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[发明专利]一种方形多级降压收集极-CN202311172382.1在审
发明人： 刘青伦;王庆祥;何俊;曹林林;李海强;刘林;孙宇辉 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J23/027 文献下载
摘要：本公开提供了一种方形多级降压收集极，包括：多个收集极电极，沿各收集极电极的轴向依次连接，形成级联结构；四个绝缘瓷板，各绝缘瓷板分别焊接于收集极电极和外筒之间，其中与外筒焊接的区域位于外筒的四个内周面上；外筒，为中空方形结构，围绕并外接于各绝缘瓷板形成的外廓上。该方形多级降压收集极增加了绝缘性能，而且减小了体积和重量，节省了空间，满足了MPM对行波管等电真空器件小型化及集成化的应用需求。
一种方形多级降压收集

[发明专利]整体瓷式小型化行波管电子枪-CN201811293491.8有效
发明人：姚刘聪;黄明光;王刚;缪国兴;刘青伦;刘志勇;邢艳荣 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01J23/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种整体瓷式小型化行波管电子枪，其包括壳体、阴极组件、阳极组件和聚焦极组件，该电子枪还包括：整体式陶瓷安装件，该陶瓷安装件设置于壳体内，并且包括多个连接部，阴极组件、阳极组件和聚焦极组件分别通过所述连接部与陶瓷安装件连接。本发明提供的电子枪的各电极均由一个整体式陶瓷安装件连接支撑，避免了传统的电子枪结构使用的多个瓷环，高压绝缘灌封时无需像传统电子枪那样进行大尺寸整体灌封，从而使得整体结构紧凑小巧；而且避免了传统型电子枪中的多瓷环与金属焊接所带来的多焊缝气密问题，降低了漏气风险。
整体小型化行波电子枪

[发明专利]引线内穿式多级降压收集极-CN201710319454.9有效
发明人： 刘青伦;姚刘聪;黄明光;王刚;曹林林;刘海燕 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01J23/027 文献下载
摘要：本公开提供了一种引线内穿式多级降压收集极。该引线内穿式多级降压收集极包括：依次设置的M级收集极；以及N瓣绝缘瓷瓣，该N瓣绝缘瓷瓣共同围成内筒结构，其内侧形成容置空间，M级收集极容置于该容置空间内。其中，N瓣绝缘瓷瓣中至少其中之一绝缘瓷瓣中具有电极引线孔，M级收集极中其中一级收集极的电极引线通过该电极引线孔连接至引线内穿式多级降压收集极的尾部，M和N均为大于1的整数。本公开收集极电极引线从绝缘瓷中间引线孔引出，不仅增加了极与极之间、各极与地之间的绝缘性能，而且节省了空间；电极与绝缘瓷之间，绝缘瓷与外筒之间均用焊料焊接，增加了牢固性。
引线内穿式多级降压收集

[实用新型]引线内穿式多级降压收集极-CN201720516428.0有效
发明人： 刘青伦;姚刘聪;黄明光;王刚;曹林林;刘海燕 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01J23/027 文献下载
摘要：本公开提供了一种引线内穿式多级降压收集极。该引线内穿式多级降压收集极包括依次设置的M级收集极；以及N瓣绝缘瓷瓣，该N瓣绝缘瓷瓣共同围成内筒结构，其内侧形成容置空间，M级收集极容置于该容置空间内。其中，N瓣绝缘瓷瓣中至少其中之一绝缘瓷瓣中具有电极引线孔，M级收集极中其中一级收集极的电极引线通过该电极引线孔连接至引线内穿式多级降压收集极的尾部，M和N均为大于1的整数。本公开收集极电极引线从绝缘瓷中间引线孔引出，不仅增加了极与极之间、各极与地之间的绝缘性能，而且节省了空间；电极与绝缘瓷之间，绝缘瓷与外筒之间均用焊料焊接，增加了牢固性。
引线内穿式多级降压收集

[发明专利]电真空器件介质窗片的金属化方法-CN201710597635.8在审
发明人： 刘青伦;薛辽豫;黄明光;王刚;姚刘聪;李云锦;胡小华;刘泳良 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01J23/36 文献下载
摘要：一种电真空器件介质窗片的金属化方法，包括以下步骤步骤1、在基体上表面周期性间隔放置多个掩膜；步骤2、在基体放置有多个掩膜的一面形成金属化层；步骤3、去除多个掩膜；步骤4、在基体下表面周期性间隔放置多个掩膜，重复步骤2至3，使得基体的上、下表面均形成有金属化层；步骤5、切割步骤4中结构形成至少一个与电真空器件相匹配的、金属化的介质窗片。本发明采用阵列掩膜先在基体上进行周期排列的金属化，再切割形成电真空器件所需的介质窗片，从而可简单便捷的完成介质窗片的金属化，介质窗片的尺寸可很好地控制在2mm以内，且能够保证金属化层中心与介质窗片中心的同心度。
真空器件介质金属化方法

[发明专利]一种矩形梳状慢波结构的制造方法-CN201210524105.8有效
发明人：王自成;胡京军;李现霞;刘青伦;李海强;徐安玉 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双排或单排矩形梳状慢波结构的制造方法。其主要步骤为制造上下梳栅网毛坯、上下矩形梳底板和矩形梳结构用管壳；用激光切割方法在上下梳栅网毛坯上制造出上下矩形梳栅网；将上下矩形梳栅网分别焊接在上下矩形梳底板上，形成无电子注通道的上下矩形梳结构；在无电子注通道的上下矩形梳结构上制造出半圆形电子注通道，形成上下矩形梳结构；最后把上下矩形梳结构塞入双排矩形梳结构用管壳，制成双排矩形梳状慢波结构；或仅把下矩形梳结构塞入单排矩形梳结构用管壳，制成单排矩形梳状慢波结构。本发明所制造的矩形梳状慢波结构可用于微波、毫米波、亚毫米波乃至THz行波管、返波管和分布作用速调管(EIK)等。
一种矩形梳状慢波结构制造方法

[发明专利]一种扁平式多级降压收集极-CN201310529554.6有效
发明人：王自成;唐伯俊;刘青伦;谢文球;马晶晶;潘浩;李现霞;田宏 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01J23/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种扁平式多级降压收集极，其包括：多级收集极，其包括多个上下依次叠加的收集极，每个收集极的左侧或右侧具有一引线孔，前后两侧有定位脊；绝缘陶瓷，其分为两部分平板型结构，用于夹持所述多级收集极，且对应于每个收集极处相应的定位槽，与相应收集极的定位脊配合；外壳，其为扁平式长方体形，用于封装夹持有多级收集极的绝缘陶瓷；尾盖组件，其焊接在外壳的下端部，且其底部具有对应于多个收集极的引线部件，供从相应收集极引线孔引出的引线延伸至该扁平式多级降压收集极外部。本发明提出的方案保证外形小型化的同时，提高了扁平式小型化多级降压收集极的收集效率和散热性能。
一种扁平多级降压收集

[发明专利]一种双排矩形梳状慢波结构的制造方法-CN201110050042.2无效
发明人：王自成;刘青伦;李海强;徐安玉;刘韦;黄明光;郝保良 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双排矩形梳状慢波结构的制造方法，涉及真空电子器件技术，其包括步骤：A)依据要求制造上矩形梳结构、下矩形梳结构和管壳，备用；B)把下矩形梳结构由上开口挤塞进入管壳内；C)再把上矩形梳结构由上开口挤塞进入管壳内；D)使上、下矩形梳结构与管壳内壁紧贴连；E)将上、下矩形梳结构的上下端面与管壳的上下端固接，得所需的双排矩形梳状慢波结构。本发明制造的双排矩形梳状慢波结构可用于微波、毫米波、亚毫米波乃至THz行波管、返波管和分布作用速调管(EIK)等。
一种矩形梳状慢波结构制造方法

[发明专利]一种分布作用太赫兹振荡器-CN201010277765.1无效
发明人：王自成;刘青伦;刘濮鲲;董芳;李海强;徐安玉 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01J25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布作用太赫兹振荡器，涉及太赫兹(THz)电磁波源技术，包括电子枪、互作用区和收集极，其互作用区由周期满波结构调制谐振腔、能量提取腔组成。其调制谐振腔采用周期慢波结构构成，周期慢波结构可以工作在返波模式或正向波模式，以分布作用的形式与电子注发生相互作用，使电子注受到速度和密度调制。本发明的一种分布作用太赫兹振荡器，结合了泛波管和分布作用速调管的优点，具有适宜于产生THz电磁波的特点。
一种分布作用赫兹振荡器

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