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[发明专利]一种三硼酸锂晶体高激光损伤阈值增透膜的制备方法-CN201610908397.3有效
发明人：张锦龙;卜笑庆;焦宏飞;程鑫彬;王占山 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性晶体三硼酸锂晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法。针对LBO晶体各向异性强及增透膜的损伤机理，该方法的步骤包括LBO晶体表面采用IAD工艺镀SiO2膜、在LBO晶体表面IAD工艺镀制的薄膜上采用溶胶‑凝胶法进行镀膜。由本发明制备的LBO增透膜光学特性优异、损伤阈值高、环境稳定性好，可以与现有的基板加工、清洗及薄膜制备工艺兼容。具有工艺重复性好、可控性强、易于推广等优点，在未来的高功率激光薄膜领域具有广泛应用前景。
增透膜制备三硼酸锂晶体激光损伤损伤薄膜制备工艺非线性晶体高功率激光工艺重复性环境稳定性薄膜领域光学特性基板加工可控性凝胶法镀膜镀制薄膜清洗兼容应用

[发明专利]一种氟化钙晶体的离子束刻蚀装置及方法-CN201710070733.6在审
发明人：王占山;张锦龙;吴晗;卜笑庆;程鑫彬 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟化钙晶体的离子束刻蚀装置及方法，所述装置包括离子源、刻蚀工装、角度调整机构和中和器，刻蚀工装包括循环冷却水供给机构，石英底盘表面镀有MgF2薄膜；将石英底盘放置入不锈钢工装内，调整刻蚀工装角度；将氟化钙晶体放置于刻蚀工装中，抽真空，开启循环冷却水供给机构；待真空抽至4×10‑4Pa，开启离子源，充入氪气作为刻蚀气体；刻蚀结束充入氮气，取出氟化钙晶体。本发明针对氟化钙晶体的硬度小、热膨胀系数大和材料表面微潮解特性，通过冷却水控制温度，利用大原子序数的气体，提高离子束能量，最终获得了低表面粗糙度、吸收较低的高质量氟化钙晶体表面。与现有技术相比，本发明具有针对性强、效果明显等优点。
一种氟化钙晶体离子束刻蚀装置方法