“刘智旼”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件-CN202310306078.5在审
发明人：李斗铉;申宪宗;金善培;朴珍煐;朴贤镐;刘智旼;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；有源区，在衬底上沿第一水平方向延伸，并且包括在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区、以及在第二水平方向上彼此间隔开的第三有源区和第四有源区；分别在第一至第四有源区上的第一至第四源/漏区；分别连接到第一至第四源/漏区的第一至第四接触插塞；第一隔离绝缘图案，设置在第一接触插塞和第二接触插塞之间；以及第二隔离绝缘图案，设置在第三接触插塞和第四接触插塞之间，其中，在竖直方向上，第一隔离绝缘图案的第一长度小于第二隔离绝缘图案的第二长度。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202310003738.2在审
发明人：李斗铉;申宪宗;金善培;朴珍煐;朴贤镐;刘智旼;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；器件隔离层，在有源区的侧表面上并且限定有源区；栅极结构，在有源区上与有源区相交，并且在第二方向上延伸；源/漏区，在有源区凹陷在其中的区域中，在栅极结构的两侧上；第一保护层，在器件隔离层与栅极结构之间；以及掩埋互连线，在源/漏区下方，并且通过掩埋互连线的上表面连接到源/漏区中的一个。
半导体装置