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[发明专利]分布式随机行走寄生电容提取方法、装置、设备及介质-CN202311037641.X有效
发明人：刘鹏翃;刘帅龙;胡超;喻文健 -专利权人： 北京超逸达科技有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及一种分布式随机行走寄生电容提取方法、装置、设备及介质，其中，方法包括：对目标全电路版图进行切割，得到多个等尺寸的正方形区域，获取每个正方形区域对应的寄生电容提取的RWCAP计算子任务；将每个正方形区域对应的RWCAP计算子任务输入至预设RWCAP计算引擎，得到每个RWCAP计算子任务对应的寄生电容独立结果；基于预设电容值合并规则，合并每个RWCAP计算子任务对应的寄生电容独立结果，得到全电路版图的最终寄生电容结果。由此，解决了现有RWCAP寄生电容提取技术在对大型版图及包含大量导体的寄生电容进行提取时，存储空间和CPU时间等计算资源消耗过大等问题。
分布式随机行走寄生电容提取方法装置设备介质

[发明专利]集成电路制造刻蚀效应建模方法、装置、设备及存储介质-CN202311040297.X有效
发明人：胡超;喻文健;刘鹏翃 -专利权人： 北京超逸达科技有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路制造刻蚀效应建模方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括：将目标常数线宽变化量模型、目标基于原始线宽或线间距的线宽变化量模型、目标梯形截面倾斜角度线宽变化量模型和目标基于通孔长度或宽度线宽变化量模型写入工艺文件中；根据实际电路设计版图生成实际电路设计版图互连线的三维结构，基于三维结构查询工艺文件，得到相应模型中互连线的线宽修正量；根据线宽修正量生成基于刻蚀效应的相应模型的互连结构，根据互连结构对实际电路设计版图进行校正，得到最终建模结果。由此，解决了现有技术在进行寄生参数提取时并未考虑刻蚀效应以对互连线的几何结构进行修正，使得提取出的寄生参数准确度较低等问题。
集成电路制造刻蚀效应建模方法装置设备存储介质

[发明专利]多介质预刻画数据处理方法、装置、电子设备及存储介质-CN202110957562.5在审
发明人：杨明;喻文健;胡超 -专利权人： 北京超逸达科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本申请涉及物理设计技术领域，特别涉及一种多介质预刻画数据处理方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：获取集成电路的介质层信息；利用立方体转移区域格林函数表的对称性和电学特性，将转移区域的预刻画数据生成压缩的四层等效转移立方体的预刻画数据；基于介质层信息，根据压缩后的预刻画数据提取多层介质互连结构的随机行走电容参数。由此，利用转移区域格林函数对称性和电学特性的预刻画数据压缩方法，将原有预刻画数据GFT和WVT的存储量减少至十分之一以下，并直接利用压缩的格林函数表和权重值表实现正常的随机行走电容提取。
介质刻画数据处理方法装置电子设备存储