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[发明专利]模数转换器校准方法及模数转换器-CN202311198948.8在审
发明人：刘尧;刘筱伟;杨超;尹杰;周小雯;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种模数转换器校准方法及模数转换器，包括：分别测量比较器的正向输入端以及反向输入端的第一误差电压以及第二误差电压，基于第一误差电压及第二误差电压做差计算得到所述模数转换器的电容阵列误差电压以及所述电容阵列误差电压的极性，向所述比较器相反极性的输入端提供与所述电容阵列误差电压大小相等的校准电压，进而校准所述模数转换器的电压误差。本发明通过了将比较器的两输入端的电容器做分别切换，进而将各边位电容的误差均统计在单边误差电压中，再直接基于两边的误差电压做差进而消除掉共同的比较器失调电压，从而实现了模数转换器的校准。
转换器校准方法

[发明专利]SCR型ESD防护器件、电子装置及制备方法-CN202310538990.3有效
发明人：刘尧;刘筱伟;杨超;周小雯;舒刚剑;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种SCR型ESD防护器件、电子装置及制备方法，通过间隔设置的第五N型接触，以及通过对第五N型接触的尺寸、间隔距离和数量的设置，可控制NPN管向PNP管基区注入电流的大小，从而调控正反馈发生时对应的维持电压；进一步的，还可以在第二P型阱内及第五N型接触之间形成第六P型接触，通过调节第二P型阱中空穴的收集，调控NPN管开启电压和电流增益，从而起到对维持电压调控的效果。本申请可提供维持电压可调的SCR型ESD保护器件，即提高了ESD的泄放效率，又可避免闩锁发生。
scr esd 防护器件电子装置制备方法

[发明专利]高精度的薄膜电阻装置及其制备方法-CN202310041671.1有效
发明人：刘尧;刘筱伟;杨超;尹杰;段花花;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种高精度的薄膜电阻装置及其制备方法，本发明通过在薄膜电阻下方设置隔离沟槽，利用隔离沟槽中设置的导热复合结构，使所述薄膜电阻与所述导热复合结构发生热交换，所述导热复合结构进一步通过其与散热孔形成导热接触将热量疏散，有效提高薄膜电阻周边环境的导热效率；通过设置散热孔及其内部设置有导热性良好的金属，薄膜电阻的周围提供额外的热耗散通道，使得薄膜电阻的工作温度保持在低温度漂移的环境下，还能够抑制大负载的持续时间内薄膜电阻的阻值漂移，从而减少薄膜电阻精度下降导致的转换电路精度以及分辨率下降。
高精度薄膜电阻装置及其制备方法

[发明专利]纵向双极型晶体管及制作方法-CN202310409969.3在审
发明人：刘尧;刘筱伟;李建平;刘海彬;段花花;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种纵向双极型晶体管及其制作方法，纵向双极型晶体管设置于P型衬底上且包括：位于所述P型衬底上部的N型埋层和P型埋层，以及位于所述N型埋层下方的N型深阱，所述N型埋层设置于所述N型深阱与所述N型外延层之间，所述P型埋层设置成包围所述N型深阱且邻接所述N型埋层。本发明通过在衬底设置N型埋层和P型埋层和N型深阱，所述P型埋层环绕所述N型深阱设置且邻接所述N型埋层，利用P型埋层分别与N型埋层和N型深阱形成的PN结阻断基区少子电流向衬底注入的通道，由此减少衬底漏电流。
纵向双极型晶体管制作方法

[发明专利]一种双极型晶体管结构及其制作方法-CN202310163050.0在审
发明人：刘尧;刘海彬;刘筱伟;陈达伟;舒刚剑;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型晶体管结构及制作方法，包括P型衬底、深N阱、N型外延层、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，电极引出端注入区包括依次间隔排列的第一基极引出端注入区、第一集电极引出端注入区、发射极引出端注入区、第二集电极引出端注入区及第二基极引出端注入区，第一栅极结构横跨第一集电极引出端注入区与发射极引出端注入区，第二栅极结构横跨发射极引出端注入区与第二集电极引出端注入区。本发明的双极型晶体管通过在发射区与集电区之间增加栅极以调控横向PNP基区的电势，形成其与发射区、集电区构成的并联MOS管，通过周期性施加栅极端的电压，可以形成正反馈，使PNP管在大电流下稳定工作且不会发生击穿现象。
一种双极型晶体管结构及其制作方法

[发明专利]LC振荡器电路、应用系统及温漂补偿方法-CN202210187033.6有效
发明人：刘尧;刘海彬;关宇轩;梁国豪;刘筱伟;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种LC振荡器电路，包括LC振荡器、温度检测模块及边界设定模块；LC振荡器用于在设定电压范围内进行锁定并产生振荡频率；温度检测模块用于获取与当前温度相关的电压，并将其分别与N个呈递增变化的电压阈值进行比较以产生比较结果；边界设定模块连接温度检测模块的输出端，用于将边界电压范围划分为(N‑1)个电压区段，并根据比较结果从中选择相应电压区段作为设定电压范围；其中，(N‑1)个温度区段，(N‑1)个温度区段、(N‑1)个阈值区段及(N‑1)个电压区段一一对应。通过本发明提供的LC振荡器电路，解决了现有PLL或CDR因控制电压超出线性区而导致失锁或出现大量误码的问题。
lc 振荡器电路应用系统补偿方法

[发明专利]晶圆键合质量检测方法及系统-CN202110118313.7有效
发明人：刘森;向可强;杨超;刘筱伟;胡云斌 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合质量检测方法及系统，检测方法包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括叠置的第一硅层和第一键合金属层，第二晶圆包括叠置的第二硅层和第二键合金属层，第一晶圆和第二晶圆通过第一键合金属层与第二键合金属层相互键合以形成测试结构；对测试结构进行电流电压测试，得到测试结构的电流电压测试曲线，并根据电流电压测试曲线表征测试结构的键合质量。本发明针对低温键合晶圆界面的质量评估需求，通过对测试结构进行电流电压测试，实现了对晶圆键合质量快速且无损的表征，揭示了键合界面的电学特性，对于三维单片集成工艺的开发具有重要意义。
晶圆键合质量检测方法系统

[发明专利]一种电容失配校准方法及电路-CN202210447242.X有效
发明人：刘尧;刘筱伟;李建平;班桂春;朱志晞;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种电容失配校准方法及电路，包括：第一电容阵列、第二电容阵列及参考电容，其中：第一电容阵列、第二电容阵列及参考电容的上极板均连接在一起；基于工作状态切换第一电容阵列的下极板、第二电容阵列的下极板及参考电容的下极板的电压值，以此计算得到第一电容阵列与第二电容阵列相对于参考电容的偏差。通过计算第一电容阵列与第二电容阵列相对于参考电容的偏差，对第一电容阵列及第二电容阵列中的电容进行校准，设计ADC、DAC等数据转换器，从而提高数据转换器的精度。通过种子矩阵最终得到一个非零的行列式矩阵，计算第一电容阵列及第二电容阵列中每一个电容的具体校准值，操作过程简化，运算量小，有效地节约计算资源。
一种电容失配校准方法电路

[发明专利]一种薄膜电阻测量结构及测量方法-CN202210855765.8在审
发明人：刘尧;刘筱伟;刘兴龙;陈达伟;史林森;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜电阻测量结构及测量方法包括：寄生电阻测量模块及旁路电阻测量模块，寄生电阻测量模块包括M个寄生电阻测量单元，用于测量寄生电阻与薄膜电阻阻值，同一端的测试点彼此电连接；每个测试点设置有对应的金属层；旁路电阻测量模块包括N个旁路电阻测量单元，用于从寄生电阻中减去探针的接触电阻及薄膜电阻的影响，计算得到旁路电阻阻值，同一端的测试点共用一个金属层。结构简单，测量步骤简约，不需要探针台、半导体参数仪等设备进行辅助。不需要在多个位置进行多次测量并进行数据分析，得到的薄膜电阻阻值准确，测量结构及测量方法适用环境广泛。
一种薄膜电阻测量结构测量方法

[发明专利]一种电阻型DAC电路结构及数模转换器-CN202210571913.3有效
发明人：刘尧;刘筱伟;班桂春;刘兴龙;朱志晞 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻型DAC电路结构及数模转换器包括：整数倍权电阻模块及分数倍权电阻模块，其中：基于电阻型DAC电路结构输出的加权模拟信号与单位电阻的比值选择整数倍权电阻模块或分数倍权电阻模块中至少一个，以输出对应的加权模拟信号；将输入的数字信号输入选中的权电阻模块中，并将选中的权电阻模块的输出信号通过开关控制来合成，以满足电路的分辨率要求，通过设置分数倍权电阻模块，使最小的权重值不再由整数倍单位电阻决定，方便设计，有效保证电路容易获得最佳的微分非线性和积分非线性；与开尔文架构的DAC相比，单位电阻与开关的个数不再随着DAC位数呈指数变化，最大限度地节省单位电阻与开关的个数，减小物理尺寸，节约成本。
一种电阻 dac 电路结构数模转换器

[发明专利]ESD保护结构及其制备方法-CN202210321411.5有效
发明人：刘尧;李建平;刘筱伟;班桂春;刘海彬;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种ESD保护结构，包括：全耗尽绝缘体上硅，由下至上包括硅衬底、埋氧层及顶层硅；硅化物层，形成于埋氧层的上表面，且形成于顶层硅的两侧；栅氧层，形成于顶层硅的上表面；隔离层，形成于部分硅化物层的上表面，且形成于栅氧层的两侧；控制栅，形成于部分栅氧层的上表面；可编程栅，形成于部分栅氧层及与其邻接的部分隔离层的上表面，且形成于控制栅的两侧，其中可编程栅与控制栅之间具有间距；源极，形成于顶层硅一侧的硅化物层的上表面，且形成于隔离层远离可编程栅的一侧；漏极，形成于顶层硅另一侧的硅化物层的上表面，且形成于隔离层远离可编程栅的一侧。通过本发明提供的ESD保护结构，解决了现有结构静态漏电较高的问题。
esd 保护结构及其制备方法

[发明专利]跨阻放大器电路、光接收机及光通信系统-CN202210029327.6有效
发明人：刘盛富;刘筱伟;杨超;刘海彬;刘尧 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种跨阻放大器电路，包括：信号检测模块，用于检测输出电压信号的电压大小或信号强度，并根据检测结果产生控制偏压；自动增益控制模块，连接信号检测模块的输出端，用于在初始电压的基础上，根据控制偏压产生增益切换控制电压，其中，增益切换控制电压跟随工艺偏差和环境温度做自适应调整；跨阻放大器模块，连接自动增益控制模块的输出端，用于将输入电流信号转换为输出电压信号，并根据增益切换控制电压进行低增益模式和高增益模式的切换。通过本发明提供的跨阻放大器电路，解决了现有跨阻放大器受限于芯片本身的工艺偏差和应用环境高低温影响，导致AGC的开启点和开启程度变化，从而影响动态范围内输出信号质量的问题。
放大器电路接收机光通信系统

[发明专利]触发电压可调的ESD保护结构及其制作方法-CN202111412507.4在审
发明人：刘森;刘筱伟;刘海彬;李建平;刘兴龙 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制作方法，所述ESD保护结构包括：具有第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极；栅结构，设置于所述体区的表面上；开口部，所述开口部限定于所述栅结构与所述漏极之间，所述开口部下方还设置有轻掺杂漏区；当静电正电流的涌入使所述源极与沟道区以下的所述体区之间达到开启阈值电压时，引发所述寄生NPN双极晶体管导通。本发明还提供一种触发电压可调的ESD保护器件的制作方法，通过所述方法制作的所述功能器件层位于深阱内，可以与实际CMOS三阱工艺相兼容。
触发电压可调 esd 保护结构及其制作方法

[发明专利]一种半导体结构、器件及其制备方法-CN202210103757.8在审
发明人：刘尧;刘盛富;刘筱伟;刘海彬;段花花;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、器件及其制备方法，在所述半导体结构中形成所述中间隔断层，其中，所述中间隔断层为由具有不同导电类型的第一导电类型层及第二导电类型层构成，所述第一导电类型层及所述第二导电类型层相接触，且所述第一导电类型层与所述第二导电类型层交替设置，从而可利用PN结的耗尽层的隔断作用，提高所述半导体结构的电阻率，进而以达到减小衬底噪声的作用，以制备高频率、低损耗的半导体器件。
一种半导体结构器件及其制备方法

[发明专利]频率峰值调谐电路及系统-CN202210103904.1在审
发明人：刘盛富;刘尧;杨超;刘筱伟;史林森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03J1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种频率峰值调谐电路及系统，所述频率峰值调谐电路包括：峰化电感、峰化电容及调谐开关管；其中，所述峰化电感的第一端连接所述峰化电容的第一端并接入工作电压，所述峰化电感的第二端连接所述调谐开关管的第一连接端并作为调谐接入端；所述调谐开关管的第二连接端连接所述峰化电容的第二端，控制端接入调谐栅压。通过本发明提供的频率峰值调谐电路及系统，解决了现有电感峰化技术无法实现放大器频率峰值可调的问题。
频率峰值调谐电路系统

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