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[实用新型]一种用于电子封装器件红外热成像无损检测的实验装置-CN201320158700.4有效
发明人：秦飞;刘程艳;黄传实 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本实用新型为一种用于电子封装器件红外热成像无损检测的实验装置，由红外热像仪夹持部分和待测试样载台两部分组成。所述红外热像仪夹持部分由底座、固定螺栓、立柱、紧固螺栓、顶架、手柄、螺杆、活动支架、热像仪组成；红外热像仪夹持部分能够实现热像仪在垂直方向上拍摄，并能够上下自由活动，且装置稳定安全；试样载台部分用于固定待测试样的卡座采用高低卡座设计，满足了不同尺寸待测试样的实验要求；三维移动台的螺栓上标有刻度，扭动螺栓可以实现待测试样在三维方向上定量移动，有利于保障实验测量精度。本实用新型装置稳固，操作简单，能够实现待测试样的三维定量移动。
一种用于电子封装器件红外成像无损检测实验装置

[实用新型]一种先进四边扁平无引脚封装结构-CN201220700797.2有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种先进四边扁平无引脚封装结构，包括方案一：芯片载体配置于封装结构的中央部位，芯片载体下方具有用于接地的引脚，相邻引脚之间具有凹槽，外围的引脚具有台阶结构；多个引脚围绕芯片载体呈多圈排列，引脚具有台阶结构。方案二：多个引脚在封装结构中呈面阵排列，引脚具有台阶结构。在这两种方案中都采用绝缘填充材料和塑封材料进行二次包封。
一种先进四边扁平引脚封装结构

[实用新型]一种再布线多芯片AAQFN封装器件-CN201220699010.5有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再布线多芯片AAQFN封装器件。制造形成的再布线多芯片AAQFN封装器件具有多个堆叠的IC芯片，其中母IC芯片通过粘贴材料配置于封装器件中心位置，子IC芯片可以通过粘贴材料、隔片材料或者焊接材料配置于母IC芯片上方，绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间，母IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层，引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接，第二金属材料层配置于引脚的下表面，引脚在封装器件中呈面阵排列，采用塑封材料进行包封。本实用新型达到突破传统QFN封装的低I/O数量、高封装成本的瓶颈和提高封装体的可靠性的目的。
一种布线芯片 aaqfn 封装器件

[发明专利]一种用于测量铜填充TSV孔界面强度的测试方法-CN201310134457.7有效
发明人：秦飞;黄传实;武伟;刘程艳 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：一种用于测量铜填充TSV孔界面强度的测试方法，属于三维电子封装测试领域。使用纳米压痕仪将TSV电镀铜柱从TSV通孔中压出，得到压出过程中压头上的载荷/位移曲线，并在压出的不同阶段进行卸载再加载，得到卸载、加载曲线。并使用原子力显微镜（AMF）得到卸载后铜柱顶端距TSV转接板上表面的距离。通过分析可以得到界面发生破坏所消耗的能量即界面开裂功，用界面开裂功除以发生破坏界面的面积既可以得到界面的临界应变能释放率。使用该方法可以得到TSV在实际生产过程中不同电镀工艺产生的界面的强度，通过对比选择最适合的电镀工艺，以提高TSV在服役过程中的可靠性。
一种用于测量填充 tsv 界面强度测试方法

[实用新型]一种再布线热增强型FCQFN封装器件-CN201220699914.8有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再布线热增强型FCQFN封装器件。在再布线热增强型FCQFN封装器件中，IC芯片通过焊接材料倒装焊接在第一金属材料层上，通过将IC芯片背面裸露在外部环境中、在IC芯片上方配置散热片或者在IC芯片下方配置导热片以提升封装器件的散热性能，绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间、以及引脚与引脚之间，引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接，第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面，采用塑封材料进行包封。本实用新型采用的再布线层可使封装器件的尺寸大幅减小，降低了制造成本，提升了封装器件的良率和可靠性。
一种布线增强 fcqfn 封装器件

[发明专利]一种半导体封装器件的制造方法-CN201210548637.5有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装器件的制造方法。制造形成的QFN半导体封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有的台阶结构的芯片载体和引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。
一种半导体封装器件制造方法

[实用新型]一种再布线面阵排列FCQFN封装器件-CN201220700838.8有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再布线面阵排列FCQFN封装器件。该器件包括：引脚在封装器件中呈面阵排列；绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间；第一金属材料层通过再布线层实现与引脚的连接；IC芯片通过焊接材料倒装焊接于第一金属材料层；第二金属材料层配置于引脚的下表面；塑封材料包覆密封上述IC芯片、焊接材料、第一金属材料层和再布线层，仅仅暴露出配置于引脚下表面的第二金属材料层。制造形成的再布线面阵排列FCQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
一种布线排列 fcqfn 封装器件

[实用新型]一种再布线QFN封装器件-CN201220700196.1有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再布线QFN封装器件。该器件包括：芯片载体配置于封装器件的中央部位；多个引脚配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列；绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间，以及引脚与引脚之间；IC芯片通过粘贴材料配置于芯片载体上；第一金属材料层围绕IC芯片排列；引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接；IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面；塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层、再布线层和芯片载体，仅仅暴露出配置于芯片载体和引脚下表面的第二金属材料层。该器件具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
一种布线 qfn 封装器件

[实用新型]一种再布线多芯片QFN封装器件-CN201220700022.5有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再布线多芯片QFN封装器件。制造形成的再布线多芯片QFN封装器件具有多个堆叠的IC芯片，其中母IC芯片通过粘贴材料配置于芯片载体上，子IC芯片可以通过粘贴材料、隔片材料或者焊接材料配置于母IC芯片上方，绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间、以及引脚与引脚之间，母IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层，引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接，第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面，采用塑封材料进行包封。本实用新型达到突破传统QFN封装的低I/O数量、高封装成本的瓶颈和提高封装体的可靠性的目的。
一种布线芯片 qfn 封装器件

[实用新型]一种再布线FCQFN封装器件-CN201220700823.1有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再布线FCQFN封装器件。该器件包括：芯片载体配置于封装器件的中央部位；多个引脚配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列；绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间，以及引脚与引脚之间；第一金属材料层通过再布线层实现与引脚的连接；IC芯片通过焊接材料倒装焊接于第一金属材料层；第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面；塑封材料包覆密封上述IC芯片、焊接材料、第一金属材料层、再布线层和芯片载体，仅仅暴露出配置于芯片载体和引脚下表面的第二金属材料层。该器件具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
一种布线 fcqfn 封装器件

[实用新型]一种再布线AAQFN封装器件-CN201220700000.9有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再布线AAQFN封装器件。该器件包括：多个引脚在封装器件中呈面阵排列；绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间；IC芯片通过粘贴材料配置于封装器件的中心位置；第一金属材料层围绕IC芯片排列；引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接；第二金属材料层配置于引脚的下表面；IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层和再布线层，仅仅暴露出配置于引脚下表面的第二金属材料层。制造形成的再布线AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
一种布线 aaqfn 封装器件

[实用新型]一种再布线热增强型AAQFN封装器件-CN201220700183.4有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再布线热增强型AAQFN封装器件。在再布线热增强型AAQFN封装器件中，IC芯片通过焊接材料倒装焊接在第一金属材料层上，通过将IC芯片背面裸露在外部环境中或者在IC芯片上方配置散热片以提升封装器件的散热性能，引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接，第二金属材料层配置于引脚的下表面，引脚在封装器件中呈面阵排列，绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间，采用塑封材料进行包封。本实用新型达到突破传统QFN封装的低I/O数量、高封装成本的瓶颈和提高封装体的可靠性的目的。
一种布线增强 aaqfn 封装器件

[发明专利]一种用于TSV填充铜残余应力测量的加热装置-CN201310010900.X有效
发明人：秦飞;黄传实;武伟;安彤;刘程艳 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：一种用于TSV填充铜残余应力测量的加热装置，属于封装设备技术领域，包括夹具部分、加热部分和调整载台部分。本发明夹具上的导轨结构可满足一次装卡即可对TSV转接板上的所有铜柱的压出应力进行测量，导轨底面上的缝隙可满足调整一次TSV转接板的位置即可对一排铜柱的压出应力进行测量，使铜柱与载台通孔的对中简单、精确，大大简化了实验的过程，节省实验成本，使用定位弹簧片结构，既能满足TSV转接板左右和上下方向的定位，又可以满足TSV转接板在平面上滑动，结构简单，使用方便。本发明可以对试样进行加热，加热部分可精确控制试样温度，夹具上的加紧弹簧片和定位弹簧片可以有效的消除试样加热时由于试样和夹具材料热膨胀系数的不同而产生的额外应力。
一种用于 tsv 填充残余应力测量加热装置

[发明专利]一种再布线QFN封装器件的制造方法-CN201210549512.4有效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种再布线QFN封装器件的制造方法。制造形成的再布线QFN封装器件的芯片载荷和引脚在封装工艺过程中采用蚀刻方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用电镀和化学镀方法制作再布线层，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的再布线QFN具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
一种布线 qfn 封装器件制造方法

[发明专利]一种再布线高密度QFN封装器件及其制造方法-CN201210549528.5无效
发明人：秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种再布线高密度QFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度QFN封装器件的芯片载荷和引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用蚀刻方法制作再布线层，并形成独立的芯片载体和引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度QFN具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
一种布线高密度 qfn 封装器件及其制造方法

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