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[发明专利]人工晶体生长的温场调控装置和温场动态调控方法-CN202011521644.7有效
发明人：龙思卫;王彪;王文佳;林少鹏;朱允中;刘秩桦 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种人工晶体生长的温场调控装置。所述人工晶体生长的温场调控装置包括温场调节单元、控制单元以及电磁屏蔽结构。所述温场调节单元包括盖设在晶体溶液容器上方的保温盖，所述保温盖的侧壁上设置有垂直距离不同的散热窗，每个散热窗上都设有可改变散热窗孔洞大小的调节板；所述控制单元根据当前温度信息、电源功率信息以及晶体直径信息，实时调整各调节板的开合方向及速度，实现晶体生长温场的动态调整；所述电磁屏蔽结构消除电磁场对装置的负面影响。本发明保证了高品质大尺寸人工光电单晶的稳定生长，并显著降低单晶生长的电能消耗，具有很强的应用价值。
人工晶体生长调控装置动态方法

[实用新型]人工晶体生长的温场调控装置-CN202023117954.0有效
发明人：龙思卫;王彪;王文佳;林少鹏;朱允中;刘秩桦 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种人工晶体生长的温场调控装置，包括温场调节单元、控制单元和传动单元；所述温场调节单元包括盖设在晶体溶液容器上方的保温盖，所述保温盖的上段和下段的侧壁上均设置有散热窗，每个散热窗上都设有调节板；所述传动单元与各调节板连接，并控制各调节板的开合方向及开合速度；所述控制单元分别与人工晶体生长设备的温度检测装置和加热装置、以及所述传动单元电连接，并接收当前温度信息、加热装置功率信息和由人工晶体生长设备所计算得到的晶体直径信息，通过传动单元以调整各调节板的开合方向及开合速度。本实用新型保证了高品质大尺寸人工光电单晶的稳定生长，并显著降低单晶生长的电能消耗，具有很强的应用价值。
人工晶体生长调控装置

[发明专利]一种合成具有低相变温度的单斜结构VO2的方法-CN201510377176.3有效
发明人：王锐;徐欢欢;张昱屾;徐衍岭;李月梅;茹毅;周建军;刘秩桦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C09K11/69 文献下载
摘要：一种合成具有低相变温度的单斜结构VO2的方法，它涉及一种合成单斜结构VO2的方法。本发明的目的是要解决现有单斜结构VO2的相变温度高和不能实现上转换发光的问题。方法一、制备混合溶液A；二、制备蓝黑色混合溶液；三、制备干燥后的反应物；四、将干燥后的反应物置于管式炉中，再在氮气气氛和烧结温度为550℃～600℃下烧结1h～2h，得到具有低相变温度的单斜结构VO2。本发明通过掺杂Er3+和Yb3+，VO2(M)的相变温度降低了35％～45％；本发明得到的降低相变温度后的VO2在980nm激光的激发下，能够将红外光转化为绿光，且强度很强。本发明可获得一种合成具有低相变温度的单斜结构VO2的方法。
一种合成具有相变温度 vo sub 方法

[发明专利]一种Er³⁺和Yb³⁺双掺的VO₂上转换发光材料-CN201510316528.4有效
发明人：王锐;徐欢欢;张昱屾;徐衍岭;李月梅;茹毅;周建军;刘秩桦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C09K11/69 文献下载
摘要：一种Er³⁺和Yb³⁺双掺的VO₂上转换发光材料，它涉及一种上转换发光材料。本发明的目的是要解决现有太阳能电池不能利用红外光，导致太阳能电池的转换率低的问题。方法：将Er₂O₃和Yb₂O₃加入到质量分数为65％～68％的硝酸中，再加入V₂O₅和草酸，再进行水热反应，得到干燥后的反应物；再将干燥后的反应物进行煅烧，得到Er³⁺和Yb³⁺双掺的VO₂上转换发光材料。五、本发明制备的Er³⁺和Yb³⁺双掺的VO₂上转换发光材料为纳米片，且片的厚度为20nm～50nm，是一种纳米材料。本发明可获得一种Er³⁺和Yb³⁺双掺的VO₂上转换发光材料。
一种 er sup yb vo sub 转换发光材料

[发明专利]一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法-CN201510316527.X有效
发明人：王锐;李月梅;仇兆忠;徐衍岭;徐欢欢;周建军;茹毅;刘秩桦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法，它涉及一种GZO纳米荧光材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有上转换蓝光基质材料的波段分布较宽，颗粒尺寸较大，不利于其在医学、生物以及雷达等方面应用的问题。制备方法：将NaOH溶液和Zn(NO₃)₃溶液混合，再滴加Ga(NO₃)₃溶液，再加入氧化镱硝酸溶液和氧化铥硝酸溶液，再进行水热反应，得到窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料分布波段较窄，得到了窄波段的上转换蓝光；本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的尺寸在40nm～50nm，形貌为纳米棒。本发明可获得种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。
一种波段镱铥双掺 gzo 纳米荧光材料制备方法

[发明专利]一种片状氯氧化铋光催化材料的制备方法-CN201410482150.0有效
发明人：王宇;孟俊生;刘秩桦;朱佳奇;李凯;陈刚 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： B01J27/06 文献下载
摘要：一种片状氯氧化铋光催化材料的制备方法，本发明涉及光催化材料的制备方法。本发明要解决现有光催化剂禁带较宽、对可见光的响应较小，导致太阳能的利用效率低的问题。方法：一、称取Bi(NO₃)₃·5H₂O和K₃Fe(CN)₆；二、制备BiFe(CN)₆；三、合成片状氯氧化铋光催化材料。本发明以六氰合铁酸铋为前驱体，采用离子交换法制备片状氯氧化铋光催化材料。具有工艺简单、能耗较小、安全性高、样品纯度高、样片相貌均匀的优点。本发明用于制备片状氯氧化铋光催化材料。
一种片状氧化光催化材料制备方法