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[发明专利]用于FET生物传感器的抗非特异性吸附试剂及其筛选方法、FET生物传感器及其应用-CN202310918242.8在审
发明人：刘晓峰;童佳俊;刘逸为 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于FET生物传感器的抗非特异性吸附试剂的筛选方法，通过结合考虑不同末端官能团、电荷及亲疏水性的试剂，通过氢键、位阻效应及静电排斥等作用的协同效应，筛选针对目标检测体系的多属性、多配比抗非特异性吸附试剂，其过程可控，针对性强，针对目标检测体系更精准地筛选出效果优秀的抗非特异性吸附试剂，为后续检测提供保障。采用本发明方法筛选出的抗非特异性吸附试剂可通过硫醇类化合物试剂的不同末端官能团之间的相互作用改善界面的亲水性、产生位阻效果、提高静电排斥，从而降低对目标检测体系中非靶标的吸附，表现出强的抗污性能。修饰后FET生物传感器具有更宽的线性检测范围和极低的检测限，抗干扰能力强，灵敏度高，响应时间快。
用于 fet 生物传感器非特异性吸附试剂及其筛选方法应用

[发明专利]基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器-CN202011447171.0有效
发明人： 刘逸为;曹觉先;张志勇;赵为 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的底栅介质层；位于底栅介质层背离栅极一侧表面的碳纳米管沟道层；位于碳纳米管沟道层背离底栅介质层一侧表面的顶栅介质层；位于顶栅介质层背离碳纳米管沟道层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及位于铁电材料层背离顶栅介质层一侧表面的敏感层，敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料；其中，铁电材料层被设置成通过底层的栅极施加外部电场至铁电材料的矫顽电压区间，使得铁电材料工作在负电容效应区间，提高低浓度检测的灵敏度。
基于电容效应场效应晶体管传感器

[发明专利]碳基场效应晶体管传感器-CN202011444776.4有效
发明人：曹觉先;刘逸为;张志勇;赵为 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及场效应管领域，公开一种碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的第一介质层；位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层；其中，所述敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。本发明通过铁电层与碳纳米管的界面处累积的电荷所产生的电场对碳纳米管的沟道形成影响，提高传感器的响应灵敏度。
场效应晶体管传感器

[发明专利]波浪状传感界面的碳纳米管场效应晶体管生物传感器、制备方法及应用-CN202310111866.9在审
发明人： 刘逸为;李璐瑶;刘晓峰;张志勇 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明提供一种波浪状传感界面的碳纳米管场效应晶体管生物传感器、制备方法及应用，该碳纳米管场效应晶体管生物传感器包括：衬底；二氧化硅介质层；源极电极和漏极电极；CNT沟道层；Y2O3波浪状介电层；金纳米颗粒构成的连接层；溶液栅极和施加栅极电压的银丝以及钝化层，生物传感器在测量目标生物分子时，仅波浪状传感界面和施加栅极电压的银丝暴露在液体环境中；溶液栅极与述源极电极、漏极电极及CNT沟道层均不接触。本发明的碳基生物传感器，基于电化学方法将平整的Y2O3介电层腐蚀成波浪状，在保持晶体管原有电学性能不变的情况下，增加了介电层的比表面积和传感器的电双层电容，从而能够固定更多的探针分子，提高生物传感器的灵敏度和检测范围。
波浪传感界面纳米场效应晶体管生物传感器制备方法应用

[实用新型]用于中医脉象复现的碳基场效应晶体管压力传感器-CN202221427209.2有效
发明人： 刘逸为;吴思敏;曹觉先;张志勇 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于中医脉象复现的碳基场效应晶体管压力传感器，包括三个独立的脉象复现通道，每个脉象复现通道由一个脉搏感应组件以及对应设置的一个CNT‑FET型传感组件构成；每个脉象复现通道的CNT‑FET型传感组件通过导电介质与直接作用于人体皮肤表面的脉搏感应组件电连接，脉搏感应组件具有一手指模拟通道，用于感应脉象及其变化，手指模拟通道的感应输出通过导电介质传输至对应的CNT‑FET型传感组件，基于三个脉象复现通道的CNT‑FET型传感组件的响应输出，获得脉象数据。本实用新型提出的用于中医脉象复现的碳基场效应晶体管压力传感器，达到微米级水平，能够实现对脉搏信号高灵敏度、低功耗、便携、安全的实时监测，可视化地复现脉象，促进中医传承。
用于中医脉象复现场效应晶体管压力传感器

[发明专利]用于中医脉象复现的碳基场效应晶体管压力传感器-CN202210647714.6在审
发明人： 刘逸为;吴思敏;曹觉先;张志勇 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于中医脉象复现的碳基场效应晶体管压力传感器，包括三个独立的脉象复现通道，每个脉象复现通道由一个脉搏感应组件以及对应设置的一个CNT‑FET型传感组件构成；每个脉象复现通道的CNT‑FET型传感组件通过导电介质与直接作用于人体皮肤表面的脉搏感应组件电连接，脉搏感应组件具有一手指模拟通道，用于感应脉象及其变化，手指模拟通道的感应输出通过导电介质传输至对应的CNT‑FET型传感组件，基于三个脉象复现通道的CNT‑FET型传感组件的响应输出，获得脉象数据。本发明提出的用于中医脉象复现的碳基场效应晶体管压力传感器，达到微米级水平，能够实现对脉搏信号高灵敏度、低功耗、便携、安全的实时监测，可视化地复现脉象，促进中医传承。
用于中医脉象复现场效应晶体管压力传感器

[发明专利]一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法-CN201810849986.8有效
发明人：牛刚;代立言;任巍;赵金燕;赵慧丰;刘逸为;刘学森;王伟超;武和平;王延昆 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-07-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
一种利用金属应力剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜方法

[实用新型]碳基场效应晶体管传感器-CN202022953776.9有效
发明人：曹觉先;刘逸为;张志勇;赵为 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本实用新型涉及场效应管领域，公开一种碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的第一介质层；位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层；其中，所述敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。本实用新型通过铁电层与碳纳米管的界面处累积的电荷所产生的电场对碳纳米管的沟道形成影响，提高传感器的响应灵敏度。
场效应晶体管传感器

[实用新型]基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器-CN202022953644.6有效
发明人： 刘逸为;曹觉先;张志勇;赵为 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的底栅介质层；位于底栅介质层背离栅极一侧表面的碳纳米管沟道层；位于碳纳米管沟道层背离底栅介质层一侧表面的顶栅介质层；位于顶栅介质层背离碳纳米管沟道层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及位于铁电材料层背离顶栅介质层一侧表面的敏感层，敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料；其中，铁电材料层被设置成通过底层的栅极施加外部电场至铁电材料的矫顽电压区间，使得铁电材料工作在负电容效应区间，提高低浓度检测的灵敏度。
基于电容效应场效应晶体管传感器

[发明专利]一种双栅型真空场发射三极管结构及其制作方法-CN201910387801.0有效
发明人：吴胜利;龙铭刚;张劲涛;刘逸为 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双栅型真空场发射三极管结构及其制备方法，属于信息技术领域和真空微电子器件领域。三极管结构包括底栅极、底栅绝缘层、源漏电极、导电薄膜、顶栅绝缘层、顶栅极和纳米级的真空沟道。双栅型真空场发射三极管可实现对器件电流的双栅调控，增强了器件的栅压调制能力和调制灵活性，具有更好的电子发射性能；器件真空沟道上方被顶栅绝缘层和顶栅极覆盖，有效降低了在电子传输过程中大气粒子对电子的碰撞散射作用，使得器件可以直接工作于大气环境中，并具有良好的电子传输性能；本发明制备所得的真空沟道尺寸在纳米级别且均匀性较好，有利于实现器件的大规模低成本制备。
一种双栅型真空场发射三极管结构及其制作方法

[发明专利]一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法-CN201910150084.X有效
发明人：牛刚;代立言;任巍;赵金燕;王延昆;武和平;刘逸为;王玲艳;史鹏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备领域。对(001)取向的Ge衬底进行超声清洗，然后装入脉冲激光沉积系统的腔室中，并将腔室抽至背底真空，将衬底加热至800℃，维持一定的气压和温度状态后，对衬底进行退火处理，使其表面重构以便后续薄膜生长过程中薄膜的结晶，调整气压和温度，控制温度在500‑800℃，打开激光器，进行薄膜生长，至一定程度后停止生长，使衬底自然降温，待样品降至室温后向腔室内通入空气，打开腔体取出样品，完成生长。可以简便地、低成本地实现Ge上钛酸钡薄膜的外延生长，得到的薄膜界面清晰、薄膜为单晶外延生长、薄膜表面平整。
一种衬底外延生长钛酸钡薄膜方法

[发明专利]一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法-CN201910150099.6有效
发明人：牛刚;代立言;任巍;赵金燕;武和平;王延昆;赵慧丰;刘逸为;王玲艳;史鹏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。
一种远程外延生长转移钛酸钡薄膜方法

[发明专利]一种基于硅表面微结构的介质薄膜固态发光器件-CN201710908411.4有效
发明人：吴胜利;杨灿;刘逸为;张劲涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅表面微结构的介质薄膜固态发光器件，包括自上到下依次分布的信号电极、ITO电极、绝缘介质层、硅衬底及背电极，其中，硅衬底的上表面设置有硅表面微结构，该放光器件的工作电压较低，并且导电路径数量多，导电路径的直径较大，器件的发光性能较好。
一种基于表面微结构介质薄膜固态发光器件

[发明专利]一种绝缘介质薄膜固态发光器件发光增强方法-CN201610326570.9有效
发明人：吴胜利;刘逸为;张劲涛;杨灿 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘介质薄膜固态发光器件发光增强方法，并阐述了其增强发光的原理。固态发光器件由信号电极，背电极，发光单元构成，每个发光单元是由多层薄膜构成的MOS结构，各层薄膜采用不同的材料或不同的工艺参数制作，薄膜物理性质不同。在薄膜上施加电压时，由于介质层薄膜中的氧缺陷连接形成一个连续的导电通道，从而热致发光。在介质层薄膜中增加一层1‑2nm厚的Ti薄膜，可以在介质层中产生更多的氧缺陷，增强发光亮度，降低能耗，提高发光效率。
一种绝缘介质薄膜固态发光器件增强方法

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