薄膜的表面上，保证金属薄膜表面上的胶黏剂厚度均匀，使平面电容中的介质层厚度均匀性，将波动误差控制在±10％以内，进而减少介质层的“尖端放电”，最终提高平面电容的耐压性。
胶黏剂涂布装置平面电容制作方法

[发明专利]无分层无皱褶的平面电容的制作方法-CN202010485614.9有效
发明人：李峰;卢星华;陶玉红;杨柳;周智勇;李雪 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种无分层无皱褶的平面电容的制作方法，所述制作方法包括：制作用于形成介质层的介质层浆料；将介质层浆料涂布在第一金属箔材的表面上，对介质层浆料进行干燥处理，使第一金属箔材的表面上形成介质层；将附着有介质层的第一金属箔材与第二金属箔材进行覆合，第一金属箔材附着有介质层的表面朝向第二金属箔材并进行覆合，得到平面电容；将平面电容以第一金属箔材为内侧、第二金属箔材为外侧的方式进行收卷。覆合的第二面箔材在收卷时的受力状态由原来在内圈的“支撑”变更为外圈的“贴附”作用，以使收卷后的平面电容平整无分层无皱褶，避免因收卷不良问题导致介质层被破坏，充分保证涂布介质层的性能。
分层皱褶平面电容制作方法

[发明专利]平面电容的覆合装置及覆合方法-CN202010485642.0有效
发明人：李峰;卢星华;陶玉红;杨柳;周智勇;李雪 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面电容的覆合装置及覆合方法，所述覆合装置包括机架，机架包括覆合辊、胶辊、预热单元、第一传输辊以及第二传输辊，覆合辊和胶辊贴合设置，第一传输辊用于传输表面涂覆有介质层的第一金属箔材，第二传输辊用于传输第二金属箔材，预热单元用于对第二金属箔材进行预热，涂覆有介质层的第一金属箔材和预热后的第二金属箔材在覆合辊和胶辊的贴合处进行覆合处理并得到平面电容。通过对第二金属箔材进入高温覆合前提前进行软化，使得覆合处理后的平面电容表面更加平整，避免覆合不良形成的褶皱、鳞纹等现象，降低因覆合不良导致的介质层形变，降低介质层内部的应力，充分的保证介质层的性能。
平面电容装置方法

[发明专利]无机填料及其制备方法和在介电材料中的应用-CN201910960230.5有效
发明人：李峰;刘侠侠;陶玉红;李露;卢星华;袁启斌 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C08K9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种采用包衣工艺制备而成的无机填料，该无机填料具有核壳结构，通过在导电粉体表面包覆陶瓷涂层，将该导电粉体之间隔绝，避免导电粉体在聚合物基体中形成导电通路所引起的介电损耗，由此形成的无机填料介电常数高、介电损耗小、在复合时陶瓷涂层不会被破坏。本发明还提供了该种无机填料的制备方法，以及包含该种无机填料的无机有机复合介电材料薄膜。
无机填料及其制备方法材料中的应用

[发明专利]平面电容的制作方法及制作装置-CN202010485631.2有效
发明人：李峰;卢星华;陶玉红;杨柳;周智勇;李雪 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面电容的制作方法，所述制作方法包括：制作用于形成介质层的介质层浆料；将介质层浆料涂布在第一金属箔层的表面上，对介质层浆料进行干燥处理，使第一金属箔层的表面上形成半固化状态或低于半固化状态的介质层；将附着有介质层的第一金属箔层与第二金属箔层进行覆合，第一金属箔层附着有介质层的表面朝向第二金属箔层并进行覆合，得到平面电容；介质层的组成成分包括环氧树脂。该方法制备的平面电容剥离力高，且介质层与两面金属箔层的剥离力基本一致且稳定，具有优良的可靠性。
平面电容制作方法制作装置

[发明专利]高储能密度电介质材料及其制备方法-CN201811190936.X有效
发明人：杨文虎;李峰;卢星华;李雪;周智勇;郭欧平 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及高储能密度电介质材料及其制备方法，所述高储能密度电介质材料，包括层叠的至少两层有机‑无机复合膜和至少一层有机膜，且最外层为有机‑无机复合膜，所述有机‑无机复合膜包括有机基体和无机填料，所述有机基体为热塑性树脂和热固性树脂中的至少一种，所述无机填料是介电陶瓷材料，所述有机膜为热塑性树脂和热固性树脂中的至少一种。
高储能密度电介质材料及其制备方法

[发明专利]聚合物基复合介电材料及其制备方法-CN201910975004.4有效
发明人：李峰;刘侠侠;陶玉红;李露;卢星华;袁启斌 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种聚合物基介电复合材料及其制备方法，该方法采用溶液共混方法制备有机‑无机复合浆料，使得浆料中的有机相为环氧树脂预聚物，本身含有极性基团，催化剂的选择促进固化过程中羟基的生成，由此使得环氧树脂的介电常数提高到5以上。相比于现有技术，本发明只需要添加较少量的无机填料，即可使得制备得到的聚合物基介电复合材料具备同等的介电常数。
聚合物复合材料及其制备方法

[实用新型]一种基于平面元件的升压降压boost buck电路-CN202020701101.2有效
发明人：李峰;卢星华;陶玉红 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H02M3/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于平面元件的升压降压boost buck电路，包括boost‑buck芯片、与所述boost‑buck芯片的SW1接点和SW2接点相连接的电感电路、与所述boost‑buck芯片的Vout接点和FB接点相连接的二极管电路以及分别与所述boost‑buck芯片的Vin接点、Vout接点、SHDN/SS接点以及Vc接点相连接的第一电容电路、第二电容电路、第三电容电路以及第四电容电路；所述第一电容电路、第二电容电路、第三电容电路以及第四电容电路的输出端接同一公共地，上述电路结构结合平面元件的设计可以大大减少FPC/PCB的面积以及提高电子产品的可靠性。
一种基于平面元件升压降压 boost buck 电路

[发明专利]耐高压聚合物基介电材料及其制备方法-CN201910974990.1有效
发明人：李峰;刘侠侠;陶玉红;李露;卢星华;袁启斌 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种耐高压聚合物介电材料及其制备方法，通过在有机聚合物/钛酸钡的二元体系中引入云母，形成有机聚合物/钛酸钡/云母的三元体系，将片状云母穿插到聚合物基体中，使得钛酸钡粉料在有机聚合物基体中分散均匀，并被云母隔离，避免形成导电通路，防止热击穿，从而有效提高产品的耐压性能。
高压聚合物基介电材料及其制备方法