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[发明专利]一体化集成电路芯片结构以及制备方法-CN202210884405.0在审
发明人：焦斌斌;余立航;孔延梅;刘瑞文;叶雨欣;王杰;石钰林 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开一体化集成电路芯片结构以及制备方法，本发明涉及集成电路芯片的热设计与热控制技术领域，用于解决现有技术中集成电路芯片高热流密度点的热量传输能力较弱的问题。在半导体衬底晶圆上制作具有电学功能和散热功能的一体化集成电路芯片，并进行封装，通过把集成电路加工工艺和微流道加工工艺结合，在集成电路芯片加工过程中，在半导体衬底晶圆上直接制作微流道，而不是在芯片制作完成之后额外制作微流道，实现多颗集成电路芯片的散热结构的制作，减少芯片散热所需的成本；盖板把冷却工质引到微流道中，使芯片高热流密度点的热量通过衬底的传导后，直接和冷却工质进行热交换，减小芯片热量散失过程中的传热热阻，提升散热能力。
一体化集成电路芯片结构以及制备方法

[发明专利]碱金属原子气室的制作方法及碱金属原子气室-CN202110611144.0有效
发明人：贾云丛;焦斌斌;刘瑞文;孔延梅;云世昌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱金属原子气室的制作方法及碱金属原子气室，其制作方法包括：提供一硅片；在硅片上表面、下表面均生长硬掩模层；分别对每层硬掩膜层进行处理，形成第一窗口组和第二窗口组，第一窗口组为在硅片的第一区域的轴向上对应的两个第一窗口，第二窗口组为在硅片的第二区域的轴向上对应的两个第二窗口；将第一窗口组中两个第一窗口之间的硅片打通形成第一腔室，将第二窗口组中两个第二窗口之间的硅片打通形成第二腔室；采用激光刻蚀工艺，在第一腔室与第二腔室之间的硅片的上表面，形成内壁表面粗糙的V形微流道，使第一腔室与第二腔室连通；去除硬掩膜层；在第一腔室内放入碱金属叠氮化物；将硅片的上表面、下表面均与玻璃片密封连接。
碱金属原子制作方法

[实用新型]用于湿垃圾收运的移动式垃圾压缩设备-CN202123165623.9有效
发明人：戴强德;苏继胜;罗飞;李洪超;刘瑞文;张清泉 -专利权人：长沙中联重科环境产业有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B65F1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于湿垃圾收运的移动式垃圾压缩设备，包括储料仓和垃圾箱，储料仓与垃圾箱内腔连通，储料仓上远离垃圾箱的一侧的上方设有入料口，入料口的外侧设有上料机构，垃圾箱上远离储料仓的一侧设有卸料门，储料仓包括处于入料口下方的导料挡液机构以及处于导料挡液机构下游并悬置于储料仓内腔顶部的上悬式压填机构。能够达到阻止污水冲击波向外冲力抛洒外泄的作用。整个结构简单，且不易产生恶臭和不易对周边产生二次污染，特别适用于湿垃圾的装填和转运。
用于垃圾移动式压缩设备

[发明专利]一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器-CN202210483866.7在审
发明人：焦斌斌;刘瑞文;云世昌;孔延梅;叶雨欣;杜向斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本申请公开一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器，涉及传感器技术领域。该加工方法包括提供一个单晶硅晶圆，在单晶硅晶圆上形成深腔，在深腔所在的一侧表面形成第一绝缘层；提供一个SOI晶圆，在SOI晶圆的顶硅层形成四个压敏电阻条以用于形成压敏式压力传感器结构；使四个压敏电阻条和深腔对应，将SOI晶圆的顶硅层和单晶硅晶圆的第一绝缘层键合，深腔被封闭并处于预设压力值；将SOI晶圆的衬底层进行减薄，减薄后，在SOI晶圆衬底层的与压敏电阻条对应的区域进行深硅刻蚀和金属沉积图形化以形成与四个压敏电阻条电连接的第一引线接口；在SOI晶圆的第一区域获得梳齿结构和第一硅悬梁结构，第二区域获得第二硅悬梁结构。
一种传感器组合结构及其加工方法

[发明专利]一种垃圾压缩机控制方法-CN202210527700.0在审
发明人：付争;郝长千;苏继胜;戴强德;张清泉;刘瑞文 -专利权人：长沙中联重科环境产业有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B30B15/16 文献下载
摘要：本发明提供一种垃圾压缩机控制方法。所述垃圾压缩机控制方法包括步骤一，设定压头空载运行时间为T，压头压缩运行压力为P，P为大于空载运行压力的某一设定值；步骤二，发送进行垃圾压缩的作业指令，驱动压头执行前进及回退一次压填循环动作；步骤三，压头前进时检测压头前进的时间或压力的阈值，根据得到的时间阈值与T比较，或根据得到的压力阈值与P比较，压头回退后，根据比较输出的结果执行停止指令或下一次压填循环动作指令。与相关技术相比，本发明既能保证垃圾压缩的高效，又能节能、降低设备及备件损耗，提高其经济性，同时减少人为操作，降低劳动强度。
一种垃圾压缩机控制方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法、三维器件-CN202111458701.6在审
发明人：焦斌斌;贾士奇;刘瑞文;孔延梅;云世昌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开半导体结构及其制备方法、三维器件，涉及三维器件技术领域，用于提供一种具有低残余应力的通孔结构的技术方案。所述半导体结构包括：半导体基底；所述半导体基底中形成有纺锤状通孔结构，所述纺锤状通孔结构包括多个纺锤状通孔；形成在每个所述纺锤状通孔的侧壁上的叠层结构；以及填充在每个所述纺锤状通孔内的金属互连结构，其中，所述金属互连结构与所述叠层结构相接触，所述金属互连结构的顶部与底部具有实心结构，所述金属互连结构的中间部分具有真空空心结构。
一种半导体结构及其制备方法三维器件

[发明专利]一种多芯片散热的匀温控制系统及其制备方法-CN202210033356.X在审
发明人：孔延梅;从波;焦斌斌;刘瑞文;贾昆鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本发明公开一种多芯片散热的匀温控制系统及其制备方法，涉及微电子散热技术领域。所述多芯片散热的匀温控制系统包括：散热结构、可控主动散热模块、多芯片、温度传感单元和外围电路控制模块；所述温度传感单元，用于获取所述多芯片的实时温度值；所述外围电路控制模块，用于基于所述多芯片中每个芯片的所述实时温度值，实时针对性地调整多个所述可控主动散热模块的散热能力参数；所述可控主动散热模块，用于基于调整后的所述散热能力参数，结合所述散热结构，对所述多芯片进行按需冷却处理，直至所述多芯片的当前温度值均和预设芯片温度值匹配，实现对多芯片散热的温度主动控制，实现多芯片较高的温度均匀性，提高了多芯片的可靠性和稳定性。
一种芯片散热温控系统及其制备方法

[发明专利]一种芯片热点的温度测量结构及方法-CN202210032049.X在审
发明人：孔延梅;从波;刘瑞文;焦斌斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片热点的温度测量结构及方法，涉及半导体封装散热领域。所述芯片热点的温度测量结构包括：热电堆测温单元、芯片单元、微流散热单元和冷却工质供应单元；所述热电堆测温单元设置在所述芯片单元一侧，所述微流散热单元位于所述芯片单元的另一侧，所述冷却工质供应单元位于所述微流散热单元远离所述芯片单元的一侧；所述热电堆测温单元，基于多个所述实时温度值及多个所述温度差值，确定所述芯片的多个所述热点的最高温度值和最大温度差值，用以基于所述最高温度值和所述最大温度差值确定所述芯片的性能参数，实现对微流散热性能的精准评估和芯片工作状态的实时精准监测，还提高了测温方法的准确性和可靠性。
一种芯片热点温度测量结构方法

[发明专利]一种高功率芯片散热结构及其制备方法-CN202111396593.4在审
发明人：焦斌斌;余立航;孔延梅;刘瑞文;贾昆鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开一种高功率芯片散热结构及其制备方法，涉及微电子散热技术领域。高功率芯片散热结构包括：位于高功率芯片正面的一体化转接板；一体化转接板包括冷却结构和电学连接组件；冷却结构中形成有多个冷却液通道，每个冷却液通道均包括相连通的进液通道、微流道以及出液通道，且微流道位于高功率芯片正面，电学连接组件的一侧与冷却结构相连接，另一侧与高功率芯片电连接，通过微流道将冷却液引到高功率芯片正面的发热结区，使发热结区可以直接和冷却液进行热交换，使得芯片产热直接传导至冷却液，通过冷却液的循环流动进而被带走，缩短了传热路径，实现了高效的散热，满足了衬底热导率低的高功率芯片的散热需求，提高芯片的可靠性。
一种功率芯片散热结构及其制备方法

[发明专利]一种高功率芯片散热结构及其制备方法-CN202111396594.9在审
发明人：焦斌斌;余立航;孔延梅;康玄武;叶雨欣;刘瑞文;杜向斌;贾昆鹏;云世昌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开一种高功率芯片散热结构及其制备方法，涉及微电子散热技术领域。所述高功率芯片散热结构包括：位于所述高功率芯片上的散热组件，所述散热组件与所述高功率芯片键合在一起；位于所述高功率芯片与所述散热组件之间的换热件，可以通过散热组件将冷却液引到高功率芯片正面的发热结区，以及通过换热件增加高功率芯片和散热组件之间的有效换热面积，提升了换热能力，在换热件上连接散热组件使得芯片产热通过芯片正面散失带走，使高功率芯片的发热结区可以直接和冷却液进行热交换，使得芯片产热直接传导至冷却液，通过冷却液的循环流动进而被带走，缩短了传热路径，提高了芯片的散热能力，满足高功率芯片的信号屏蔽需求和芯片的散热需求。
一种功率芯片散热结构及其制备方法

[实用新型]一种土壤养分检测系统-CN202120598849.9有效
发明人： 刘瑞文;焦斌斌;孔延梅 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种土壤养分检测系统，涉及土壤养分检测技术领域，以解决散射光照射土壤而影响土壤养分检测精度的问题。所述土壤养分检测系统包括检测暗箱、光源组件、第一光线转换元件、第二光线转换元件以及光谱仪。第一光线转换元件和第二光线转换元件位于检测暗箱中；光源组件的光出射端位于检测暗箱中，用于向第一光线转换元件的第一侧提供光信号；第一光线转换元件的第二侧与检测暗箱中的待测土壤相对设置，用于向待测土壤提供平行光束；第二光线转换元件用于接收经过待测土壤反射的光束，并将待测土壤反射的光束进行光学转换后，提供给光谱仪。
一种土壤养分检测系统

[发明专利]一种钢管混凝土梁柱节点结构及施工方法-CN202110847204.9在审
发明人：唐珉;陈晨;刘永添;石文智;刘瑞文 -专利权人：广州市城市规划勘测设计研究院
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： E04B1/30 文献下载
摘要：本发明涉及建筑施工技术领域，公开了一种钢管混凝土梁柱节点结构及施工方法，钢管混凝土梁柱节点结构包括钢管混凝土柱和钢筋混凝土梁，所述钢管混凝土柱包括钢管壁和设于所述钢管壁内腔中的混凝土，所述钢管壁上环绕所述钢管壁的轴线设有若干开孔；所述钢筋混凝土梁的一端通过所述开孔伸入所述钢管壁的内腔中，或所述梁纵筋通过所述开孔贯穿所述钢管壁；所述钢管壁的内腔中相对于所述开口设置有一定锚固长度的柱钢筋笼，所述柱钢筋笼包括柱纵筋、柱箍筋和交叉钢筋，所述交叉钢筋分别与所述钢管壁及所述柱纵筋连接，所述柱箍筋与所述柱纵筋连接。本发明解决了现有的钢管混凝土梁柱节点传力方式不直接、结构复杂、施工不方便的问题。
一种钢管混凝土梁柱节点结构施工方法

[发明专利]热电集成散热模块-CN202110234809.0在审
发明人：叶雨欣;焦斌斌;孔延梅;刘瑞文;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明属于微电子封装技术领域，具体涉及一种热电集成散热模块。本发明的热电集成散热模块包括：功率器件，第一基板和第二基板；功率器件的衬底上设置有蚀微结构；第一基板上设置有进口、出口和两个散热口，两个散热口分别与蚀微结构连通；第二基板上设置有进液槽和出液槽，进液槽分别与进口和其中一个散热口连通，出液槽分别与其中另一个散热口和出口连通。本发明的热电集成散热模块中，设置散热口、进液槽和出液槽，冷却液通过进口进入进液槽内，再通过其中一个散热口通入蚀微结构对功率器件散热口，散热后再通过另一个散热口进入到出液槽内。在满足功率器件电学正常工作的基础上，能够快速对功率器件进行散热，散热效果好且结构简单。
热电集成散热模块

[实用新型]一种方便的墙壁粉刷装置-CN202021094296.5有效
发明人： 刘瑞文 -专利权人： 刘瑞文
申请日： 2020-06-14 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： E04F21/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及智能制造技术领域，且公开了一种方便的墙壁粉刷装置，包括放置板，所述放置板的顶部固定连接有调节板，所述调节板的正面开设有限位槽，所述限位槽的内壁活动连接有限位块，所述调节板的顶部固定连接有电机，所述电机的输出轴通过联轴器固定连接有调节螺杆，所述调节螺杆的外壁活动连接有螺纹块，所述螺纹块的一侧固定连接有连接杆，所述连接杆的外壁固定连接有固定杆，所述固定杆的一端固定连接有卡紧环，所述连接杆的一端固定连接有固定框。该方便的墙壁粉刷装置，能够达到适用范围广的目的，能够使粉墙刷粉刷墙面的不同高度的位置，节省了人力物力，提高了粉刷的效率，增强了粉刷装置的实用性。
一种方便墙壁粉刷装置

[发明专利]一种含N-苯基咔唑二酐类化合物及其合成方法-CN202110170571.X在审
发明人：刘煜阳;张晓晨;刘瑞文;吕勇达;修江善 -专利权人：山东盛华科技创业园有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C07D491/153 文献下载
摘要：本发明公开了一种含N‑苯基咔唑结构的二酐化合物及其制备方法，该化合物的结构为：，将N‑苯基咔唑‑2,2’,3,3’‑四羧酸溶于乙酸、乙酸酐等有机溶剂中，在硅基固体脱水剂SH‑01催化下，于无氧环境下，加热至回流保温5~10h，得到相应的N‑苯基咔唑结构的二酐化合物N‑苯基咔唑‑2,2’,3,3’‑二酐，反应完后，经过滤、重结晶，其经纯化ωⅡ＞99%，反应收率大于70%。该类化合物可用于聚酰亚胺材料的合成。
一种苯基咔唑二酐类化合物及其合成方法

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