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[实用新型]干式内装系统墙体-CN201120260853.0有效
发明人：富笑玮;张培建;刘锡洁;陈红;刘晓新;王志华 -专利权人：中建一局集团第三建筑有限公司;中国建筑一局（集团）有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： E04F13/074 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种干式内装系统墙体，包括墙体基层、墙体面层和电气设备连接件，所述墙体基层和墙体面层分别设置，两者之间通过高度可调的树脂螺旋栓形成架空空间，所述墙体面层为预制板块，通过螺钉与树脂螺旋栓固定，所述管线设置在架空空间内，且贴紧墙体基层表面。本实用新型具有方便维修和重新装修，对结构层无损害延长其寿命等优点，可广泛应用于建筑内外墙体。
干式内装系统墙体

[发明专利]铟镧钛氧化物透明导电薄膜-CN201010106868.1无效
发明人：刘星元;刘晓新;王宁 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种可应用于液晶显示屏、电致发光器件、太阳能电池、有机和无机半导体激光器等光电子器件的铟镧钛氧化物透明导电薄膜，它是在In2O3基体中掺杂La和Ti元素所构成的In-La-Ti-O氧化物，其中Ti与In的质量比为0.002∶1至0.3∶1，La和Ti的质量和与In的质量比为0.005∶1至0.4∶1。该透明导电薄膜具有化学稳定性好、导电性能优良、可见光透过率高以及功函数高的优点，有效地提高光电子器件的亮度或光电转换效率等性能。
铟镧钛氧化物透明导电薄膜

[发明专利]制备不同微观形貌氧化锌薄膜的方法-CN200610130120.9无效
发明人：靳正国;余可;刘晓新 -专利权人：天津大学
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备不同微观形貌的氧化锌薄膜的方法，步骤为：(一)水溶液二步生长工艺①衬底表面晶种层的制备。②生长液中取向晶生长。(二)原位二次调节pH值①使用硝酸二次调节生长液pH值至9.8，得到ZnO管状晶阵列薄膜。②使用25％氨水二次调节生长液pH值至9.2，得到表面绒毛状棒晶。本发明通过对水溶液pH值的原位二次调节的简单途径，完成了ZnO薄膜的微观形貌转变，可实现管状晶和表面绒毛状棒晶的制备。
制备不同微观形貌氧化锌薄膜方法

[发明专利]制备一维取向的纳米二氧化钛管状晶薄膜的方法-CN200510015349.3无效
发明人：靳正国;邱继军;刘晓新;刘志锋 -专利权人：天津大学
申请日： 2005-10-10 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： C30B29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备一维取向的纳米TiO₂管状晶薄膜的方法，包括：(1)制备ZnO籽晶层；(2)制备ZnO柱晶模板；(3)涂覆TiO₂溶胶；(4)去除ZnO模板。本发明的有益效果是弥补了Ti箔片阳极氧化法或氧化铝模板法的不足，提供了一种实现多孔、有序、大面积成膜的制备一维取向的纳米TiO₂管状晶薄膜的方法，且工艺简单，成本低廉，并作到了对多孔薄膜的比表面积、晶粒大小、形貌和结晶性等进行有效控制，更优异地在太阳能电池领域中得以应用。
制备取向纳米氧化管状薄膜方法

[发明专利]制备氧化锌一维纳米棒晶薄膜的方法-CN200510014993.9无效
发明人：靳正国;赵娟;刘晓新 -专利权人：天津大学
申请日： 2005-09-06 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C25D9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备一维ZnO纳米棒晶薄膜的电场辅助的方法，步骤依次为：将Zn(NO₃)₂·6H₂O与NaOH溶解于水中，搅拌均匀；置于30～90℃的水浴中；用三电极化学沉积系统进行恒电位沉积，以涂覆ZnO溶胶作为种底的导电玻璃为阳极，铂片为对电极，饱和Ag/AgCl电极(vsAg/AgCl_sat)为参比电极，在500－1300mV的外加电压下沉积；将衬底取出，清洗后，于烘箱中干燥，获得ZnO一维纳米棒晶薄膜材料。本发明通过施加并调节外电场的大小，有效控制了ZnO的生长形态，提高了生长速度；本发明广泛应用在发光二极管、光探测器、光敏二极管、气敏传感器、太阳能电池等方面。
制备氧化锌纳米薄膜方法

[发明专利]在水溶液中大面积快速制备一维氧化锌阵列薄膜的方法-CN200510014482.7无效
发明人：靳正国;刘晓新;步绍静;赵娟 -专利权人：天津大学
申请日： 2005-07-14 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在水溶液中大面积快速制备一维ZnO阵列薄膜的方法，依次包括如下步骤：(1)将化学纯的ZnNO₃6H₂O与六次甲基四胺((CH₃)₆N₄)溶解于搅拌条件下水中；(2)在搅拌均匀的溶液中，加入化学纯的甲酰胺，再将混合溶液进行搅拌，得到稳定的透明溶液；(3)将经过清洗的衬底浸入到溶液中，密封后，将溶液置于水浴中，放置1h～6h；(4)将衬底取出，用去离子水清洗后，于烘箱中干燥，制得纳米ZnO阵列的薄膜。本发明在高浓度条件下，即有效抑制了ZnO非极性面的生长，又可以快速制备六方相的ZnO纳米棒阵列的薄膜，大大提高了生长速度，缩短了工艺流程，节约了能源；实现了廉价大规模生产。本发明在信息光电领域有广泛的应用前景。
水溶液大面积快速制备氧化锌阵列薄膜方法

[发明专利]采用高粘度溶剂制备纳米晶TiO₂多孔薄膜的制备方法-CN200410072929.1无效
发明人：靳正国;步绍静;刘晓新 -专利权人：天津大学
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用高粘度溶剂制备纳米晶TiO₂多孔薄膜的制备方法，以无水乙醇和高粘度试剂松油醇为混合溶剂或以高粘度试剂癸醇为溶剂，钛酸丁酯(Ti(OC₄H₉)₄)为前驱体，加入络合剂NH(C₂H₅OH)₂，将水和乙醇的混合溶液滴加到上述溶液中，再加入聚乙二醇(PEG)作模板剂，强力搅拌；再经过溶胶预处理、浸渍－提拉镀膜、煅烧工序，制的纳米晶TiO₂多孔薄膜，在增加了薄膜厚度和提高设备效率的同时，也提高了孔结构的规则度及有序度，进而提高了薄膜的比表面积；本发明被广泛应用于光催化、电致变色、化学敏感器件和太阳能电池等领域。
采用粘度溶剂制备纳米 tio sub 多孔薄膜方法

[发明专利]多元硫属光电薄膜的连续离子吸附反应制备方法-CN200410072322.3无效
发明人：靳正国;石勇;刘晓新 -专利权人：天津大学
申请日： 2004-10-12 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是多元硫属光电薄膜的连续离子吸附反应制备方法；首次采用不同比例的混合阳离子前驱体溶液，制备组成可控的CuInS₂、CuInSe₂、Cu(ln，Ga)Se₂等太阳能光电薄膜，用来组装低成本、高光电转换效率的薄膜太阳能电池。本发明的阳离子前驱体溶液的组分和含量为CuCl₂∶GaCl₃∶InCl₃为0.5∶0∶1～2∶1∶1；pH值为1～3；硫离子源可采用pH值为10～13，浓度为0.1～1mol/l的Na₂S水溶液或Na₂SeSO₃水溶液或硫脲水溶液。在所述阳离子前驱体溶液、阴离子前驱体溶液中通过连续吸附反应进行镀膜，并经氩气氛下400～ 550℃热处理后制得所需的光电薄膜。
多元光电薄膜连续离子吸附反应制备方法

[发明专利]爆轰法制备纳米石墨粉的方法-CN02139520.9无效
发明人：周刚;文潮;李迅;刘晓新;孙德玉;关锦清;林英睿;唐仕英 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2002-12-19 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种爆轰法制备纳米石墨粉的方法，其生产工艺首先是炸药成型：将炸药粉末置于熔化锅内，加热、熔化、倒入模具、养护、冷却，得炸药药柱。然后是爆轰：将炸药药柱置于容器内，抽真空、充入保护介质气体，使压力为1大气压左右；引爆，待产物沉降完毕，排出废气；收集容器内黑色粉末，过筛、去杂质；进行酸处理，除去含铁、铝的金属杂质，倾去酸液；洗涤、分离，至呈中性。最后烘干、提纯，得纳米石墨粉。本发明制备成本低，产率高，制备周期短，设备简单，后处理简便；得到的纳米石墨粉末纯度高，热稳定性优良，对有害气体的吸附系数高，可回收再生利用。
法制纳米石墨粉方法

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