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[发明专利]半导体器件-CN201280051561.3有效
发明人：星真一;水野祥司;加地徹;上杉勉;富田一义;伊藤健治 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：一种半导体器件：包括HEMT（10，20，21，30，31，32）和二极管（60，70）。所述HEMT包括：具有GaN层（13）和AlGaN层（14）的衬底（10），所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极（30），所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极（31），所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜（20，21）；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极（32）。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域（40）。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200680003142.7有效
发明人：杉本雅裕;加地徹;上杉勉;上田博之;副岛成雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件(10)包括在p－型氮化镓(GaN)制成的下半导体层(26)和n－型氮化铝镓(AlGaN)制成的上半导体层(28)之间的异质结，其中所述上半导体层(28)具有的带隙比所述下半导体层(26)的带隙大。所述半导体器件(10)进一步包括在所述上半导体层(28)的顶面的部分上形成的漏极(32)，在所述上半导体层(28)的顶面的不同部分上形成的源极(34)，和与所述下半导体层(26)电连接的栅极(36)。所述半导体器件(10)可工作为常闭。
半导体器件

[发明专利]阀门机构以及流道基板-CN200710000250.5无效
发明人： 加地徹 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2007-01-16 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： F16K11/02 文献下载
摘要：本发明可在阀门机构嵌入时不会使流道基板的构造变复杂。在流道基板(1)的内部形成有矩形状的空间，即阀门室(4)。流道(2a)、(2b)、(2c)分别从不同的方向连接于阀门室(4)。流道(2a)与流道(2b)连接在阀门室(4)的互相对向的第1面(5a)与第2面(5b)上。流道(2c)连接在与第1面(5a)及第2面(5b)不同的第3面(5c)上。在阀门室(4)内容纳有阀体(8)，所述阀体(8)在阀门室(4)内的第1面(5a)侧与第2面(5b)侧之间滑动。在阀门室(4)外的第1面(5a)与第2面(5b)的侧方，将电磁铁(10a)与电磁铁(10b)以夹住阀门室(4)的方式而埋入至流道基板(1)中。
阀门机构以及流道基板

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580039042.5有效
发明人：杉本雅裕;上杉勉;上田博之;副岛成雅;加地徹 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，其具有漏极22、半导体基板32、覆盖半导体基板32的表面的一部分并且在半导体基板32的表面上留下非覆盖表面55的电流调节层42、覆盖电流调节层42表面的半导体层50，以及形成在半导体层50表面的源极62。漂移区56、通道形成区54和源区52形成在半导体层50内。漏极22连接到电源的第一端子，并且源极62连接到电源的第二端子。根据该半导体器件50，可以增加耐受电压或者减少漏电的发生。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]Ⅲ－V族高电子迁移率晶体管器件-CN200580024191.4有效
发明人：杉本雅裕;加地徹;中野由崇;上杉勉;上田博之;副岛成雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，其具有p－GaN层(32)、Si－GaN层(62)、AlGaN层(34)被层叠的层叠结构，并且具有形成在AlGaN层(34)的顶表面侧的栅电极(44)。AlGaN层(34)具有比p－GaN层(32)和Si－GaN层(62)更宽的带隙。而且，Si－GaN层(62)的杂质浓度小于1×10¹⁷cm^－3。可以实现具有稳定的常断操作的、包括III－V族半导体的半导体器件。
电子迁移率晶体管器件