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[发明专利]沉积设备-CN201910112028.7有效
发明人：黄善龙;金贤洙;李殷沃;金泽中;卢孝贞;柳志元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提供了一种沉积设备。所述沉积设备包括：反应腔室，包括上板和容器主体，上板包括用于注入处理气体的气体供应件；晶圆卡盘，包括用于在其上装载晶圆的上表面，位于反应腔室中，并且晶圆卡盘的上表面面对上板；以及处理气体遮蔽部，在晶圆从晶圆卡盘去除的状态下，防止处理气体被吸附到晶圆卡盘的上表面并且设置在上板和晶圆卡盘之间。处理气体遮蔽部包括板状的挡板，挡板包括具有用于朝向晶圆卡盘喷射吹扫气体的气体排放部分的区域。
沉积设备

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202211071365.4在审
发明人：李将银;卢孝贞;宋珉宇;河龙湖;黄桢元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成沟槽；在所述沟槽上形成栅极电介质层；在所述栅极电介质层上形成栅极层；以及对所述栅极电介质层和所述栅极层进行第一退火，其中，在所述第一退火的操作之后，所述栅极层包含钼‑钽合金。
制造半导体器件方法

[发明专利]适用于负性显影的用于形成有机抗反射涂层的组合物-CN201710402064.8有效
发明人： 卢孝贞;金知贤;金升振;金炫辰 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及适用于负性显影的用于形成有机抗反射涂层的组合物。公开了一种在负性显影中使用的用于形成有机抗反射涂层的组合物，其不仅增强了对光刻胶的粘附同时具有高折射率和高蚀刻速率而且改善了底切等的图案轮廓。所述组合物包含：含有至少一个由式2表示的部分的异氰脲酸酯；由式3表示的聚合物；以及用于溶解上述组分的有机溶剂。[式2][式3]
适用于显影用于形成有机反射涂层组合

[发明专利]聚合物、包括其的组合物及制造集成电路器件的方法-CN202010005831.3在审
发明人：姜美荣;洪锡九;金橞伦;金知贤;金炫辰;卢孝贞;朴钟庆;李正烈 -专利权人：三星电子株式会社;株式会社东进世美肯
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1]其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1‑C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3‑C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1‑C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3‑C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1‑C10链状饱和或不饱和烃基或者具有1至6个第三杂原子的C3‑C10环状饱和或不饱和烃基。
聚合物包括组合制造集成电路器件方法

[发明专利]形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包含所述化合物的组合物-CN201080039879.0有效
发明人： 卢孝贞;周东奎;金泫辰;金德倍 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。
形成有机反射层异氰脲酸酯化包含化合物组合