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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于LIDAR的共享读出多SPAD事件冲突恢复-CN202310031630.4在审
发明人：王春吉;Y.M.王;王红宇;冯子青 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01S7/4865 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于飞行时间检测的方法和系统。在光电检测器电路中可以存在捕获光子活动的两个或更多个光电检测器。如果在重叠脉冲宽度期间接收到至少两个光子，则存在处理光电检测器的响应并返回第一个光子的到达的前沿和最后一个光子的到达的前沿的逻辑。
用于 lidar 共享读出 spad 事件冲突恢复

[发明专利]具有压缩感测能力的灵活计算图像传感器-CN202211723107.X在审
发明人： Y.M.王;王春吉;冯子青;任彦海;李斗铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H04N25/75 文献下载
摘要：本公开涉及用于对场景成像的方法和系统。该方法包括生成快门图案并将该快门图案应用于光电探测器阵列。该系统包括三维传感器架构，其中传感器架构的元件堆叠成两层或更多层。传感器结构的一些元件包括光电探测器阵列、寄存器阵列、生成快门图案的生成器、读出电路和ISP。
具有压缩能力灵活计算图像传感器

[发明专利]图像传感器像素和图像传感器-CN202210149788.7在审
发明人： M·H·因诺森特;T·格蒂斯;格尼斯·查皮那·戈麦斯;冯子青;巴尔托什·彼得·巴那赫威兹 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明公开了图像传感器像素和图像传感器。该图像传感器可包括图像像素阵列。该图像像素阵列可耦接到行控制电路和列读出电路。该阵列中的图像像素可以包括电荷积聚部分，该电荷积聚部分具有光电二极管、浮动扩散区和耦接到该浮动扩散区的电容器，并且该阵列中的图像像素可以包括具有三个电容器的电压域采样部分。在读出操作期间，可以在将强光图像电平信号和弱光图像电平信号和复位电平信号读出到列读出电路之前对其进行采样并存储在电压域采样部分处。可以在读出操作期间对强光复位电平信号进行采样和存储。
图像传感器像素

[发明专利]具有高密度存储电容器的晶体管的制造-CN201580027420.1在审
发明人：金天弘;冯子青;徐在亨;塔利斯·扬·张 -专利权人：追踪有限公司
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供用于在衬底上制造TFT和存储电容器的设备和方法。在一个方面中，设备包含TFT和存储电容器，其中所述TFT包含第一金属层、第二金属层和半导体层，其中所述半导体层受第一蚀刻终止层和第二蚀刻终止层保护。所述存储电容器包含作为在所述第一金属层与所述第二金属层之间的电介质的所述第二蚀刻终止层。在另一方面中，设备包含TFT和存储电容器，其中所述TFT包含第一金属层、电介质层和半导体层，其中所述半导体层受蚀刻终止层保护。所述存储电容器包含作为在所述第一金属层与所述半导体层之间的电介质的所述电介质层。
具有高密度存储电容器晶体管制造

[发明专利]多栅极薄膜晶体管-CN201380038720.0有效
发明人：约翰·贤哲·洪;金天弘;冯子青 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供多栅极晶体管、结构、装置、设备、系统及有关工艺的实施方案。在一个方面中，一种装置包含布置在衬底之上的薄膜半导体层。漏极及源极耦合到所述半导体层。所述装置还包含第一栅极、第二栅极及第三栅极，其皆邻近所述半导体层而布置且经配置以分别接收第一控制信号、第二控制信号及第三控制信号。介电层使所述栅极与所述半导体层及彼此绝缘。在第一模式中，所述第一栅极、所述第二栅极及所述第三栅极经配置以使得电荷存储在邻近所述第二栅极的所述半导体层的区中的势阱中。在第二模式中，所述第一栅电极、所述第二栅电极及所述第三栅电极经配置以使得所述所存储电荷穿过邻近所述第三栅电极的所述半导体层的所述区转移且穿过所述源极转移到负荷。
栅极薄膜晶体管

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