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[发明专利]磁性传感器及磁性检测方法-CN202110212146.2在审
发明人：上村纮崇;五十岚敦史;加藤贵博 -专利权人：艾普凌科株式会社
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性传感器及磁性检测方法，能够提高对于被测定磁场的瞬态响应特性。本发明的磁性传感器(100)包括：霍尔集成电路(120)，在表面形成有霍尔元件(121)；以及引线框架(110)，支撑霍尔集成电路(120)，并且引线框架(110)包括：第一区域(111a)，配置于霍尔元件(121)的附近，利用通过施加被测定磁场(H)而生成的第一涡电流(ia)，来产生第一磁场(ha)；以及第二区域(111b)、第二区域(111c)，与第一区域(111a)分离而配置，利用通过施加被测定磁场(H)而生成的第二涡电流(ib)、第二涡电流(ic)，来产生将第一磁场(ha)消除的强度的第二磁场(hb+hc)。
磁性传感器检测方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110189169.6在审
发明人： 加藤贵博 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够减小从密封树脂向半导体元件的应力的半导体装置。半导体元件(1)搭载于晶片焊盘(5)，配置于半导体元件(1)的上表面的外周的电极焊盘(6)与引线(4)经由导线(3)电连接。在半导体元件(1)有对应力的灵敏度高的元件区域(1a)和对应力的灵敏度低的元件区域(1b)，低应力树脂膜(51)设置于对应力的灵敏度高的元件区域(1a)之上，半导体元件(1)、低应力树脂膜(51)、晶片焊盘(5)和引线(4)由密封树脂(2)覆盖。
半导体装置及其制造方法