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- [实用新型]一种半导体光敏器件-CN202321169816.8有效
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吴贵阳;胡海峰;陈秋芳;刘宪成
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杭州士兰集成电路有限公司
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2023-05-12
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2023-10-24
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H01L31/0216
- 一种半导体光敏器件,包括:半导体层;光敏区场氧化层,暴露出至少部分的光敏区;减反射层,覆盖光敏区、场氧化层的表面和侧壁;刻蚀停止层,位于减反射层上,暴露出减反射层位于光敏区上方的至少部分,刻蚀停止层包括第一部分和围绕第一部分的第二部分,第二部分的厚度小于第一部分的厚度;电极结构,至少位于刻蚀停止层的第一部分上,位于刻蚀停止层的第一部分上的电极结构贯穿刻蚀停止层的第一部分以及减反射层与半导体层接触;钝化层,覆盖位于刻蚀停止层的第一部分上的电极结构的表面、侧壁,以及刻蚀停止层的第一部分的侧壁和刻蚀停止层的第二部分的表面,钝化层具有开口,开口暴露出位于刻蚀停止层上的电极结构的至少部分表面。
- 一种半导体光敏器件
- [实用新型]一种半导体光敏器件-CN202321176852.7有效
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吴贵阳;陈秋芳;胡海峰;刘宪成
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杭州士兰集成电路有限公司
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2023-05-12
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2023-10-24
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H01L31/0216
- 本申请公开了一种半导体光敏器件,包括:半导体层;光敏区,暴露于所述半导体层的第一表面;场氧化层,位于所述半导体层的第一表面,且暴露出至少部分的所述光敏区;减反射层,位于所述半导体层的第一表面,覆盖所述光敏区、所述场氧化层的表面和侧壁;刻蚀停止层,位于所述减反射层上,暴露出所述减反射层位于所述光敏区上方的至少部分;电极结构,至少位于所述刻蚀停止层上,位于所述刻蚀停止层上的电极结构贯穿所述刻蚀停止层以及所述减反射层与所述半导体层接触。本申请在减反射层和电极结构之间增加一层刻蚀停止层,既能得到尺寸均匀的电极结构,又能准确地控制减反射层的厚度。
- 一种半导体光敏器件
- [实用新型]半导体结构及集成电路-CN202320182325.0有效
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吴贵阳;刘宪成;闫赵宇;胡海峰
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杭州士兰集成电路有限公司
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2023-01-13
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2023-07-21
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H01L29/732
- 公开了一种半导体结构及集成电路,半导体结构包括衬底,衬底具有第一掺杂类型;位于衬底上的外延层,外延层具有第一掺杂类型;位于外延层中的基区以及发射区,发射区与基区接触,发射区具有第一掺杂类型,基区具有第二掺杂类型,第一掺杂类型和第二掺杂类型相反;位于外延层上的场氧化层,场氧化层用于限定基区;位于基区上的基极多晶以及位于发射区上的发射极多晶,基极多晶具有第二掺杂类型,发射极多晶具有第一掺杂类型;位于基区上的介质层,介质层将发射极多晶和基极多晶隔离。本申请利用自对准工艺对多晶硅和金属同时光刻刻蚀使得基极多晶与基极完全对准以及发射极多晶与发射极完全对准,避免多晶硅的厚度损失以及接触孔出现机偏等问题。
- 半导体结构集成电路
- [发明专利]一种变频器运输用防倾倒装置-CN202211122754.5在审
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王攀;李文坚;李华亮;刘宪成
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深圳市德瑞斯电气技术有限公司
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2022-09-15
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2022-12-23
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B65D25/10
- 本发明公开了一种变频器运输用防倾倒装置,包括:主体机、底座、外壳、连板和滚轮,所述主体机底端滑动安装有底座,所述底座两侧对称设置有外壳,所述外壳底端滑动安装有连板,相对于传统的变频器输送装置,本设备在使用时可以对主体机进行稳定的存放和支撑,保证主体机在运输过程中的稳定性,不会出现滑动、侧翻、碰撞等情况,使得内部的部件得到充足的保护,延长了主体机自身的使用寿命,保证了设备自身的工作质量,还可以在使用时根据实际的情况对设备整体的部件的角度和长度进行调节、控制,使得设备自身的工作范围更加广泛,且后续可以对设备进行回收利用,大大的降低了变频器运输的成本,使得设备在使用时更加高效、稳定。
- 一种变频器运输倾倒装置
- [实用新型]一种钼铁筛分装置-CN202122642089.X有效
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郭庆;刘宪成;李明臣;霍嘉琦
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中泽吉铁新材料科技有限公司
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2021-11-01
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2022-06-07
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B07B1/22
- 本实用新型涉及钼铁生产辅助设备技术领域,具体提供了一种钼铁筛分装置,包括进料机构、筛分机构及出料机构;进料机构,包括进料斗、机架、振动筛及震动电机;所述料斗及振动筛安装在机架上,料斗底部出料口与振动筛适配安装,所述的振动筛连接一震动电机;筛分机构,包括滚筒筛、第一环座、第二环座及转动电机,所述的滚筒筛具有网格状,内侧衬有橡胶网格;滚筒筛两端分别安装在第一环座及第二环座上,滚筒呈倾斜角度设计;出料机构,包位于滚筒正下方的第一出料收集箱体及位于滚筒末端出料部分正下方的第二出料收集箱。
- 一种筛分装置
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