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[发明专利]挠性热电转换元件及其制造方法-CN201880008368.9有效
发明人：森田亘;加藤邦久;武藤豪志;近藤健 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N10/13 文献下载
摘要：本发明提供一种能够对热电转换模块内部的热电元件在面内方向赋予足够的温度差的具有高热电性能的挠性热电转换元件及其制造方法，在该挠性热电转换元件中，在膜基板的一面交替且相邻地配置有P型热电元件和N型热电元件的热电转换模块中，在该热电转换模块的两面中至少所述膜基板的另一面侧的部分位置包含由高导热性材料形成的高导热层，所述高导热层的导热系数为5～500(W/m·K)。
热电转换元件及其制造方法

[发明专利]热电转换组件的制造方法-CN202180073854.0在审
发明人：关佑太;加藤邦久;森田亘;升本睦 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明提供不需要支撑体及焊接材料、且能够一次性高效地制作多个薄型的热电转换组件的热电转换组件的制造方法，该方法包括下述工序(A)～(D)：(A)将P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片隔开地配置在支撑体上的工序；(B)在P型热电转换材料的芯片与N型热电转换材料的芯片之间填充绝缘体，得到由P型热电转换材料的芯片、N型热电转换材料的芯片及绝缘体形成的一体化物的工序；(C)将上述工序(B)中得到的一体化物从支撑体剥离的工序；(D)在上述工序(C)之后的一体化物中，经由电极将P型热电转换材料的芯片与N型热电转换材料的芯片之间连接的工序。
热电转换组件制造方法

[发明专利]热电转换材料及其制造方法-CN201780076510.9有效
发明人： 加藤邦久;森田亘;武藤豪志;胜田祐马;近藤健 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N10/857 文献下载
摘要：本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的热电转换材料及其制造方法；所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物；所述制造方法是热电转换材料的制造方法，所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；进一步对该薄膜进行退火处理的工序。
热电转换材料及其制造方法

[发明专利]热电转换组件-CN202180073852.1在审
发明人：关佑太;加藤邦久;森田亘;堀米克彦;升本睦 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N10/856 文献下载
摘要：本发明提供不具有支撑基材的薄型的热电转换组件，其具备一体化物、第1电极和第2电极，上述一体化物包含绝缘体，该绝缘体以填充由相互隔开的P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片形成的空隙的方式构成，上述第1电极位于上述一体化物的一面，其是将上述P型热电转换材料的芯片的一面和上述N型热电转换材料的芯片的一面接合的共用的电极，上述第2电极位于上述一体化物的另一面，与上述第1电极对置，其是将上述N型热电转换材料的芯片的另一面和上述P型热电转换材料的芯片的另一面接合的共用的电极，上述P型热电转换材料的芯片和上述N型热电转换材料的芯片通过上述第1电极和上述第2电极而串联电连接，在上述热电转换组件的两面不具有基材。
热电转换组件

[发明专利]热电转换组件及其制造方法-CN202180038636.3在审
发明人：关佑太;森田亘;加藤邦久 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N10/817 文献下载
摘要：本发明提供可防止由接合材料引起的电极上的热电转换材料的芯片的位置偏移、抑制邻接的热电转换材料的芯片之间的短路、热电转换材料的芯片与电极的接合不良的热电转换组件及其制造方法。该热电转换组件包含：具有第1电极的第1基板；具有第2电极的第2基板；由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片；由第1接合材料形成的第1接合材料层，所述第1接合材料层将该热电转换材料的芯片的一面和上述第1电极接合；以及由第2接合材料形成的第2接合材料层，所述第2接合材料层将上述热电转换材料的芯片的另一面和上述第2电极接合，其中，上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的熔点，或者上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的固化温度。
热电转换组件及其制造方法

[发明专利]热电转换模块-CN202180024959.7在审
发明人：森田亘;加藤邦久;关佑太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明提供热电性能得到了进一步提高的热电转换模块，该热电转换模块包含基材、以及由热电半导体组合物形成的热电元件层，其中，上述热电半导体组合物包含热电半导体材料、耐热性树脂A、以及离子液体和/或无机离子性化合物，上述基材的热阻为0.35K/W以下。
热电转换模块

[发明专利]热电转换模块-CN202180024577.4在审
发明人：山崎俊弥;加藤邦久;关佑太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供热电转换材料层中的热电转换材料的电阻率得到了减少的、具有热电性能高的热电转换材料层的热电转换模块，其具有由热电转换材料形成的热电转换材料层，所述热电转换材料至少包含热电半导体粒子，上述热电转换材料层具有空隙，将上述热电转换材料层的包含中央部的纵剖面的面积中上述热电转换材料的面积所占的比例设为填充率时，上述填充率大于0.900且小于1.000。
热电转换模块

[发明专利]热电转换体、热电转换组件、以及热电转换体的制造方法-CN202080087112.9在审
发明人：关佑太;加藤邦久;武藤豪志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L35/24 文献下载
摘要：本发明提供电导率高、在用于热电转换组件时能够表现出高热电转换效率、且在制造时不易发生翘曲的热电转换体、其制造方法、以及使用其的热电转换组件。本发明涉及热电转换体、包含该热电转换体的热电转换组件、以及热电转换体的制造方法，所述热电转换体是包含热电半导体材料和耐热性树脂的组合物的烧制体，其中，将所述耐热性树脂升温时在400℃的重量设为100％，其进一步减少5％重量的温度为480℃以下。
热电转换组件以及制造方法

[发明专利]热电转换材料层及其制造方法-CN202080024639.7在审
发明人：关佑太;户高昌也;加藤邦久 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L35/26 文献下载
摘要：本发明提供由热电半导体组合物的涂布膜形成的热电转换材料层中的热电转换材料的电导率得到提高的热电性能高的热电转换材料层及其制造方法，所述热电转换材料层是由热电半导体组合物的涂布膜形成的热电转换材料层，其中，所述热电转换材料层具有空隙部，将所述热电转换材料层的包含中央部的纵剖面的面积中所述热电半导体组合物的面积所占的比例设为填充率时，所述填充率为0.800以上且小于1.000。
热电转换材料及其制造方法

[发明专利]热电转换材料的芯片的制造方法-CN202080025034.X在审
发明人： 加藤邦久;森田亘 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供能够通过简易的工序以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、且能够以最佳退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片的制造方法，其是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板上形成所述热电转换材料的芯片的工序；(B)对所述(A)的工序中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序；以及(C)将所述(B)的工序中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序，其中，所述热电半导体组合物包含热电半导体材料及树脂，所述退火处理的温度为该树脂的分解温度以上。
热电转换材料芯片制造方法

[发明专利]热电转换组件用中间体的制造方法-CN201980064492.1在审
发明人：关佑太;加藤邦久;武藤豪志;胜田祐马 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-10-02 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供无需支撑基板、能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电半导体材料的退火处理、并能够以最优的退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换组件用中间体的制造方法，其是包含由热电半导体组合物形成的P型热电元件层及N型热电元件层的热电转换组件用中间体的制造方法，该方法包括：(A)在基板上形成所述P型热电元件层及N型热电元件层的工序；(B)对在所述工序(A)中得到的所述P型热电元件层及N型热电元件层进行退火处理的工序；(C)在所述工序(B)中得到的退火处理后的P型热电元件层及N型热电元件层上形成包含固化性树脂或其固化物的密封材料层的工序；以及(D)将所述密封材料层、以及在所述工序(B)及(C)中得到的P型热电元件层及N型热电元件层从所述基板剥离的工序。
热电转换组件中间体制造方法

[发明专利]热电转换材料的芯片-CN201980064810.4在审
发明人：武藤豪志;加藤邦久;根本拓;森田亘;关佑太 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-10-02 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L35/08 文献下载
摘要：本发明提供一种可实现与电极的高接合性的具有凹部的热电转换材料的芯片。该热电转换材料的芯片在其至少一面具有凹部。
热电转换材料芯片

[发明专利]热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法-CN201980055211.6在审
发明人： 加藤邦久;武藤豪志;户高昌也;胜田祐马 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、从而能够以最佳的退火温度实现热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。该热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(21)的工序；(B)在所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层(3)的工序；(C)对所述热电转换材料层进行退火处理的工序；(D)将退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层(11b)的工序；(E)将热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序；以及(F)将单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。
热电转换材料芯片制造方法以及使用通过得到组件

[发明专利]热电转换元件的制造方法-CN201980055534.5在审
发明人：森田亘;加藤邦久;武藤豪志;胜田祐马 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供一种具有形状控制性优异的热电元件层且可高集成化的热电转换元件的制造方法，该方法是在基板(1)上包含热电元件层(4a、4b)的热电转换元件的制造方法，所述热电元件层(4a、4b)由包含热电半导体材料的热电半导体组合物形成，该方法包括：在所述基板上设置具有开口部(3)的图案框(2)的工序；在所述开口部填充所述热电半导体组合物的工序；将填充于所述开口部的所述热电半导体组合物干燥而形成热电元件层的工序；以及将所述图案框从基板上剥离的工序。
热电转换元件制造方法

[发明专利]热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了由该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法-CN201980055839.6在审
发明人：户高昌也;加藤邦久;武藤豪志;胜田祐马 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、能够以最佳退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了该芯片(13)的热电转换组件的制造方法。所述热电转换材料的芯片的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(2)的工序；(B)在所述工序(A)中得到的所述牺牲层上形成所述热电转换材料的芯片的工序；(C)对所述工序(B)中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序；以及(D)将所述工序(C)中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序。所述热电转换组件的制造方法中使用了上述热电转换材料的芯片的制造方法得到的芯片。
热电转换材料芯片制造方法以及使用得到组件

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